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AgGaGeS_4晶体介电性能的初步探讨

, 吴海信 , 耿磊 , , 毛明生 , 程干超 , 黄飞

人工晶体学报

利用本实验室生长的红外非线性晶体材料AgGaGeS_4(AGGS),常温下进行腐蚀实验并观察畴结构,测试了不同频率、电压下晶体的电滞回线以及同一电压下不同频率介质的电容值.腐蚀图像显示出畴结构,畴尺寸5~10 μm左右,证实AGGS为一热释电晶体.然而,室温下的电滞回线变形为一近似椭圆,介质电容与电场频率关系表现出强色散特性.本文对这一现象进行了系统分析,最后提出了进一步探索AGGS铁电性质的具体建议.

关键词: AGGS晶体 , 介电性能 , 畴结构

温度梯度区域熔炼法制备2μm低吸收ZnGeP2晶体

, 吴海信 , 黄昌保 , 程旭东 , , 肖瑞春

人工晶体学报

针对高温熔体生长的ZnGeP2 (ZGP)晶体,易在能带边缘附近出现宽光学吸收带,难以直接应用的问题,开展了籽晶温度梯度区域熔炼生长方法探索研究,最终在较低温度(945℃左右)生长出φ20 mm×30 mm单晶,晶体2μm附近吸收系数处于0.16 ~ 0.3 cm-1之间.但采用当前方法,如何改善晶体光学均匀性、结晶质量,提高原料利用率等一系列问题,还有待进一步研究.

关键词: ZGP晶体 , 籽晶温度梯度区域熔炼法 , 吸收系数

AgGaGeS_4晶体生长及性能研究

, 吴海信 , , 毛明生 , 黄飞 , 陈林

人工晶体学报

采用竖式布里奇曼法成功生长出大尺寸φ30 mm×80 mm的AgGaGeS_4单晶.X射线摇摆曲线测试结果表明该单晶结构完整.单晶元件在1.5~9.6 μm波段平均吸收系数约为0.25 cm~(-1),其中6.7~7.8 μm波段小于0.02 cm~(-1).制备的Ⅰ型相位匹配晶片元件(切角θ=43.5°, φ=0°,尺寸7 mm×7 mm×2.7 mm),在中心波长8.0305 μm基频光泵浦下,倍频输出了4.0153 μm红外激光,实验测得其实际相位匹配角为42.2°.利用波长2.05 μm、脉冲宽度20 ns的激光光源,测得其激光抗损伤阈值为270 MW/cm~2. 结合相图及温场分布对晶体生长过程中的关键问题进行了分析.

关键词: AgGaGeS_4晶体 , 布里奇曼法 , 倍频 , 损伤阈值

新型红外晶体硫锗镓银的多晶合成

吴海信 , , , 耿磊 , 毛明生 , 黄飞

人工晶体学报

本文直接使用高纯Ag,Ga,Ge,S单质作为原料合成AgGaGeS4多晶.为防止S蒸气高压使多晶合成管炸裂,采用双温区气相输运的合成方法.对合成的多晶作粉末衍射(XRD)分析,衍射图谱与标准JC-PDF卡片上峰值位置一致,表明样品为高纯单相AgGaGeS4多晶.使用该多晶原料成功生长出了优质单晶,并对合成工艺中存在的关键问题进行了讨论.

关键词: AgGaGeS4 , 多晶合成 , 二温区 , 气相输运

水平温梯冷凝法生长ZnGeP2单晶

吴海信 , 陈林 , , 黄飞 , , 毛明生

功能材料

采用高纯(6mol/L)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.2%配料,通过双温区法合成ZnGeP2多晶粉料,再用水平温梯冷凝法(HGF)生长出尺寸达10mm×20mm×80mm的单晶棒.对单晶进行了X射线衍射、红外透过率、热导率等测试,测试结果表明;单晶完整性好,红外透过率较高;5mm厚晶片(未退火、镀膜)在2~8μm范围内平均透过率可达54%以上;在室温附近(297.34K)热导率为35.89W/(m·K).

关键词: 磷锗锌 , 水平温梯冷凝法 , X射线粉末衍射 , 红外透过率 , 热导率

无机化合物Na2Ge2Se5多晶合成研究

, 程旭东 , 吴海信 , 黄昌保 , 肖瑞春 ,

人工晶体学报

硒锗钠(Na2Ge2Se5)是一种极具潜质新型红外非线性材料.但该化合物具有明显的制备难点.根据其制备特点,自行设计并搭建反应装置,高效、安全制备其前驱体Na2Se;然后将制备的Na2Se与Ge、Se按化学计量比称取,在单温区合成炉中合成Na2Ge2Se5多晶料.对制备的Na2Se、Na2Ge2Se5多晶进行XRD,SEM、EDS等分析测试表明产物为高纯单相Na2Se、Na2Ge2Se5多晶.

关键词: 硒锗钠 , 硒化钠 , 多晶合成

中远红外非线性晶体材料CdSe生长及光学性能研究

吴海信 , 黄飞 , , , 陈林 , 程干超

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.06.013

红外非线性晶体材料CdSe具有透光波段宽广,吸收系数低等优点,在中长波尤其是8~12 μm红外波段的频率转换方面有广阔的应用前景,目前已引起国外众多科研机构的极大重视.采用高温元素反应法直接合成CdSe多晶料,利用温度梯度熔体区熔法生长出CdSe单晶,晶体棒毛坯尺寸达Ф19×70 mm;通过X射线粉末衍射、感应耦合等离子体质谱等对多晶原料进行成分分析,原料纯度可达5N;利用低倍率红外显微镜、红外分光光度计检测了晶体的基本光学性能,3~20 μm波段晶体平均吸收系数α约为0.08 cm-1,品质良好,已能满足激光实验要求.

关键词: 材料 , CdSe , 温度梯度熔体区熔法 , 单晶生长 , 非线性

非线性光学晶体材料GaSe激光参数的模拟计算

程旭东 , 吴海信 , , , 黄昌保 , 肖瑞春

连铸 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2015.01.013

对红外非线性光学晶体GaSe的非线性性质进行了研究.计算模拟了1.064 μm、2.05 μm、2.79 μm泵浦情况下Ⅰ、Ⅱ类相位匹配情况下GaSe晶体的相位匹配角、有效非线性系数、走离角、允许角和泵浦波波长的关系.同时计算了晶体激光光参量震荡和倍频波波长和相位匹配角、有效非线性系数、走离角、允许角的关系.对计算结果进行了分析比较.所得结果对于GaSe晶体用于特定波长激光器设计新波段提供了理论依据.

关键词: 非线性光学 , 相位匹配 , GaSe , 允许角 , 走离角

红外非线性晶体Na2Ge2Se5非线性变频模拟计算

程旭东 , 吴海信 , , , 黄昌保 , 肖瑞春

连铸 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2015.02.011

对红外非线性光学晶体Na2Ge2Se5的非线性性质进行了研究.计算了主平面内倍频调谐曲线,0.946 μm、1.064 μm、1.1319 μm泵浦情况下的倍频空间调谐曲线以及和频产生0.589μm激光的匹配曲线,并对计算结果进行了分析比较.所得结果可为Na2Ge2Se5晶体用于特定波长激光器,设计新波段提供理论依据.

关键词: 非线性光学 , 相位匹配 , Na2Ge2Se5 , 二次谐波 , 和频

改进垂直布里奇曼法生长硒化镓单晶

黄昌保 , , 吴海信 , , 程旭东 , 肖瑞春

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2014.14032

当生长ε相的硒化镓单晶时,组分挥发和固液界面震荡严重损坏晶体的结晶质量.利用改进垂直布里奇曼法生长出φ19 mm×65 mm硒化镓单晶.X射线粉末衍射仪(XRD)和傅立叶红外光谱仪(FT-IR)分别用于测量晶体的结晶度和光学性质.红外测试表明,硒化镓晶体透过波谱较宽(0.65~16 μm)和吸收系数较低<0.3 cm-1).

关键词: 布里奇曼技术 , 非线性光学晶体 , 固化界面

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