谭毅
,
廖娇
,
李佳艳
,
石爽
,
王清
,
游小刚
,
李鹏廷
,
姜辛
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2015.04.004
利用电子束熔炼技术制备Inconel 740合金,研究热处理状态下合金的组织演变过程与显微硬度的分布情况,分析热处理过程中合金相析出规律与相分布特点.结果表明:合金宏观组织良好,夹杂物含量较少,晶粒尺寸在2mm左右.标准热处理后的组织主要为奥氏体,并有大量孪晶,晶界上碳化物M23C6呈连续分布,同时也有G相和η相析出.晶内析出大量球形、尺寸大小约为30nm的强化相γ'.电子束熔炼制备的Inconel 740合金在标准热处理状态下的显微硬度明显高于传统方法制备的同种合金,约高120HV0.1.
关键词:
电子束熔炼
,
Inconel 740合金
,
组织
,
显微硬度
游小刚
,
谭毅
,
魏鑫
,
李佳艳
,
石爽
材料热处理学报
利用电子束熔炼技术制备了镍基740高温合金,用扫描电镜、透射电镜、X射线衍射仪和维氏硬度计对740合金显微组织与硬度进行了表征,研究了固溶温度与时间对740合金显微组织与硬度的影响.结果表明,当固溶温度低于1210℃时,随着固溶温度的增加,TiNiSi相逐渐固溶到基体中.在1210℃进行固溶,随着固溶时间的增加,基体中一次MC碳化物尺寸减小.当固溶温度为1220℃时,长时间的固溶处理导致M23C6碳化物的分解,时效后晶界的G相由筏化的γ'相转变而来.1210℃与1220℃固溶处理2h后时效处理得到的二次相平均尺寸均小于30 nm,其体积分数均为40％左右.在1230℃固溶将会导致固溶微孔的形成.740合金的维氏硬度值随固溶时间的增加变化不大,时效后合金的硬度显著增加,其值由位错之间以及位错与二次相的相互作用决定.
关键词:
固溶处理
,
电子束熔炼
,
高温合金
,
γ'相
谭毅
,
郭校亮
,
石爽
,
董伟
,
姜大川
,
李佳艳
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2013.03.017
冶金法是我国走出硅原料依赖,发展低成本、环境友好的太阳能级多晶硅制备技术的必经之路,冶金法自诞生以来在世界范围内经历了三次研究高潮,第三次正是在以我国科研和产业工作者为主导和推动下发展的,并形成了大量有益的科学结论和实践经验.本文从冶金法的界定开始,详细分析了冶金法提纯的理论基础,饱和蒸汽压机理、偏析机理和氧化性差异机理,介绍了以上机理所衍生出的技术方法及进展,并对冶金法的发展前景进行了展望.
关键词:
光伏产业
,
冶金法
,
提纯
,
太阳能级多晶硅
谭毅
,
王鹏
,
秦世强
,
姜大川
,
石爽
,
李鹏廷
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.021.003
在多晶硅铸锭生产过程中不可避免地会引入碳、氮、氧杂质元素,这些杂质会形成沉淀、复合体等缺陷,成为少数载流子的复合中心,缩短硅的少子寿命,从而降低硅片的太阳能转换效率.因此控制和降低铸锭中这3种杂质元素的含量对提高铸锭的性能和降低生产成本具有重要意义.阐述了碳、氮、氧元素的来源、分布,着重综述了铸锭中3种杂质元素的存在形态及不同形态对铸锭的影响,总结了降低3种杂质元素含量的方法,指出了目前研究的问题,并对铸锭中这3种杂质元素的研究趋势进行了展望.
关键词:
多晶硅铸锭
,
性能
,
杂质
,
形貌
,
控制
关瑾
,
杨晶
,
毕玉金
,
石爽
,
李发美
色谱
doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2007.05.023
利用反相高效液相色谱法在大环抗生素类手性固定相万古霉素键合手性固定相(Chirobiotic V)上直接分离了泰妥拉唑对映体.考察了缓冲溶液的种类、浓度和pH值,有机改性剂的种类和浓度,柱长和柱温等对手性分离的影响.优化后的色谱条件为:Chirobiotic V色谱柱(150 mm×4.6 mm,5 μm),流动相为0.02 mol/L 醋酸铵缓冲液(pH 6.0)-四氢呋喃(体积比为93:7),流速为0.5 mL/min,柱温为20 ℃,检测波长为306 nm.在此条件下泰妥拉唑对映体达到了基线分离,分离度达1.68;对映体保留时间的相对标准偏差分别为0.48%和0.49% (n=6),峰面积的相对标准偏差分别为0.45%和0.55% (n=6).所建立的手性分离方法具有简便快速及重复性好等优点.
关键词:
高效液相色谱
,
手性固定相
,
手性分离
,
泰妥拉唑对映体
谭毅
,
秦世强
,
石爽
,
姜大川
,
李鹏廷
,
李佳艳
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2015.000700
C,N,O等轻质元素的存在对太阳能级晶体硅材料的性能有着广泛影响,而硅材料作为太阳能电池的主要原材料,其纯度对电池的电学性能有着决定性作用.本文总结了晶体硅中C,N,O元素的存在形态、分布规律、形成机制及工艺控制等的研究进展,并对未来硅中轻质元素的研究进行了展望,使用各种提纯工艺的优势交叉互补来控制及去除硅中的杂质值得研究及关注,对硅中C,N,O元素的交互作用的深入研究也将会对硅材料质量的提高有着积极作用.
关键词:
轻质元素
,
太阳能级硅
,
杂质
谭毅
,
石爽
,
姜大川
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140664
电子束熔炼具有高能量密度、高真空度等优点，能够有效地去除硅中的挥发性杂质，使其在制备太阳能级多晶硅材料方面具有巨大的优势和广阔的应用前景，目前已经实现了产业化应用，成为冶金法制备太阳能级硅材料的关键环节之一。本文在阐述挥发性杂质去除的热力学原理的基础上，对其去除效果和去除机制进行了总结。同时，针对电子束熔炼技术目前存在的问题，结合作者在这些方面的探索，从数值模拟、节能型熔炼方式以及与定向凝固技术的耦合等角度对现阶段的研究重点进行了综述，并对其未来的发展趋势进行了展望。
关键词:
电子束熔炼
,
多晶硅
,
挥发性杂质
,
综述
青双桂
,
白蕊
,
周福龙
,
姬亚宁
,
白小庆
,
马纪翔
绝缘材料
doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2017.06.004
采用SiO2与聚酰胺酸复合,制备了具有爽滑性的聚酰亚胺(PI)薄膜,对薄膜的拉伸强度、断裂伸长率、动摩擦因数等性能进行测试分析,并采用SEM、TMA和TGA对薄膜进行表征.结果表明:未添加SiO2的PI薄膜表面光滑,动摩擦因数为0.568,薄膜卷起后无爽滑性,容易产生粘连.加入SiO2后,SiO2可在PI薄膜表面形成弧形凸起,使动摩擦因数下降,爽滑性提高.当加入平均粒径为1.5μm、质量分数为0.1%~0.8%的SiO2粒子时,随着SiO2质量分数的增加,PI薄膜的拉伸强度和断裂伸长率不断增大,热膨胀系数缓慢降低,耐热性增加,动摩擦因数为0.423~0.377,可避免PI薄膜在生产应用过程中出现粘连问题.
关键词:
SiO2
,
抗粘连
,
爽滑
,
聚酰亚胺薄膜
