王矜奉
,
陈洪存
,
王文新
,
苏文斌
,
臧国忠
,
亓鹏
,
王春明
,
赵春华
,
高建鲁
功能材料
烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的.为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO2+1.50%CoCl2*6H2O+0.10%Nb2O5+x%Ag2O(x=0.00、0.02、0.50和1.00)的系统实验.当AgO的含量从0.00增加到1mol%时,(Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从349V/mm增大到429V/mm,1kHz时的相对介电常数从2240减小到1560.晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高和介电常数迅速减小的主要原因.对Ag掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.
关键词:
氧化银
,
二氧化锡
,
势垒
,
电学非线性
王春明
,
王矜奉
,
陈洪存
,
王文新
,
苏文斌
,
臧国忠
,
亓鹏
功能材料
研究了Na对新型(Co, Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响.当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时, (Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从275V/mm增到919V/mm.样品的微观结构分析发现,当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时,SnO2的晶粒尺寸明显的变小.晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是压敏电压急剧增高的原因.对Na含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.掺杂0.4mol% Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数达28.4,击穿电压为755V/mm,掺杂1.2mol% Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数为11.5,击穿电压高达919V/mm,它们在中高压保护领域会有很好的应用前景.本文并指出替代Sn的受主离子Na不应处于SnO2晶格中,而是处于间界上,从而进一步解释了压敏电压急剧增高的原因.
关键词:
碳酸钠
,
二氧化锡
,
压敏材料
,
肖特基势垒
,
压敏电压
臧国忠
,
王矜奉
,
陈洪存
,
苏文斌
,
王文新
,
亓鹏
,
王春明
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.018
研究了Cr对(Co,Ta)掺杂的SnO2压敏材料电学性质的影响.当Cr2O3的含量从0增加到0.15mol%时,(Co,Ta)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从206V/mm增加到493V/mm;1kHz时的相对介电常数从1968猛降至498;晶界势垒高度分析表明,SnO2晶粒尺寸的迅速减小是样品击穿电压增高、相对介电常数急剧降低和电阻率迅速增大的主要原因.对Cr含量增加引起SnO2晶粒减小的原因进行了解释.掺杂0.15mol% Cr2O3的SnO2压敏电阻非线性系数为24,击穿电压达498V/mm,在高压保护领域有很好的应用前景.
关键词:
压敏电阻
,
二氧化锡
,
势垒高度
,
非线性系数
王文新
,
王矜奉
,
陈洪存
,
苏文斌
,
臧国忠
,
王春明
,
亓鹏
功能材料
通过实验对三氧化二铟掺杂的SnO2*Co2O3*Nb2O5压敏电阻的性能进行了研究.所用样品是在1350℃下烧结1h而制成的.实验发现所有样品都具有很高的致密度(相对密度不小于97.6%),这主要是由于Co2O3影响陶瓷的烧结过程造成的.当In2O3掺杂量为0.05mol%时,压敏电阻具有最高的非线性系数(α=19.3).随着In2O3掺杂量的从0.00mol%增加至0.10mol%,非线性电场强度从213V/mm增加至815V/mm,而平均晶粒尺寸从6.6μm减小至4.9μm,非线性电场的增加与平均晶粒尺寸的减小密切相关;样品的相对介电常数也从2307减小至153,这归因于平均晶粒尺寸与势垒厚度比的减小.
关键词:
压敏材料
,
非线性系数
,
二氧化锡
,
电学性能
李捷
,
刘益林
,
邓佑林
,
王文新
,
王硕文
,
李增增
,
唐石
应用化学
doi:10.11944/j.issn.1000-0518.2016.06.150316
发展了一种可见光诱导的活泼烯烃串联自由基环化合成含氟异喹啉二酮的反应.在可见光诱导下,多种N-烷基-N-甲基丙烯酰基苯甲酰胺与二氟溴乙酸乙酯发生自由基串联环化反应,以66％～75％的产率合成了一系列具有潜在生理活性的二氟烷基化异喹啉二酮.此研究为合成具有潜在药用价值的氟取代异喹啉二酮提供了一条高效、条件温和的途径.
关键词:
可见光诱导
,
二氟烷基化
,
铱光催化剂
,
异喹啉二酮
邢志刚
,
贾海强
,
王文新
,
陈弘
中国材料进展
GaN基发光二极管(LED)作为目前固态照明和显示等应用中最核心的器件,在完全发挥材料性能的道路上还存在着一些困难.针对蓝光LED内量子效率低和白光LED应用中缺乏简易制备方法的现状,本研究组做出了有意义的富有创新性的工作:提出的宽窄耦合量子阱结构的LED使得蓝光LED的内量子效率得到了很大的提高;通过生长一个用于调节量子阱中的应变和局域化的InGaN插入层,制备出了同一发光层出射白光的单芯片白光LED.
关键词:
发光二极管
,
氮化镓
,
晶体生长
段显英
,
李非非
,
魏梅林
,
韩福娇
,
王文新
,
李继
人工晶体学报
在水热条件下,合成了一个二维配位聚合物{ [Zn2(L) (m-bix)]2·0.5(H2O)}n[H4L=5,5’-亚甲基二间苯二甲酸,m-bix=1,3-双(咪唑基-1-甲基)-苯],并通过红外和X-射线单晶衍射进行了表征.X-射线衍射结果表明,该配位聚合物晶体属于三斜晶系,P-1空间群,a=1.10294(17) nm,b=1.10806(15) nm,c=1.2605(2) nm,α=73.259(2)°,β=74.304(3)°,γ=67.576(2)°,V=1.3410(4) nm3,Z=1.配位聚合物中,Zn(Ⅱ)原子采取四面体构型,三个氧原子分别来与三个L4-配体,一个氮原子来于配位的m-bix分子.每个L4-配体桥联六个Zn(Ⅱ)中心,形成一个波浪状的二维面[Zn2(L)]∞,然后m-bix分子在[Zn2(L)]∞的上下方连结双核Zn(Ⅱ)单元,形成二维层状化合物[Zn2 (L) (m-bix)]∞.室温下研究了配位聚合物的固体荧光光谱特性.
关键词:
配位聚合物
,
晶体结构
,
荧光性质
蒋卫鹏
,
李继
,
王文新
,
陈海涛
合成材料老化与应用
以2,7-二溴咔唑为起始原料,经Ullmann、Buchwald-Hartwig偶联反应合成了目标化合物,通过NMR、IR和MS表征了化合物的结构,经DSC-TG、UV、荧光光谱分析和循环伏安法研究了目标化合物的热稳定性、光学及电化学性能.
关键词:
2,7-二溴咔唑
,
热稳定性
,
光学性能
,
电化学性能
