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轧制纳米块体304不锈钢腐蚀行为的研究 II 钝化膜保护性能研究

李楠 , 李瑛 , , 福会 , 龙康

中国腐蚀与防护学报

采用动电位极化曲线和Mott-Schottky分析等电化学测试手段,探讨了轧制纳米块体304不锈钢与普通304不锈钢在钝化膜的保护性能;运用点缺陷(PDM)模型, 分析了不同电位下在本文运用PDM模型,0.05 mol / L H2SO4 + 0.25 mol / L Na2SO4溶液中两种材料形成钝化膜的半导体性质,阐述了导致两种钝化膜保护性能差异的根本原因。结果表明:两 种材料表面钝化膜都具有n型半导体特征,氧空穴作为主要的载流子参与钝化膜形成和溶解过程;钝化膜中载流子密度与钝化膜的形成电位之间满足幂指数关系,载流子在两种材料表面的钝化膜中的扩散系数非常有接近,说明两种钝化膜遵从相似的形成和溶解机制,但轧制纳米块体304不锈钢中的载流子密度小于普通304不锈钢钝化膜中的载流子密度,从而使其钝化膜具有更好的保护性。

关键词: 纳米块体304不锈钢 , passive film , oxygen vacancy , PDM

块体纳米晶工业纯铁在室温硫酸溶液中的腐蚀电化学行为

沈长斌 , , 龙康 , 杨怀玉 , 福会

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2005.04.015

通过动电位极化曲线、电化学阻抗谱(EIS)试验,研究了块体纳米工业纯铁(BNIPI)和粗晶工业纯铁棒(CGIPIR)在室温0.05 mol/L H2SO4+0.25 mol/L Na2SO4溶液中的腐蚀行为,用SEM对极化测试后的试样形貌进行了观察.结果表明:BNIPI与CGPIR相比,平均腐蚀速度和腐蚀电流密度Ic较小,极化电阻Rp较大,抗氧化性酸的腐蚀能力有所增强.两种试样表面形貌有明显差别,粗晶试样的晶界明显外露.纳米试样各向同性对其抗腐蚀性能的提高有很大帮助.

关键词: 腐蚀 , 块体纳米材料 , 硫酸溶液

轧制纳米块体304不锈钢腐蚀行为的研究 I. 钝化膜耐氯离子侵蚀能力

李楠 , 李瑛 , , 福会 , 龙康

中国腐蚀与防护学报

用深度轧制方法获得了块体纳米304不锈钢材料.通过动电位极化曲线和Mott-Schottky分析等电化学测试手段,探讨了轧制纳米块体304不锈钢与普通304不锈钢(304ss)在005 mol / L H2SO4+005 mol/L NaCl溶液中钝化膜的耐Cl-侵蚀性能.研究表明,深度轧制使304不锈钢组织内部形成高密度纳米尺度孪晶;纳米化表面可以形成致密的钝化膜,使其耐Cl-侵蚀能力提高.对钝化膜半导体性能分析结果表明,轧制纳米块体不锈钢钝化膜中的载流子密度有所下降,这在一定程度上抑制了钝化膜的电化学反应历程,从而进一步提高了钝化膜的化学稳定性.〖JP〗

关键词: 纳米块体304不锈钢 , passive film , semi-conductor manner , chloride ion attack

深度轧制技术制备的纳米晶金属板材腐蚀性能研究进展

, 孙淼 , 龙康 , 张志东

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.03.014

概述了目前已提出的几种纳米晶金属材料制备技术和不同纳米晶金属材料腐蚀研究进展。介绍了深度轧制技术制备纳米晶金属板材,阐述了该技术制备的纳米晶金属板材(工业纯铁、304不锈钢和工业纯铝)腐蚀性能研究进展。与相应的普通金属材料相比,深度轧制技术制备的这三种纳米晶金属材料在不同腐蚀环境(溶液、熔盐和高温气体)中耐腐蚀性能(局部腐蚀和均匀腐蚀)提高。大量纳米晶及其相应普通金属材料的腐蚀实验结果表明,传统的材料微观结构参量(成分及其分布、晶粒尺寸、位错密度和残余应力等)不是腐蚀性能的本征参量。提出了从金属材料价电子结构和氧化膜电子结构角度理解金属材料腐蚀性能及其相关腐蚀机理,并在现有工作基础上提出金属材料电化学腐蚀本征参量的概念。

关键词: 深度轧制技术 , 纳米晶金属板材 , 电化学腐蚀 , 价电子结构 , 氧化膜电子结构

轧制纳米块体304不锈钢腐蚀行为的研究Ⅱ钝化膜保护性能

李楠 , 李瑛 , , 福会

中国腐蚀与防护学报 doi:10.3969/j.issn.1005-4537.2007.03.004

采用动电位极化曲线和Mott-Schottky分析等电化学测试手段,探讨了轧制纳米块体304不锈钢与普通304不锈钢在0.05mol/L H2SO4+0.05mol/L Na2SO4溶液中钝化膜的保护性能;运用点缺陷(PDM)模型,分析了不同电位下在0.05mol/L H2SO4+0.25mol/L Na2SO4溶液中两种材料形成钝化膜的半导体性质,阐述了导致两种钝化膜保护性能差异的根本原因.结果表明:两种材料表面钝化膜都具有n型半导体特征,氧空穴作为主要的载流子参与钝化膜的形成和溶解过程;钝化膜中载流子密度与钝化膜的形成电位之间满足幂指数关系,载流子在两种材料表面的钝化膜中的扩散系数非常接近,说明两种钝化膜遵从相似的形成和溶解机制,但轧制纳米块体304不锈钢中的载流子密度小于普通304不锈钢钝化膜中的载流子密度,从而使其钝化膜具有更好的保护性.

关键词: 纳米块体304不锈钢 , 钝化膜 , 氧空位 , 点缺陷模型 , Mott-Schottky分析

块体纳米晶工业纯铁在盐酸溶液中的电化学腐蚀行为

沈长斌 , , 龙康 , 杨怀玉 , 福会

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2006.03.026

通过静态失重试验,动电位极化曲线,电化学阻抗谱(EIS)实验,研究了块体纳米工业纯铁(BNIPI)和粗晶工业纯铁棒(CGPIR)在室温1mol/l盐酸溶液中的腐蚀行为.结果表明,BNIPI与CGPIR相比,开路腐蚀电位Ecorr正向移动114mV,平均腐蚀速度和腐蚀电流Icorr变小,极化电阻Rp增大为1.58倍.BNIPI抗盐酸的腐蚀能力与CGPIR相比,不但没有下降,相反有所增强.使用扫描电子显微镜(SEM)对静态腐蚀失重试样的形貌进行了观察,显示BNIPI上几乎没有点蚀坑出现.

关键词: 腐蚀 , 块体纳米工业纯铁 , 深度轧制 , 盐酸溶液

稀硫酸中丙烯基硫脲对纳米工业纯铁腐蚀作用

沈长斌 , 杨怀玉 , , 龙康 , 福会

中国腐蚀与防护学报

在室温0.1 mol/L H2SO4+0.25 mol/L Na2SO4 溶液中,研究了添加不同浓度丙烯基硫脲(ATU)对块体纳米晶工业纯铁(BNII)(通过严重塑性变形获得)和普通工业纯铁(CPII)电化学腐蚀行为的影响。当浸泡5 min后, CPII 的 Nyquist谱图上出现感抗弧,而BNII的Nyquist谱图为单阻抗谱。随着时间延长至2 h,BNII的Nyquist 谱图上出现两个时间常数;CPII的阻抗复平面上出现一圆心下偏的单阻抗谱。

关键词: 块体纳米晶工业纯铁(BNII) , allyl-thiourea (ATU) , acidic sulphate solution

在稀硫酸中添加硫脲对块体纳米晶纯铁腐蚀行为的影响

沈长斌 , 杨怀玉 , , 龙康 , 福会

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.06.010

研究了在稀硫酸溶液中添加硫脲(TU)对块体纳米晶工业纯铁(BNII)室温电化学腐蚀行为的影响,并与普通工业纯铁(CPII)的室温电化学腐蚀行为进行了比较.结果表明:将CPII在添加TU的稀硫酸溶液中浸泡5 min,其电化学阻抗(EIS)谱图中出现感抗弧.随着浸泡时间的延长,CPII的EIS谱图表现为一非圆心下偏的半圆;而在相同的条件下,BNII的EIS谱图表现为两个时间常数的容抗弧,表明硫脲对其腐蚀行为有促进作用.动电位极化(PDP)测试结果表明,两种材料的样品均出现阳极脱附现象.

关键词: 材料失效与保护 , 块体纳米晶工业纯铁(BNII) , 硫脲(TU) , 脱附现象

块体纳米晶工业纯铁在0.4 mol/LHCl溶液中的电化学腐蚀行为

孙淼 , 张艳 ,

腐蚀学报(英文)

借助动电位极化和电化学阻抗谱(EIS)测量, 研究块体纳米晶工业纯铁(BNII) 和粗晶工业纯铁(CPII)在室温0.4 mol/L HCl溶液中的电化学腐蚀行为; 用扫描电子显微镜(SEM)观察腐蚀后的表面形貌. 结果表明, 与CPII相比, BNII的自腐蚀电位Ecorr正向移动43 mV, 自腐蚀电流Icorr由68.37 μA•cm-2减小为29.55 μA•cm-2; 电荷转移电阻Rt由427.0 Ω•cm2增大到890.1 Ω•cm2. 两种材料发生的点蚀呈不同的形态: BNII的点蚀孔小而浅, 腐蚀深度比较均匀, 而CPII的腐蚀表面形成的点蚀孔深且孔径较大. 与CPII相比, BNII在HCl溶液中的耐腐蚀性能明显提高.

关键词: 块体纳米晶工业纯铁(BNII) , severe rolling , hydrochloric acid solution , corrosion

块体纳米晶工业纯铁在0.4mol/LHCl溶液中的电化学腐蚀行为

孙淼 , 张艳 ,

腐蚀学报(英文)

借助动电位极化和电化学阻抗谱(EIS)测量,研究块体纳米晶工业纯铁(BNII)和粗晶工业纯铁(CPII)在室温0.4mol/LHCl溶液中的电化学腐蚀行为;用扫描电子显微镜(SEM)观察腐蚀后的表面形貌.结果表明,与CPII相比,BNII的自腐蚀电位Ecorr正向移动43mV,自腐蚀电流Icorr由68.37pA·cm^-2减小为29.55pA·cm^-2;电荷转移电阻Rt由427.0Q·cm^2增大到890.1Q·cm^-2两种材料发生的点蚀呈不同的形态:BNII的点蚀Ykd,而浅,腐蚀深度比较均匀,而CPII的腐蚀表面形成的点蚀孔深且孔径较大.与CPII相比,BNII在HCl溶液中的耐腐蚀性能明显提高.

关键词: 块体纳米晶工业纯铁(BNII) , 深度轧制 , 盐酸溶液 , 腐蚀

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