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纳米碳化硅表面修饰的工艺研究及结构表征

宿辉 , 刘辉 , 乔春玉 , 曹茂盛 , 原小寓 , , 崔旭光 , 胡明星

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2014.04.002

针对(SiC)p纳米微粒在应用中存在的易团聚、材料间相容性差等关键技术问题,采用化学镀方法对(SiC)p纳米微粒进行了表面修饰.设计了实验方案,优化了工艺参数.实验结果表明,预处理过程、镀液的温度、pH等对修饰效果影响较大.确定适合的工艺参数,镀液θ为45℃、pH为9.0.电子显微镜、能谱仪等仪器表征显示,修饰后的SiC微粒近球形,形貌均匀,有明显的核、壳部分,核壳处不同的衬度表明(SiC)p微粒表面沉积了较多的金属Ni,形成了碳化硅-镍核壳结构复合粒子.

关键词: (SiC)p微粒 , 核壳结构 , Ni , 化学镀 , 结构表征

AlN:Er薄膜在不同退火温度下应力诱导的微观结构演变

阳明明 , 莫亚娟 , , 曾雄辉 , 刘雪华 , 黄俊 , 张纪才 , 建峰 , 徐科

无机材料学报 doi:10.15541/jim20150399

以透射电镜中的弱束衍衬成像和高分辨相位衬度成像为主要表征手段,辅以X射线衍射、拉曼光谱等测试方法,对AlN:Er样品在退火过程中的微观结构演变过程进行了深入分析.在透射电镜观察下,Er离子注入的AlN样品在退火前存在三个区域:区域Ⅰ为自表面以下约30 nm深度;区域Ⅱ为区域I以下约50 nm深度;区域Ⅲ为区域Ⅱ以下的部分,其中区域Ⅱ为损伤最为严重的区域.在较低的温度(如1025℃时)退火后,区域Ⅰ消失;但1200℃退火后,又重新可以观察到区域Ⅰ.结合TEM、XRD和Raman测试结果,从损伤恢复和应力释放的角度对上述实验现象进行了理论解释:由于Er离子半径和基体原子半径的差异,在区域Ⅱ中引入较大的应力;在1025℃退火时,来自区域Ⅱ的应力作用于区域Ⅰ,导致区域Ⅰ发生大的晶格扭曲,和区域Ⅱ合并,用TEM观察不到;在1200℃退火时,应力在表面释放,区域Ⅰ的晶格扭曲修复,从而用TEM可重新观察到.

关键词: AlN:Er , 离子注入 , 微观结构演变

羧基化氧化石墨烯-镧复合物抗凝血性能的研究

, 周宁琳 , 汪炜燕 , 汤毅达 , 章峻 , 莫宏 , 沈健

功能材料

将稀土La(3+)离子接枝到羧基化的氧化石墨烯片层上,制备了一种功能化的氧化石墨烯(GeneO-La).利用红外光谱和透射电镜等手段对所合成的GeneO-La复合物进行了表征;将功能化的氧化石墨烯应用到抗凝血体系中,研究其抗凝血性能.结果表明,La(3+)已经通过配位作用吸附在羧基化的氧化石墨烯片层上.通过溶血实验和血浆复钙时间实验可以看出随着复合物浓度的增加,复钙时间逐渐缩短,同时复合物的溶血率在浓度低时都<5%,符合稀土元素的Hormesis效应,即GeneO-La复合物在低浓度时表现出优良的抗凝血性能.

关键词: 氧化石墨烯 , 三氯化镧 , 溶血实验 , 复钙时间实验

不同Yb掺质浓度的Yb:Y3Al5O12晶体激光性能的比较

, 赵志伟 , , 宋平新 , 姜本学 , 徐军 , 邓佩珍 ,

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.027

采用提拉法生长了Yb3+掺质浓度为5%原子分数、 50%原子分数和100%原子分数的Yb:Y3Al5O12(Yb: YAG)晶体,系统地分析了不同Yb3+掺质浓度晶体的吸收光谱和荧光光谱.从吸收峰和吸收系数可以看出采用940nm LD泵浦三种不同浓度的Yb:YAG晶体都比较合适.随着Yb3+离子掺质浓度的增高,晶体中出现的自吸收现象越为明显.通过对三种不同Yb掺质浓度晶体激光性能参数的计算,得出高掺质浓度Yb:YAG和YbAG晶体是有前景的激光增益介质.

关键词: Yb:YAG , 吸收光谱 , 荧光光谱 , 自吸收 , 最小泵浦功率密度

大尺寸高浓度掺杂Nd:GGG和Nd:YAG晶体的光谱性质

姜本学 , 赵志伟 , , 宋平新 , , 徐军 , 邓佩珍

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.020

由于Nd3+离子半径0.112nm和Y3+离子半径0.101nm相差10.9%,使得Nd3+离子非常难于进入YAG晶体中.我们用温度梯度法生长了大尺寸高浓度(2.8at%)的Nd:YAG晶体,同时与用提拉法Nd:GGG晶体进行了比较.分析了高浓度掺杂Nd:GGG和 Nd:YAG晶体浓度猝灭问题.研究了不同浓度掺杂的猝灭效应.在同样的掺杂浓度下,我们发现它们的猝灭程度不同,其原因是两种晶体中ΔE(-)mism和ΔE(+)mism不同.

关键词: Nd:GGG , Nd:YAG , 浓度猝灭 , 荧光寿命

硫脲壳聚糖/蒙脱土纳米中间体的合成及其对大肠杆菌抑菌性能的研究

汪炜燕 , 周宁琳 , , 陆春燕 , 章峻 , 莫宏 , 沈健

功能材料

通过插层技术合成了硫脲壳聚糖/蒙脱土(Cts-TU/MMT)纳米中间体,利用XRD和FT-IR对合成的硫脲壳聚糖/蒙脱土纳米中间体进行了表征,结果表明硫脲壳聚糖已经进入了蒙脱土层间,其层间距达到3.529nm;通过抑菌动力学实验评价了硫脲壳聚糖/蒙脱土纳米中间体对大肠杆菌的抑菌性能,预示了其在生物医药领域的潜在应用性.

关键词: 蒙脱土 , 硫脲壳聚糖 , 抗菌性 , 大肠杆菌

Yb: Lu_3Al_5O_(12)晶体的生长及缺陷研究

, 潘涛 , 臧涛成 , 马春兰 , , 徐军 , 曾雄辉

人工晶体学报

采用提拉法生长Yb~(3+)掺杂浓度为10 at%的Yb: Lu_3Al_5O_(12)(Yb: LuAG)晶体.对晶体的结晶质量、晶胞参数、分凝系数等进行了表征.采用化学腐蚀的方法,利用光学显微镜和扫描电镜相结合研究了晶体中的缺陷.结果表明晶体具有较好的结晶质量,Yb~(3+)的掺入不会改变LuAG的晶体结构.观察到Yb: LuAG晶体(111)面上呈三角锥形的位错蚀坑和由小面引起的晶体应力双折射现象,并提出了减少缺陷,提高晶体质量的方法.

关键词: Yb:LuAG晶体 , 晶胞参数 , 位错 , 应力

镧修饰羧基化氧石墨烯的抑菌性能

, 周宁琳 , 汪炜燕 , 汤毅达 , 章峻 , 沈健

新型炭材料

在氧化石墨烯(GO)的研究和应用中,为充分发挥其优良性质,必须对其进行功能化.笔者将稀土La3+离子接枝到羧基化的GO(GO-COOH)片层上,制备了一种功能化的镧修饰羧基化氧石墨烯(La/GO-COOH).利用红外光谱、热重分析和透射电镜等手段对合成的La/GO-COOH进行了表征,结果表明,La3+已通过化学和物理作用吸附在GO片层上.通过细菌生长动力学实验评价了La/GO-COOH的抑菌性能,结果表明,La/GO-COOH对大肠杆菌有很好的抑菌效果,当浓度为0.5 mg/mL,抑菌率达96.40%;对金黄色葡萄球菌和铜绿假单胞菌也均有抑菌效果,因此La/GO-COOH是具有抑菌性能的新型GO负载物;与未剥离的镧修饰氧化石墨(La/GTO)相比,由于剥离的GO片层的比表面积大,其吸附La3+离子的量高于氧化石墨(GTO),故La/GO-COOH复合物的抑菌性远优于La/GTO.

关键词: 氧化石墨烯 , 氧化石墨 , 三氯化镧 , 细菌生长动力学

多晶形γ-CuI晶体的制备与导电性能表征

刘飞 , 祝博 , , 曹建新

人工晶体学报

以粗碘和硫酸铜为原料,水合肼为还原剂,利用液相法和微乳液法合成了不同晶形γ-CuI晶体.采用XRD和SEM研究了液相法和微乳液工艺技术条件对合成γ-CuI微观结构的影响,分析了具有不同微观结构γ-CuI对其导电性能的影响.结果表明,分别以聚乙二醇(PEG-6000)和柠檬酸为表面活性剂,采用液相法常温下500 r/min反应30 min可制备出纳米球形和三角锥形γ-CuI.按CTAB-正戊醇-环己烷-水配比3∶3∶7∶10分别配制硫酸铜和碘化铵微乳液,常温下500 r/min反应2h可制备出六边形薄片状γ-CuI.不同微观形貌和粒径分布对γ-CuI产品电导率具有较大的影响.纳米球形γ-CuI电导率最小,为4.9 Ω·cm.

关键词: γ-CuI晶体 , 电导率 , 液相法 , 微乳液法

p-Si薄膜在氢氟酸溶液中的电化学抛光

胡飞 , , 李小红 , 胡跃辉

材料热处理学报

p-Si薄膜在氢氟酸溶液中的电化学抛光是通过阳极溶解降低薄膜表面粗糙度.本文用线性扫描研究了在不同的氢氟酸浓度下的电化学行为,发现随氢氟酸溶液浓度的增加阳极溶解速率也随之增加.当氢氟酸浓度为4%及6%时,可得到平整的表面.电化学抛光技术为制备光亮硅面提供了一种简单可行的方法.

关键词: 电化学抛光 , p-Si薄膜 , 阳极溶解 , 微细加工

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