吴其晔
,
高卫平
,
王庆国
,
乔玲玲
,
于青山
高分子材料科学与工程
探讨了经过特殊表征的PMMA基核-壳型有机刚性粒子对R-PVC/CPE体系的增韧和增强作用及其对加工流变性的影响.研究发现,适当粒径的核-壳型粒子与R-PVC/CPE基体共混,常温(23℃)使基体的冲击强度和断裂伸长率得到提高,断裂强度、屈服强度、硬度和加工流变性也有改善,而在低温(-10 ℃)时几乎无增韧效果.
关键词:
硬质聚氯乙烯
,
PMAM基核-壳型有机刚性粒子
,
增韧改性
王东娟
,
滕冰
,
李晓兵
,
钟德高
,
王庆国
,
赵严帅
人工晶体学报
利用溶液降温法分别在锥形底生长装置和传统晶体生长装置中进行了KDP晶体点状籽晶法快速生长实验,对KDP晶体的生长条件进行了对比,分析了不同生长装置对KDP溶液稳定性的影响,利用扫描电镜观察了KDP晶体中的包裹体,测定了晶体的透过率,对比分析了锥形瓶快速生长装置的优越性.
关键词:
锥形底装置
,
点状籽晶法
,
KDP晶体
,
晶体生长
王庆国
,
滕冰
,
于涛
,
钟德高
,
王东娟
,
赵严帅
人工晶体学报
通过传统降温法生长了不同EDTA和KCl剂量掺杂的KDP晶体,并观察了晶体的光散射情况,测定了晶体柱区样品的透过率和晶体中Fe、Cr、Cl三种杂质元素的含量,结果表明:低浓度的EDTA(0.01 mol%)和KCl(＜1.5 mol%)掺杂可以提高晶体的透过率,但高浓度掺杂(0.01 mol%EDTA, 2.0 mol% KCl)会导致晶体散射严重,透过率降低,KCl浓度达到2.5 mol%后晶体生长受到抑制,晶体缺陷严重;晶体中铁Fe3+、Cr3+的总含量随着掺杂浓度的增加而减少,晶体中并没有发现Cl元素存在.
关键词:
KDP晶体
,
掺杂
,
透过率
,
光散射
钟德高
,
滕冰
,
于涛
,
王东娟
,
王庆国
,
赵严帅
人工晶体学报
利用光学显微镜和扫描电镜(SEM)观测了KDP晶体中出现的一种呈链状分布的液相包裹体,发现它们的尺寸从几个微米到几十个微米不等,主要沿晶棱方向排列.对这类包裹体的形成条件和形成机制分析发现,它们的形成与近年来新提出的KDP晶体棱边生长机制有关,讨论了KDP晶体生长过程中出现生长机制的可能原因.
关键词:
KDP晶体
,
液相包裹体
,
生长机制
王庆国
,
黄兆阁
高分子材料科学与工程
与硫磺硫化、过氧化物硫化相比,电子束辐射硫化(辐射剂量200 kGy)的SBR/SiO2复合材料具有最大的拉伸强度和撕裂强度.核磁交联密度测定仪测试表明,电子束辐射硫化、硫磺硫化、过氧化物硫化的SBR/SiO2复合材料的交联密度分别为15.6×10-5md/cm3、11.7×10-5mol/cm3和24.4×10-5mol/cm3;随着交联密度的增大,SBR/SiO2复合材料的硬度增大,扯断伸长率减小.O3老化试验表明,电子束辐射硫化SBR/SiO2复合材料具有优良的耐臭氧老化性能,O3老化后的拉伸强度和扯断伸长率下降幅度很小;硫磺硫化SBR/SiO2复合材料的耐臭氧老化性能较差,O3老化后的拉伸强度和扯断伸长率大幅度下降.
关键词:
SBR/SiO2复合材料
,
电子束辐射硫化
,
耐臭氧性
曲兆明
,
王庆国
材料导报
在查阅大量有关电磁屏蔽材料文献的基础上给出了导电导磁屏蔽材料的概念和内涵,分析了军民内外对该电磁屏蔽材料的需求原因,指出了当前屏蔽材料存在的问题并结合导电型屏蔽材料、导磁型屏蔽材料和导电导磁型屏蔽材料分析了当前电磁屏蔽材料的研究现状,最后结合作者自身研究提出了基于网络状导电导磁屏蔽复合材料的微结构设计方案并分析了其可行性.
关键词:
导电
,
导磁
,
电磁屏蔽
,
复合材料
曲兆明
,
王庆国
,
秦思良
,
胡小锋
材料科学与工艺
为了预测复合材料的等效磁导率,建立了填充核壳粒子复合材料等效磁导率的物理模型,应用电磁场理论推导了核壳粒子以单一介质球代替的等效方法并推广得到椭球核壳粒子情况.基于平均极化理论和Maxwell-Garnett理论给出了核壳粒子以特定浓度随机分布于复合材料时等效磁导率的预测公式,通过数值计算分析了核壳粒子浓度、结构参数以及磁导率对复合材料等效磁导率的影响.数值计算与实验结果吻合很好,验证了该等效方法用于复合材料电磁特性优化设计的有效性.
关键词:
核壳粒子
,
复合材料
,
等效磁导率
王庆国
,
李小文
,
刘波
,
蔡力行
,
程镕时
色谱
doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2008.02.025
差减凝胶渗透色谱(D-GPC)以已知的标准样品溶液作淋洗剂,样品溶液作进样试液,通过内部差减,快速准确地给出样品溶液与标准样品溶液各组分之间的差异.以聚乙二醇(PEG200)的浓度识别以及3种啤酒的品牌识别为例,通过比较常规GPC与D-GPC所得到的实验结果,说明D-GPC方法在啤酒质量控制和品牌识别等方面所具有的应用价值.
关键词:
差减凝胶渗透色谱
,
浓度识别
,
品牌识别
唐慧丽
,
吴庆辉
,
罗平
,
王庆国
,
徐军
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160446
β-Ga2O3晶体是一种新型宽禁带氧化物半导体材料,本征导电性差.为了在调控导电性能的同时兼顾高的透过率和结晶性能,离子掺杂是一种有效的途径.采用光学浮区法生长出φ8 mm×50 mm蓝色透明In:Ga2O3晶体,晶体具有较高的结晶完整性.In3+离子掺杂后,β-Ga2O3晶体在红外波段出现明显的自由载流子吸收,热导率稍有减小.室温下,In:Ga2O3晶体的电导率和载流子浓度分别为4.94×10-4 S/cm和1.005×1016 cm-3,其值高于β-Ga2O3晶体约1个数量级.In:Ga2O3晶体电学性能对热处理敏感,1200℃空气气氛和氩气气氛退火后电导率降低.结果表明,In3+离子掺杂能够调控β-Ga2O3晶体的导电性能.
关键词:
In:Ga2O3晶体
,
浮区法
,
电导率
