赵丽伟
,
刘彩池
,
滕晓云
,
朱军山
,
郝秋艳
,
孙世龙
,
王海云
,
徐岳生
,
胡家辉
,
冯玉春
,
郭宝平
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.019
本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相互作用而终止于GaN体内.观察缺陷腐蚀形貌还发现,接近裂纹处腐蚀坑的密度要高于远离裂纹处腐蚀坑的密度,围绕裂纹有许多由裂纹引起的位错.腐蚀坑的密度可以很好地反映GaN晶体的质量.晶体质量较差的GaN片,腐蚀后其六角腐蚀坑的密度高.
关键词:
GaN
,
湿法腐蚀
,
六角腐蚀坑
,
SEM
厉建峥
,
刘胜利
,
王海云
,
李根
,
池庆贞
,
苏丹丹
,
李永涛
,
张红光
,
程杰
材料导报
采用传统固相反应法,成功制备了Sr2IrO化合物,并用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对所制备的样品进行了表征.通过改变煅烧时间和煅烧温度探索了Sr2IrO4化合物的最优制备工艺.XRD和SEM分析表明,在最优制备工艺下得到具有结晶度高、颗粒形状规则、大小分布均匀的纯相Sr2IrO4样品.
关键词:
固相反应法
,
X射线衍射
,
扫描电子显微镜
,
制备工艺
徐岳生
,
杨新荣
,
郭华锋
,
唐蕾
,
刘彩池
,
王海云
,
魏欣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.026
通过化学腐蚀(AB腐蚀液)、金相显微镜观察、透射电镜(TEM)及能谱分析(EDX),对LEC法生产的半绝缘砷化镓( SI-GaAs)单晶中碳的微区分布进行了分析.其结果表明: 碳的微区分布与晶片中位错密度及分布存在对应关系.高密度位错区位错形成胞状结构,该结构的胞壁区碳含量高,近胞壁区次之,剥光区碳含量低于检测限.
关键词:
SI-GaAs
,
位错
,
碳含量
,
能谱分析
王海云
,
张春玲
,
唐蕾
,
刘彩池
,
申玉田
,
徐岳生
,
覃道志
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.027
砷化镓(GaAs)为第二代半导体材料,GaAs衬底质量直接影响器件性能.利用JEM-2002透射电子显微镜(TEM)及其主要附件X射线能量散射谱仪(EDXA),对半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中微缺陷进行了研究.发现SI-GaAs单晶中的微缺陷包含有富镓沉淀、富砷沉淀、砷沉淀、 GaAs多晶颗粒和小位错回线等.还分析了微缺陷的形成机制.
关键词:
SI-GaAs
,
微缺陷
,
小位错回线
,
沉淀成核中心
徐岳生
,
付生辉
,
刘彩池
,
王海云
,
魏欣
,
郝景臣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.025
用AB腐蚀液对SI-GaAs晶片进行AB微缺陷显示 (AB微缺陷密度AB-EPD: 103～104 cm-2量级) ,用KOH腐蚀液显示位错(位错密度EPD: 104 cm-2量级),发现衬底上的位错对器件跨导没有明显的影响,而用AB腐蚀液显示的AB微缺陷对器件性能及均匀性有明确的影响: 低AB-EPD的片子跨导大; 高AB-EPD的片子跨导小.AB-EPD有一临界值,当AB-EPD高于此值时,跨导陡然下降.另外,还利用扫描光致发光光谱(PL mapping) 对衬底进行了测量,得出了与上述结果相符的结果.
关键词:
LEC SI-GaAs
,
AB-EPD
,
跨导
,
衬底
,
位错
,
PLmapping
,
临界值
刘晨
,
刘胜利
,
王海云
,
程杰
,
李兴鳌
人工晶体学报
以硝酸铈(Ce(NO3)3·6H2O)水溶液为前驱溶液,采用自制超声喷雾热解装置在石英衬底上沉积制备CeO2薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外可见分光光度计等分析薄膜晶体结构、微观形貌及光学特性.结果表明,随着沉积温度升高,薄膜择优生长取向逐渐变为(200);当沉积温度为500℃时,薄膜具有良好的致密性;薄膜在可见光区表现出近85％的高透过率,同时发现随着沉积温度升高,薄膜透过率逐渐增大,光吸收逐渐由缺陷吸收转变为本征吸收.
关键词:
CeO2
,
择优生长取向
,
超声喷雾热解
,
透过率
孙卫忠
,
牛新环
,
王海云
,
刘彩池
,
徐岳生
稀有金属材料与工程
用化学腐蚀法、金相显微观察、透射电镜(TEM)、电子探针X射线微区分析(EPMA)和扫描电镜能谱分析(EDX)等手段,对φ76 mm非掺杂(ND)半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中微缺陷、碳的微区分布进行了分析.结果表明:在晶体周边区域,由高密度位错运动和反应形成胞状结构,该胞状结构的本质就是晶体结晶时形成的小角度晶界,且位错与微缺陷有强烈的相互作用:杂质碳在胞壁、近胞壁和完整区的含量依次降低,存在条纹分布.
关键词:
SI-GaAs
,
微缺陷
,
位错
,
AB腐蚀
,
杂质碳
黄兴友
,
胡汉峰
,
夏俊荣
,
卜令兵
,
张雪芬
,
雷勇
,
黄建松
,
王巍巍
,
吴迪
,
蒋昌华
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2013.01.013
为了比较几种自动化测云仪器的性能,中国气象局气象探测中心在南京信息工程大学的气象探测基地首次组织了一次为期近5个月的比对试验,试验仪器包括四台激光云高仪、两部红外测云仪、一台全天空成像仪以及一部毫米波云雷达.对其中大部分仪器取得的三个月云底高度数据进行了初步分析,结果表明:三台激光云高仪测量结果比较一致；两部红外测云仪在测量低云时一致性稍差；云雷达与激光云高仪测量的最低层云底高度数据一致性较差,但与红外测云仪的测量结果匹配较好.
关键词:
大气光学
,
云底高
,
激光云高仪
,
红外测云仪
,
云雷达
