陈旭荣
,
王荣
,
何军
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.30.01.001
在强子物理研究中,3π产生的理论和实验有非常重要的意义,是目前世界上很多大型实验设备的重要研究对象.3πt强子物理包含丰富的物理内容,可以作为探索低能区强相互作用的有力工具.同时,3πt产生过程是寻找奇特轻介子态的主要途径之一.另外,通过研究3π产生反应道还可以寻找“失踪”共振态和重子激发态之间的级联衰变.介绍了目前国际各大高能物理实验室的3πt产生过程的实验、理论研究以及分波分析技术现状,重点介绍了美国杰弗逊国家实验室(Jefferson Lab,简称JLab)的CLAS(CEBAF Large Acceptance Spectrometer)实验上的3πt反应过程.最后,指出了3π强子物理研究的意义和未来的研究方向.
关键词:
3π
,
奇特态
,
重子谱
,
三级级联衰变
,
分波分析
彭涛
,
辜承林
材料导报
在脉冲强磁体设计中,磁应力是我们面临的最大挑战,当磁场强度达到100T时,磁体绕组中的磁应力高达4GPa,这是目前任何实用导体材料都无法承受的,因此,脉冲强磁体的发展在很大程度上取决于磁应力的解决情况.文章从提高导体材料机械强度的角度出发,介绍了目前各种导体材料的加工过程和技术参数,包括铜、铜宏复合导体材料、铜微复合导体材料、多层绞线复合导体材料等.
关键词:
脉冲强磁场
,
磁体
,
电导率
,
机械强度
宋宏秋
,
苏汝铿
,
鲁定辉
,
钱伟良
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2004.02.019
把修正的夸克-介子耦合模型推广到包含奇异性的情形,并用来研究奇异强子物质的状态方程.从最新的6ΛΛHe双超核的实验导出的弱Λ-Λ相互作用和过去采用的强Λ-Λ相互作用同时被用于计算.比较发现,具有强Λ-Λ相互作用的系统束缚得比正常核物质要紧,而具有弱Λ-Λ相互作用的系统则比正常核物质束缚得要松得多.无论强还是弱相互作用情况,为了合适地描述修正的夸克-介子耦合模型中超子-超子(Y-Y)相互作用,必须引进σ*和φ介子.
关键词:
修正的夸克-介子耦合模型
,
奇异强子物质
,
超子-超子相互作用
邓小旋
,
王强强
,
钱龙
,
王新华
,
黄福祥
钢铁
采用1∶1的水模型研究了5种不同底孔直径（16～28mm）的三孔水口下漏斗型薄板坯结晶器内的流场、液面特征和卷渣行为。结果表明：在常规工艺参数下,5种三孔水口下结晶器内钢液的流场都是典型的＂双辊流＂,且流场稳定;在5种三孔水口下结晶器液面波动都较平稳,且波动范围都在±（3～5）mm之间。5种不同水口下结晶器液面主要发生剪切卷渣,漩涡卷渣很少发生。试验得知：在水口浸入深度280mm,拉速为5m/min时,剪切卷渣发生的钢液临界表面速度是0.32m/s,与文献报道的模型计算值较吻合。在水口浸入深度280mm、拉速为5m/min的条件下,适合薄板坯连铸的最佳的三孔水口的底孔直径为22mm。
关键词:
三孔水口
,
薄板坯
,
连铸
,
优化
,
结晶器
,
卷渣
夏熠
,
乔生儒
,
王强强
,
张程煜
材料导报
研究了碳纤维增强SiCN陶瓷基复合材料(C/SiCN)在真空中的拉伸蠕变行为,通过对比预热处理和未热处理的两类C/SiCN的蠕变激活能,分析了预热处理的稳定化效果,并采用X射线衍射研究了C/SiCN的蠕变相变行为.结果表明,预热处理促进了非晶SiCN基体的结晶,能明显提升C/SiCN的蠕变激活能(Q),未热处理C/SiCN的Q=51kJ/mol,而热处理后试样的Q=72kJ/mol.恒定蠕变应力能明显促进非晶SiCN基体的结晶.
关键词:
非晶SiCN陶瓷
,
蠕变
,
蠕变激活能
,
晶化
邓小旋
,
王强强
,
钱龙，王新华
,
黄福祥
钢铁
采用1∶1的水模型研究了5种不同底孔直径(16～28mm)的三孔水口下漏斗型薄板坯结晶器内的流场、液面特征和卷渣行为。结果表明：在常规工艺参数下，5种三孔水口下结晶器内钢液的流场都是典型的“双辊流”，且流场稳定；在5种三孔水口下结晶器液面波动都较平稳，且波动范围都在±(3～5)mm之间。5种不同水口下结晶器液面主要发生剪切卷渣，漩涡卷渣很少发生。试验得知：在水口浸入深度280mm，拉速为5m/min时，剪切卷渣发生的钢液临界表面速度是0.32m/s，与文献报道的模型计算值较吻合。在水口浸入深度280mm、拉速为5m/min的条件下，适合薄板坯连铸的最佳的三孔水口的底孔直径为22mm。
关键词:
三孔水口
,
thin slab
,
continuous casting
,
optimization
,
mold
,
slag entrapping
夏熠
,
乔生儒
,
王强强
,
张程煜
,
韩栋
,
李玫
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00827
以六甲基二硅氮烷为单一前驱体,采用电热裂解化学气相沉积技术制备了SiCN陶瓷.借助X射线衍射仪、透射电子显微镜研究了真空环境中非晶SiCN陶瓷在1300～1900℃范围内的晶化行为,并根据研究结果,运用分解-结晶机理解释了其晶化过程.非晶SiCN陶瓷在低于1300℃开始发生分解,形成富Si-C区域,并最终发生β-SiC结晶.其结晶度随热处理温度的升高而愈加明显.在1700℃处理时发生β-SiC→α-SiC相变.分解形成的N-难以与Si-结合形成富Si-N区域,最终以N2形式溢出,在整个热处理温度范围没有出现氮气下热处理时存在的Si3N4结晶.
关键词:
非晶SiCN陶瓷
,
晶化行为
,
相变
,
显微结构
