朱佳
,
黄剑锋
,
曹丽云
,
王雅琴
,
吴建鹏
,
弭群
,
王妮娜
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2012.2.014
以硼酸三正丁酯、乙酸、B2O3粉体为原料,无水乙醇为溶剂,采用一种新颖的溶胶/凝胶结合溶剂热法对C/C复合材料基体进行了抗氧化改性.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)及X射线光电子能谱(XPS)对改性后试样进行了表征.重点研究了溶剂热反应温度对改性后试样的物相组成、微观结构和氧化性能的影响.结果表明:经过溶剂热改性处理后,C/C复合材料表面缺陷被玻璃相B2O3组成的涂层所覆盖,材料内部一部分孔隙也被B2O3相填充,且随着溶剂热温度的上升,试样表面的微裂纹逐渐消失,B2O3涂层的致密度上升；C/C基体的抗氧化性能随着溶剂热改性温度(范围353～433 K)的升高而提高；经433 K溶剂热改性后的C/C复合材料在873 K的空气中氧化16 h后的质量损失仅为4.09％.
关键词:
C/C复合材料
,
氧化
,
基体改性
,
溶剂热法
王雅琴
,
黄剑锋
,
曹丽云
,
吴建鹏
功能材料
采用水热电泳沉积法在C/C-SiC复合材料表面制备了不同相组成的硅酸钇复合抗氧化外涂层.采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对涂层的相组成和显微结构进行了表征.研究了不同相组成对硅酸钇涂层的显微结构和抗氧化性能的影响.结果表明,Y_2SiO_5和Y_2Si_2O_7两相配比对涂层的显微结构和抗氧化性能有较大的影响.随着复合涂层中Y_2Si_2O_7含量的增加,复合硅酸钇外涂层的热膨胀系数逐渐接近于SiC内涂层的热膨胀系数.当组成达到m(Y_2SiO_5)/m(Y_2Si_2O_7)=3:7时,内外涂层的热膨胀系数最为接近,从而得到均匀、致密、无显微裂纹、抗氧化性能优异的复合硅酸钇涂层.该涂层在1773K静态空气中,经过氧化100h后,失重仅为1.2%;继续增加Y_2Si_2O_7含量,内外涂层的热膨胀系数差异逐渐增大,涂层再次出现裂纹,抗氧化性能随之下降.
关键词:
相组成
,
C/C复合材料
,
硅酸钇涂层
朱佳
,
黄剑锋
,
曹丽云
,
王雅琴
,
吴建鹏
功能材料
采用溶胶-凝胶结合溶剂热浸渍法,利用硼溶胶和B2O3微粉对炭/炭（C/C）复合材料进行基体和表面改性。通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）等测试手段对改性后C/C复合材料的物相组成和显微结构进行表征。重点研究了溶剂热处理时间对改性后C/C复合材料的物相组成、显微结构及抗氧化性能的影响。结果表明经过溶剂热改性处理后,C/C复合材料的表面缺陷被B2O3保护层所覆盖,同时基体内部缺陷也被B2O3所填充。延长溶剂热改性时间,B2O3覆盖层的平滑度和致密度不断上升,C/C复合材料的抗氧化性能不断提高。经48h溶剂热改性后的C/C复合材料在静态空气中600℃恒温氧化17h后的质量损失仅为2.13%。
关键词:
C/C复合材料
,
氧化
,
溶剂热法
,
浸渍改性
,
性能
王雅琴
,
黄剑锋
,
曹丽云
,
吴建鹏
硅酸盐通报
采用水热电泳沉积法在C/C-SiC复合材料表面制备了硅酸钇抗氧化外涂层.研究了沉积电流密度和低温热处理对硅酸钇涂层的影响.采用X-射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对涂层的相组成和显微结构进行了表征.结果表明:采用声化学法制备的硅酸钇微晶颗粒尺寸为25～40nm.随着沉积电流密度增加,硅酸钇涂层均匀性、致密性先逐渐增加后降低.当电流密度超过0.04 A/cm2时会导致涂层表面开裂.进行低温热处理,涂层表面硅酸钇纳米晶出现熔融现象;随热处理温度增加,涂层表面呈现玻璃化趋势.当热处理温度达1200℃时,表面完全熔融,形成致密的硅酸钇玻璃层.涂层在1500℃静态空气中,经过氧化10 h后,失重仍然小于2%.
关键词:
水热电泳沉积
,
C/C复合材料
,
硅酸钇涂层
吴江
,
刘浙
,
叶旭初
,
王雅琴
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2000.05.010
以气固多相旋转射流的偏微分方程组为基础,针对采用k-ε双方程湍流模型模拟旋转湍流场尚存的不足,本文通过对湍流耗散率方程修正的方法,数值模拟研究了气相湍流场、颗粒运动轨迹和轴向速度分布规律,开发研制出相应的通用计算软件,其预测结果与LDV实测值吻合较好.
关键词:
气固多相流
,
旋转射流
,
数值模拟
王雅琴
,
黄剑锋
,
曹丽云
,
吴建鹏
材料导报
采用水热电泳沉积法在SiC-C/C复合材料SiC内涂层表面制备了硅酸钇抗氧化外涂层,并借助X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对涂层的相组成及显微结构进行了表征.讨论了沉积电压对硅酸钇涂层沉积量及显微结构的影响,并研究了不同沉积电压下涂层沉积量与时间的关系,同时测试了涂层试样的抗氧化性能.研究结果表明,随着沉积电压的升高,涂层的沉积量有所增加,涂层的致密性和均匀性也逐渐得到改善.当电压为210V时达到最佳,继续升高沉积电压,涂层的均匀性变差,当沉积电压为240V时,涂层出现明显开裂;不同沉积电压下涂层沉积量随时间呈抛物线变化;涂层在1500℃静态空气中经过10h氧化后,失重仍然小于2%.
关键词:
水热电泳沉积
,
C/C复合材料
,
硅酸钇涂层
,
沉积电压
唐武
,
王雅琴
,
刘结
,
张兰
稀有金属材料与工程
通过RF磁控溅射技术制备不同溅射气压下的ITO薄膜,对其电阻率、光学透过率、XRD图、AFM图和划擦行为进行了研究.薄膜和基板的附着力通过划擦测试进行表征,重点研究了薄膜划擦测试的不同阶段的特征.研究表明随着Ar溅射气压的下降,薄膜附着力下降.而且,ITO薄膜的表面形貌和电阻率强烈的依赖于Ar气压.低温沉积ITO薄膜均为非晶态,在溅射气压0.8 Pa时得到电阻率(1.25×10-3Ω.cm)和高可见光透过率薄膜(90％).研究结果表明该薄膜光学禁带约为3.85 eV,电阻率主要受载流子浓度控制,受溅射气压的变化影响有限.
关键词:
ITO
,
划擦测试
,
电阻率
王雅琴
,
黄剑锋
,
曹丽云
,
吴建鹏
复合材料学报
采用水热电泳沉积法在C/C-SiC复合材料表面制备了Y_2Si_2P_7晶须增强MoSi_2复合抗氧化外涂层.采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对涂层的相组成和显微结构进行了表征.研究了Y_2Si_2O_7晶须对复合涂层显微结构和抗氧化性能的影响.结果表明:Y_2Si_2O_7晶须对复合涂层的显微结构和抗氧化性能有较大的影响.与MoSi_2/SiC涂层相比,Y_2Si_2O_7-MoSi_2/SiC复合涂层均匀、致密,无显微裂纹.在静态空气氧化过程中,Y_2Si_2O_7晶须有效阻止了外涂层的开裂,提高了涂层的抗氧化性能.该复合涂层试样在1773 K下氧化100 h,失重仅为0.73%,相应的失重速率仅为1.48×10~(-5)g·cm~(-2)·h~(-1).
关键词:
C/C复合材料
,
Y_2Si_2O_7晶须
,
MoSi_2涂层
,
氧化
李国辉
,
雷云逸
,
徐得名
,
周世平
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.01.010
解析设计控制器,通过配置相应的李雅谱诺夫指数,使统一混沌系统趋于预期点.由于受控后系统李雅谱诺夫指数具有先知性,因此,我们可以根据需要改变李雅谱诺夫指数的大小来控制系统收敛速度.设计还表明,受控的统一混沌系统的收敛情况与参数无关.
关键词:
量子光学
,
统一混沌系统
,
李雅谱诺夫指数
,
控制混沌
,
Jacobi矩阵
