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利用磁控溅射法,在K9玻璃基底上沉积氧化镍(NiO)薄膜.采用不同温度时氧化镍薄膜进行氮气退火,使用UV1700型分光光度计、JSM-6490LV型扫描电子显微镜、四探针电阻计等分析退火后氧化镍薄膜性能的变化.实验结果表明,500℃退火范围内,氧化镍薄膜的透过率随退火温度的升高明显增加,400℃时透过率达到最大在80％以上,且光学带隙最小,结晶度较高,薄膜成分变化较小,更适于太阳电池窗口层的应用研究.

关键词: 磁控溅射 , NiO薄膜 , 氮气退火

p-Si TFT栅绝缘层用SiNx薄膜界面特性的研究

张化福 , 袁玉珍 , 臧永丽 , 祁康成

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.01.008

以NH3和SiH4为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了SiNx薄膜.系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx薄膜界面特性的影响.分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiNx薄膜中的si/N比和H含量影响薄膜的界面特性,而NH3/SiH4流量比则主要通过影响薄膜中的H含量影响薄膜界面特性.实验制备的SiNx薄膜层中的固定电荷密度、可动离子密度、SiNx与p-si之间的界面态密度分别达到了1.7×1012/cm2、1.4×1012/cm2、3.5×1012/(eV·cm2),其界面特性达到了制备高质量p-si TFT栅绝缘层的性能要求.

关键词: TFT , SiN , 薄膜 , 界面特性

静电自会聚六硼化镧电子枪的研究

林祖伦 , 王小菊 , 祁康成 , 曹贵川 , 于海波

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.32.S1.38

设计并制作了一种用于X射线管的电子枪。以具有优异电子发射能力的六硼化镧阴极代替传统钨阴极，采用石墨热子加热的夹持式阴极结构；电子光学系统采用静电自聚焦方式，设计了具有梯形聚焦槽的单圆筒电极聚焦结构，避免了聚焦电极的引出；完成了阴极罩、阴极筒以及陶瓷芯柱等阴极组件的设计与封接。测试结果表明，当六硼化镧阴极为4.5 mm×0.8 mm的平面发射体结构时，在阴极温度1500℃，阴阳极间距3.5 mm，阳极电压2500 V条件下，热发射电流达到65 mA，且发射稳定性良好。在120 kV阳极电压下，电子枪在X射线样管中的性能测试结果表明，样管具有良好的电压电流开关特性，验证了该电子枪用于X射线管的优越性。

关键词: X射线管 , 电子枪 , LaB6热阴极 , 发射性能 , 热发射电流

X射线源的静电自会聚电子枪的计算机模拟

于海波 , 林祖伦 , 祁康成 , 曹贵川 , 王小菊

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.32.S1.43

高功率、大电流密度、细聚焦X射线源在工业无损探伤、医学成像、安全技术等领域具有广泛的应用。本文设计了一种用于X射线管的静电自会聚电子枪，该电子枪包括三部分：LaB6热阴极发射体、带有矩形孔和斜槽的聚焦极、阳极。采用EBS粒子束模拟软件对该电子枪的结构进行了模拟仿真。仿真结果表明：电子枪的聚焦能力主要取决于聚焦极倾角，当聚焦极倾角为46°时，达到理想的电子束聚焦效果；随着阴栅距的增加，阳极电流以及束斑电流分布均匀性显著降低，当阴栅距为0.3 mm，可在工艺条件允许下，得到具有较大阳极电流以及理想电流分布的电子束。

关键词: X射线源 , 电子枪 , LaB6热阴极 , 电子束斑 , 电流

多晶硅薄膜的工艺研究

王军 , 祁康成 , 成建波

材料热处理学报 doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2004.04.002

研究了制备性能优良非晶硅薄膜的工艺参数,对薄膜进行高温退火得到多晶硅薄膜.用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)观察薄膜的结晶情况以及晶粒的大小.结果表明:退火温度越高,退火时间越长,得到多晶硅薄膜的比例越高,晶粒也相对较大;薄膜在(111)方向上优先结晶,晶粒大小可以达到1μm,与理论值做了比较.

关键词: 多晶硅 , 薄膜 , 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) , 退火

高介电常数栅极电介质材料的研究进展

张化福 , 祁康成 , 吴健

材料导报

随着半导体技术的飞速发展,作为硅基集成电路核心器件的MOSFET的特征尺寸正以摩尔定律的速度缩小.然而,当传统栅介质层SiO2的厚度减小到原子尺寸时,由于量子隧穿效应的影响,SiO2将失去介电性能,致使器件无法正常工作.因此,必须寻找新的高介电常数材料来替代它.目前,高介电常数材料是微电子行业最热门的研究课题之一.主要介绍了栅介质层厚度减小所带来的问题(即研究高介电常数材料的必要性)、新型栅电介质材料的性能要求,并简要介绍和评述了近期主要高介电常数栅介质材料的研究状况及其应用前景.

关键词: 高介电常数 , 栅介质 , 等效氧化物厚度 , 退火

氮化硅薄膜的制备方法及主要应用

张化福 , 祁康成 , 吴健

材料导报

氮化硅薄膜具有优良的光电性能、绝缘耐压性能、机械性能以及钝化性能等,在光电子、微电子等大规模集成电路和半导体器件制造中有着广泛的应用.重点评述了制备氮化硅薄膜的几种常用方法,并介绍了氮化硅薄膜的主要性能及其应用.

关键词: 氮化硅薄膜 , 性能 , 应用 , 制备方法

祁雨沟金矿床J4角砾岩体地质特征及矿化富集规律

滑世权 , 沈子杰

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2012.03.005

祁雨沟金矿床为典型的角砾岩型金矿床,J4角砾岩体是祁雨沟金矿区最重要的角砾岩体之一.重点阐述了J4角砾岩体的地质特征,总结了矿化富集规律,为在河南省嵩县地区角砾岩型金矿床的找矿勘查工作提供了依据.

关键词: J4角砾岩体 , 地质特征 , 富集规律 , 祁雨沟金矿床

祁雨沟次火山斑岩型金矿床成矿系统分析及找矿意义

万利敏 , 陈冰丽

黄金 doi:10.11792/hj20170206

河南金源黄金矿业有限责任公司是建矿已近40年的老企业,保有储量持续下降,急需增加新的矿产资源.通过对祁雨沟金矿区成矿地质背景、矿床地质特征及成矿规律的深入研究,发现该矿区内的隐爆角砾岩型金矿体、石英脉型金矿体、花岗斑岩网脉型金矿体,均分布在一个成矿系统内,并以此建立祁雨沟次火山斑岩型金矿床成矿系统,应用该成矿系统指导找矿,取得了重大突破.

关键词: 次火山斑岩型金矿床 , 斑岩型金矿体 , 角砾岩型金矿体 , 石英脉型金矿体 , 成矿系统 , 祁雨沟金矿床