刘卫丽
,
多新中
,
张苗
,
沈勤我
,
王连卫
,
林成鲁
,
朱剑豪
功能材料
采用超高真空电子束蒸发的方法在用阳极氧化制备的多孔硅衬底上外延单晶硅,研究了不同多孔硅衬底对外延质量的影响.采用高能电子衍射表征外延层的晶体结构,截面透射电镜表征材料的微结构,原子力显微镜表征外延层表面的粗糙度,卢瑟福背散射/沟道表征外延层晶体质量,扩展电阻表征材料的电学性能.一系列的测试结果表明对于在5mA/cm2电流密度下阳极氧化10min形成的多孔硅衬底,可用超高真空电子束蒸发的方法外延出质量良好的单晶硅.
关键词:
多孔硅
,
超高真空电子束蒸发
,
外延
,
单晶硅
范秀强
,
张正番
,
刘永光
,
多新中
,
张苗
,
王连卫
,
林成鲁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.012
介绍一种SOI/CMOS数模转换器的设计和工艺.电路采用了SOI(SiliconOnInsulator)材料代替常规的体硅,使电路具有高速、抗辐照的特点;同时,电路采用独特分段结构和3-7温度编码电路,降低了对R-2R电阻网络的精度要求,提高了转换精度.
关键词:
数模转换器
,
SOI/CMOS
,
高速度
,
模拟开关
胡文迪
,
徐少辉
,
梁赪
,
许春芳
,
王连卫
功能材料与器件学报
采用扫描电子显微镜(SEM)、循环伏安法、充放电实验,研究了不同修饰工艺获得的石墨/碳纳米管CNT电极的表面形貌和电化学特性,并尝试应用于锌溴电池.研究结果表明:采用碳纳米管修饰石墨电极能明显改善石墨电化学活性、并提高锌溴电池充电电流大小及电池容量.
关键词:
碳纳米管
,
锌溴电池
,
石墨电极
岳鹏
,
郑正奇
,
张洁
,
王连卫
,
孙大志
,
张兰兰
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.016
PZT材料具有高的介电常数,而PVDF有良好的柔韧性,采用化学溶解、旋涂成膜,并通过多层薄膜热压方法制备一定厚度的柔性PZT/PVDF复合材料.对其介电常数和介电损耗进行测量,并进行分析比较.由于复合材料具备高介电常数、低损耗和柔性的特点,可实现微带天线的小型化设计.
关键词:
PZT/PVDF复合材料
,
热压工艺
,
介电性能测量
,
小型化微带天线
刘卫丽
,
多新中
,
张苗
,
沈勤我
,
王连卫
,
林成鲁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.04.006
用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了 SOI材料 , 卢瑟福背散射 /沟道谱 (RBS/C)和扩展电阻 (SPR)的结果表明获得的 SOI材料上层硅具有很好的单晶质量 , 电阻率分布均匀 , 上层硅与氧化硅埋层界面陡直 . 对制备多孔硅的衬底材料也作了研究 , 结果表明 P型重掺杂的硅衬底在暗场下阳极氧化后仍保持很好的单晶性能 , 用超高真空电子束蒸发方法能外延出质量很好的单晶硅 , 并且 , 在一定浓度的 HF/H2O2溶液中具有较高的腐蚀选择率 , 保证了上层硅厚度的均匀性 .
关键词:
绝缘体上的硅
,
多孔硅
,
外延
万青
,
王连卫
,
邢朔
,
章宁琳
,
沈勤我
,
林成鲁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.008
为实现PZT铁电薄膜与半导体衬底的直接集成引入Al2O3为过渡层,首先用真空电子束蒸发法在Si(100)、多晶金刚石(111)衬底上生长约20nm厚的Al2O3过渡层,接着在上述衬底上采用脉冲激光淀积(PLD)法淀积PZT薄膜,衬底温度为350-550oC.X光电子能谱(XPS)测试表明,在高真空下,电子束蒸发Al2O3固态源能获得化学配比接近蒸发源的Al2O3薄膜.X射线衍射(XRD)测试说明,不论衬底是硅还是多晶金刚石,当衬底温度为550oC时,PZT在Al2O3过渡层上呈现(222)取向的焦绿石相结构.当衬底是金刚石时,通过如下工艺:(1)较低温度(350oC)淀积;(2)空气氛围650oC快速退火5min,可以在Al2O3过渡层上获得高度(101)取向的钙钛矿结构的铁电相PZT薄膜.最后AFM测试显示,在硅衬底上,PZT薄膜的表面均方根粗糙度为9.78nm;而在多晶金刚石衬底上,PZT薄膜的表面均方根粗糙度为17.2nm.
关键词:
Al2O3
,
过渡层
,
PZT
,
PLD
刘彦松
,
王连卫
,
李伟群
,
黄继颇
,
林成鲁
功能材料
采用脉冲激光淀积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上淀积了ZnO薄膜.XRD、TEM和AFM分析表明,淀积的ZnO薄膜具有良好的c轴取向性和表面平整度.通过改变淀积气氛或在纯氧中高温退火,ZnO薄膜的电阻率提高到107Ω@cm.这些结果表明,用PLD法淀积的ZnO薄膜能够满足声表面波(SAW)器件的需要.
关键词:
脉冲激光淀积
,
氧化锌
,
压电性
,
声表面波
徐冰茹
,
徐少辉
,
王连卫
人工晶体学报
多孔硅的力学性质随多孔度有较大变化,因此可以用多孔硅材料来构建声子晶体结构.本文将在理论上讨论一维多孔硅声子晶体的带隙,设计出宽禁带声子晶体结构,分析其相关的物理特性.计算结果表明薄的高孔度插入层将获得宽的带隙,而声子晶体异质结能够获得更宽带隙.
关键词:
多孔硅
,
声子晶体
,
带隙
田菲
,
袁丁
,
王连卫
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.05.012
本文研究了自分离硅微通道(self lift-off silicon microchannels)的氧化问题.自分离是在特定的实验条件下,在完成电化学刻蚀后,硅微通道可以自动和衬底分离的一种新技术.研究发现,在使用传统的干氧-湿氧-干氧氧化化过程中,硅微通道出现了弯曲变形的现象.微通道越薄,其形变越大.通过使用较厚的硅微通道以及在干-湿-干氧化过程之前增加了干氧,以及先进行激光切割的步骤,改善和基本消除了弯曲变形的现象.
关键词:
自分离硅微通道
,
弯曲变形
,
氧化
