康晓旭
,
林殷茵
,
汤庭鳌
,
钟宇
,
黄维宁
,
姜国宝
,
王晓光
功能材料
采用水基化学溶液涂布(water-based coating)的方法,在SiO2/Si上制备出了LaNiO3(LNO)导电金属氧化物薄膜.系统研究了退火温度、退火时间、厚度等工艺条件对LNO薄膜电学特性和结构的影响,并进一步分析了产生这些现象的原因.制备的LNO薄膜电阻率为1.77×10-3Ω@cm,且具有良好的形貌.以LNO为独立下电极,制备出了Au(Cr)/PZT/LNO/SiO2结构的铁电电容,通过其电滞回线和漏电特性的测试,可见制备的LNO薄膜可以很好地满足作为铁电电容电极的需要.
关键词:
LNO
,
氧化物电极
,
铁电体
王晓光
,
江月山
,
杨乃恒
,
袁磊
,
庞世道
材料研究学报
用XRD和STM研究了反应溅射沉积WOx薄膜在电致变色过程中的物相结晶性及表面形貌结果表明:着退色反应使非晶WOx薄膜向有序化方向转变,表现为薄膜非晶胞衍射特征减弱这种转化与薄膜着退色反应程度密切相关饱和着色态WOx膜层由平均晶粒尺寸为20nm的颗粒组成,且表面出现空洞疏松;而不饱和着色态WOx膜层由平均晶粒尺寸为110nm的团簇组成,表面形貌相对致密
关键词:
非晶WO_x
,
null
,
null
王晓光
,
何宇廷
,
张腾
,
冯宇
机械工程材料
以2024-T62铝合金锪窝铆接结构试样为对象,通过耐久性试验和断口分析,得到了试样的疲劳裂纹扩展数据；再采用传统的原始疲劳质量(IFQ)量化评估方法和裂纹超越数概率比较法对试样的IFQ进行对比评估,并用控制应力水平曲线进行了验证.结果表明:裂纹超越数概率比较法得到的IFQ评估曲线更准确,控制应力水平曲线验证了其准确性.
关键词:
耐久性
,
原始疲劳质量
,
当量初始缺陷尺寸
冯宇
,
何宇廷
,
邵青
,
丁华
,
焦胜博
,
王晓光
机械工程材料
对纤维增强树脂基复合材料加筋板进行了剪切试验,结合应变-剪切力曲线对加筋板的破坏形式以及屈曲特性进行了研究.结果表明:加筋板的破坏形式主要表现为筋条脱胶、断裂和蒙皮撕裂；蒙皮达到局部屈曲后,加筋板仍具有较大的后屈曲承载能力,其破坏载荷约为屈曲载荷的4.5倍.
关键词:
纤维增强树脂基复合材料
,
加筋板
,
剪切
,
承载能力
,
局部屈曲
,
后屈曲
王晓光
,
何宇廷
,
张海威
,
焦胜博
,
冯宇
,
康青山
腐蚀与防护
进行了两种温度三种应力水平下2A12-T4铝合金试样在EXCO溶液中不同浸泡时间的预应力腐蚀试验,而后进行疲劳试验至试件断裂.采用多元方差分析,确定了腐蚀温度、浸泡时间和应力水平是影响试件疲劳寿命的显著因素,三者的共同作用会加剧试样的腐蚀,降低试样的疲劳寿命.根据试验结果,采用回归算法,建立了以腐蚀温度、浸泡时间和应力水平三参数表征的剩余疲劳寿命计算模型,理论值与试验值对比,二者误差约为25％.通过扫描电镜观察,分析了腐蚀温度、浸泡时间和应力水平对试件微观损伤的机理.
关键词:
腐蚀温度
,
应力
,
疲劳寿命
,
2A12-T4铝合金
王晓光
,
张新夷
,
李忠瑞
,
钟文杰
,
贺博
,
韦世强
催化学报
采用XAFS,XRD和DTA方法研究了Ni-B和Ni-Ce-B超细非晶态合金在退火过程中的结构变化及其结构与催化性能的关系. 活性结果表明,在退火温度为623 K时,Ni-B和Ni-Ce-B样品的苯加氢催化反应转化率最高,分别为63%和81%, 0.3% Ce的掺入提高了Ni-Ce-B的催化活性. DTA结果表明,Ni-B超细非晶态合金在598和653 K有两个晶化峰,而Ni-Ce-B样品有5 48,603,696和801 K四个晶化峰. XAFS和XRD结果进一步说明,在573 K退火时,Ni-B样品晶化生成晶态Ni3B和纳米晶Ni,此时Ni-Ce-B仅有少量晶态Ni3B生成. 在673 K退火时, Ni -B样品中的Ni3B开始分解生成晶态Ni, 同时纳米晶Ni聚集并形成大颗粒晶态Ni, 而Ni-C e-B样品晶化生成晶态Ni3B和纳米晶Ni. 在773 K和更高的温度退火处理后,Ni-B样品中N i的局域环境结构与金属Ni箔基本一致,但Ni-Ce-B样品晶化生成的Ni晶格有较大畸变,同时Ni3B并未分解. 说明0.3%的Ce对提高Ni-Ce-B样品的稳定性有显著作用. 本文首次报道了Ni-B和Ni-Ce-B超细非晶态合金中苯加氢催化活性中心为纳米晶Ni和类似于金属Ni的 Ni-B非晶态合金.
关键词:
X射线吸收精细结构
,
X射线衍射
,
差热分析
,
镍
,
硼
,
铈
,
超细非晶态合金
,
苯
,
加氢
韦世强
,
王晓光
,
殷士龙
,
陈昌荣
,
刘文汉
,
张新夷
催化学报
采用X射线吸收精细结构(XAFS),X射线衍射(XRD)和差热分析(DTA)等方法研究了以化学还原法制备的NiB和NiP超细非晶态合金催化剂在退火过程中的结构变化.XRD结果表明,在300℃下退火时,NiB超细非晶态合金晶化生成纳米晶Ni3B亚稳物相,NiP超细非晶态合金则主要晶化生成金属Ni和部分晶态Ni3P的混合物相;在500℃退火且近于完全晶化的条件下,大部分超细非晶态合金都晶化为金属Ni.XAFS结果定量地说明,对于NiB和NiP初始样品,第一近邻Ni-Ni配位的平均键长Rj分别为0.274和0.271nm,其结构无序度σS很大,分别为0.033和0.028nm,其热无序度σT分别为0.0069和0.0060nm.300℃退火后,晶化生成的Ni3B的Ni-Ni配位的σS降低到初始样品的33%,仅为0.011nm.500℃退火后,NiB样品的结构参数与金属Ni基本一致,但NiP样品的Ni-Ni配位的σS还远大于σT,仍为0.0125nm,表明NiB和NiP超细非晶态合金的退火晶化行为有很大的差别.纳米晶Ni3B催化苯加氢反应的转化率比超细Ni-B非晶态合金或多晶金属Ni更高,表明纳米晶Ni3B中的Ni与B原子组成了苯加氢催化反应的活性中心.
关键词:
镍硼超细非晶态合金
,
镍磷超细非晶态合金
,
X射线吸收精细结构
,
X射线衍射
,
差热分析
吕毅军
,
高玉琳
,
郑健生
,
李志锋
,
蔡炜颖
,
王晓光
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.024
测量了室温下三元GaxIn1-xP (x=0.48)和四元(AlxGa1-x)0.51In0.49P (x=0.29)合金背散射配置下的喇曼光谱. 三元GaxIn1-xP的喇曼谱表现为双模形式, 在DALA带上叠加了FLA模, 在有序样品中观察到了类GaP的TO1模和类InP的TO2模, 类GaP的LO1模和类InP的LO2模的分裂, 表示有序度的b/a比从无序样品的0.40变化到有序样品的0.10, 有序样品b/a比的降低是由于TO1模和LO1模分裂的影响所造成的. 四元(AlxGa1-x)0.51In0.49P为三模形式, 观察到了双峰结构的FLA模, 由于Al组分的影响, 类GaP的LO模成了类InP的LO模的肩峰. 所有模式与经验公式吻合得很好.
关键词:
喇曼谱
,
有序化
,
Ⅲ-Ⅴ族半导体
