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热解氯化镁气相反应实验装置的设计

, 牛丽萍 , 张廷安 , 吕国志 , 周爱平

材料与冶金学报

基于海绵钛生产工艺过程中副产物氯化镁的综合利用问题,提出以钛冶炼过程中蒸馏工序段熔融氯化镁为原料,在通氧条件下,熔融态氯化镁直接热解,产物为高附加值的氧化镁和氯气.本文针对气相反应,设计主反应器丘里管的形状与尺寸、盛装容器的形状与尺寸、电阻炉的选取及收集装置的选取与其尺寸.

关键词: 熔融氯化镁 , 直接热解 , 丘里管 , 电阻炉

深冲用200系列不锈钢成分优化设计研究

, 袁书强 , 张贵才 , 陈巍 , 田雨江 , 陈炯 , 周春华 , 宗铎

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2010.06.025

采用正交试验法研究合金元素锰、铜和镍对冲压性能指标杯突值的影响,得出深冲用200系列不锈钢最佳成分配比.结果表明,对于200系列不锈钢成分的优化,正交设计是一种科学和行之有效的方法,可通过较少的试验获得各因素对冲压性能指标的影响效应的主次顺序Mn>Cu>Ni,以及最佳试验方案1Cr15Mn10.0Cu0.5Ni1.0.

关键词: 200系列不锈钢 , 正交设计 , 杯突值 , 冲压性能

LCoS微显示驱动芯片表面形貌研究与改进

, 晓慧 , 黄苒 , 欧毅 , 杜寰 , 夏洋 , 韩郑生 , 冯亚云 , 凌志华

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.05.021

介绍了LCoS技术的特点与发展现状,LCoS性能的优劣与硅基片平整度有直接关系,着重进行了LCoS微显示驱动技术表面形貌的研究与改进.通过严格控制工艺步骤,降低台阶高度;合理设计版图布局,使台阶叠加在隔离像素区域的沟槽中,这样既能实现像素电极区域的局部平坦化,又因为沟槽不作为显示区域,对整体显示效果影响较小.

关键词: LCOS , 微显示 , CMP , 镜面电极

退火工艺对0Cr17Re不锈钢冷轧板性能和组织的影响

张贵才 , 袁书强 , 刘国孝 , , 孙远东 , , 谢志萍

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2011.02.011

用普通退火炉对0Cr17Re不锈钢冷轧板进行热处理试验,并对其力学性能和组织进行观察和测试.结果表明:稀土加入后,形成稀土复合化合物,可明显改善晶粒度,净化组织;退火温度在800~860 ℃时,基体组织均为铁素体,退火速度和退火温度对0Cr17Re伸长率影响不大.退火温度低时,退火速度的降低,可提高强度,改善其伸长率;退火温度高时,提高退火速度,可防止晶粒长大,改善材料力学性能.该不锈钢的最佳退火工艺为退火温度830℃以上.退火速度8~12 m/min.

关键词: 铁素体不锈钢 , 退火工艺 , 力学性能 , 组织

硅基有机发光微显示像素驱动电路设计

晓慧 , , 陈淑芬 , 孟彦龙 , 杜寰 , 韩郑生 , 赵毅

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.01.015

由于微型显示像素面积的限制,硅基有机发光微显示像素驱动电路需要实现足够小的驱动电流.文章提出的三管电压控制型像素驱动电路与常规的采用电流镜电路的电流控制型像素驱动电路都能实现微显示所需的小电流驱动.利用Synopsys公司的H-spice软件对两种电路仿真比较,发现电流控制型电路具有线性灰度和较宽的有效灰度范围,但是通过调整电压控制型电路中与OLED并联的晶体管的宽长比,即可使其有效灰度范围与电流控制型电路可比.同时也发现电流控制型电路的功耗是电压控制型电路的4倍以上,且电路形式较复杂,工艺要求较高.所以三管电压控制型电路更适合于硅基有机发光微显示驱动电路.

关键词: 硅基有机发光微显示驱动 , 电压控制型 , 电流控制型 , 像素驱动 , 小电流驱动

AlCl3/γ-Al2O3催化剂的制备及其催化脱除焦化苯中噻吩的性能

, 马琳 , 廖俊杰 , 解园园 , 常晋豫 , 常丽萍

催化学报 doi:10.3724/SP.J.1088.2012.10845

采用气相负载法制备了AlCl3/γ-Al2O3催化剂,考察了γ-Al2O3的粒径、温度、时间、AlCl3加入量和载气流量等制备条件对催化剂上噻吩与烯烃烷基化反应活性的影响,并采用Raman光谱、X射线衍射和N2吸附-脱附等技术对样品进行了表征,用气相色谱-质谱联用仪对反应产物进行了定性分析.结果表明,AlCl3主要通过与γ-Al2O3表面-OH结合而有效负载并均匀分布于其表面,制得的AlCl3/γ-Al2O3催化剂对噻吩和烯烃的烷基化反应具有较好的催化能力,反应产物主要是烷基噻吩.在200℃,将3 g的AlCl3用100 ml/min的N2向10 g的γ-Al2O3(0.198~0.246mm)上负载5h,制得的AlCl3/γ-Al2O3催化剂活性最高,在液剂比为20 ml/g时,噻吩脱除率可达62.11%.

关键词: 三氯化铝 , 氧化铝 , 噻吩 , 烯烃 , 烷基化反应 ,

高压n LDMOS漂移区的设计研究

宋李梅 , , 杜寰 , 夏洋

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.023

讨论了漂移区长度及注入浓度等关键参数对于漏结击穿电压的影响,并详细分析了矩形版图结构的LDMOS器件中,远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响.分析了矩形版图结构的LDMOS器件中,远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响.运用RESURF技术对 于高压LDMOS的漂移区进行设计和优化.研制出耐压170V的nLDMOSFET.并通过试验结果证明了分析的正确性.

关键词: RESURF , LDMOS , 击穿电压

肯尼亚天然金红石矿流化床氯化率的研究

牛丽萍 , 张廷安 , 倪培远 , , 吕国志 , 周爱平

稀有金属材料与工程

对肯尼亚金红石矿加碳氯化体系的热力学和动力学进行了研究,分析表明,C在固相中过量,体系处于平衡态时,TiC14和CO是仅有的2个稳定的产物,增加C/TiO2比对产物组成影响不大;高温时,TiO2与C和C12生成CO的方程是占主导地位的.本实验提出了一个反应速率模型,得到金红石氯化率的公式,与实验数据吻合较好.反应速率与颗粒初始半径和天然金红石密度有关,在900℃到1000℃温度范围内,表观活化能为10.569kJ/mol,扩散是反应的主要控制步骤.得到了C-C12体系中氯气反应率表达式,氯气反应率取决于反应程度、氯气浓度和焦炭粒径.

关键词: 天然金红石 , 气-固反应 , 流化床 , 加碳氯化 , 颗粒

基于熔融态氯化镁热解实现新镁钛联合的研究

牛丽萍 , 张廷安 , , 周爱平 , 黄惠东

稀有金属材料与工程

现行的Kroll法生产海绵钛存在的问题是镁电解的投资较高,以及氯的环境污染控制要求较高.基于此,本工作提出了将还原蒸馏产生的熔融态氯化镁直接氧化热解得到高纯氧化镁及氯气,氧化镁经热还原法炼镁,实现海绵钛过程新的镁钛联合.本工作对新的镁钛联合关键环节熔融态氯化镁氧化热解过程进行了研究,通过绘制Mg-O-Cl体系优势区图,获得MgO相稳定存在的条件;确定了适宜的反应条件:反应温度1200℃、输入氧分压0.1 MPa,反应时间为50 min,该条件下,氯化镁的热解率可达99.9%,产物中氯含量为0.00262%;XRD和SEM分析表明:氧化镁结晶度高,颗粒粒度分布均匀,分散性较好,为不规则的六面体,氧化镁颗粒的平均粒度在l μm左右.

关键词: 镁钛联合 , 海绵钛 , 熔融态氯化镁 , 氧化热解 , 超细氧化镁粉体

硅基液晶像素电路的研究

黄苒 , 杜寰 , , 晓慧 , 韩郑生

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.06.018

分析研究了微显示器件的场缓存技术与现有硅基液晶场缓存像素电路的结构特点,提出了一种新型的像素电路结构,此电路改变了以往电路结构中专门采用一个晶体管对像素电容进行放电的做法,通过同一个晶体管对像素电容进行充放电.电路经过Hspice仿真,对结果进行分析表明,其功能及特性符合设计要求,像素电容电荷保持率达到99%.电路具有结构简单,占用芯片面积小,像素电容电荷保持率高等优点,适合高亮度、高分辨率微显示器件的设计与制造.

关键词: 硅基液晶 , 场缓存 , 像素电路

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