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优良全息光折变存储材料-双掺铌酸锂晶体

孔勇发 , 许京军 , 李冠告 , 黄自恒 , 陈绍林 , 李兵 , 陈云琳 , 张玲 , 刘士国 , 阎文博 , 刘宏德 , , 孙骞 , 张心正 , 张国权 , 黄晖 , 张万林 , 张光寅

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.019

我们生长与后处理了一系列双掺铌酸锂晶体,通过光折变存储性能的测试,在这些晶体中,我们发现了三种双掺晶体:LN:Fe,Mg;LN∶Fe,In;LN∶Fe,Zn,它们具有优良的光折变存储性能,即高衍射效率(高达60~80%)、快光折变响应(比LN∶Fe 晶体缩短了一个数量级)、和强抗光散射能力(比LN∶Fe提高近两个数量级).我们还系统地研究了光强阈值效应与全息写入的关系以及全息写入与入射光强的关系,发现在光强阈值附近耦合强度有一最大值,从而提出了最佳写入光强的概念.另外,全息光栅热固定研究还显示,双掺铌酸锂晶体比单掺Fe的铌酸锂晶体具有更优良的热固定性质:快固定时间、高固定效率、长固定寿命等.

关键词: 铌酸锂 , 光折变 , 光存储

吉林长安堡钼铜矿床含矿体锆石 U-Pb 年龄和 Hf同位素组成

周毅 , 松权衡 , 张勇 , , 于城

黄金 doi:10.11792/hj20160707

长安堡斑岩型钼铜矿床是吉林中部地区新发现的一座大型矿床,钼铜矿化与二长花岗岩密切相关。在矿床地质特征研究的基础上,对含矿二长花岗岩开展了锆石 LA-ICP-MS U-Pb年代学和Hf同位素研究,获得了二长花岗岩成年龄为170.2 Ma ±0.6 Ma,与已获得的辉钼矿Re-Os加权平均年龄(168.0 Ma ±1.0 Ma)在误差范围内基本一致,表明长安堡钼铜矿床成成矿作用发生于中侏罗世。锆石εHf(t)值为7.0~10.08,Hf单阶段模式年龄(tDM1)为417~542 Ma,二阶段模式年龄(tDM2)为570~768 Ma,揭示矿区二长花岗岩源自新元古代亏损地幔中增生的新生地壳。成成矿作用与古太平洋板块俯冲作用相关。

关键词: LA-ICP-MS锆石U-Pb测年 , Hf 同位素测年 , 长安堡钼铜矿床 , 吉林中部

高炉喷吹重力除尘灰研究

李燕江 , 吕庆 , 卢建光 , 刘小杰 , 黄宏虎 ,

钢铁钒钛 doi:10.7513/j.issn.1004-7638.2015.06.011

分析了邯宝钢铁有限公司高炉重力除尘灰的着火点、可磨性、喷流性等性能,利用煤粉燃烧炉研究助燃剂对除尘灰燃烧率的影响,采用煤学岩相测试技术分析除尘灰中未燃煤粉和焦炭存在的不同结构形态,确定了邯宝高炉除尘灰中含碳物质的来源.结果表明,邯宝高炉除尘灰中的碳元素含量比较高,且其可磨性、喷流性能优于喷吹煤粉.高炉重力除尘灰中焦炭的显微组成包括块状结构、片状结构、流动结构、粒状镶嵌结构和类丝碳;未燃煤粉的显微组成包括有机残碳颗粒、微变原煤颗粒、气孔原煤颗粒.结合喷吹高炉重力除尘灰经济效益的分析,得出邯宝高炉可以进行重力除尘灰的喷吹应用.

关键词: 高炉 , 重力除尘灰 , 喷吹 , 燃烧性能 , 岩相分析

高压13.56MHz PECVD法沉积器件质量级本征微晶硅材料

侯国付 , 郭群超 , , 薛俊明 , 任慧志 , 宋建 , 张晓丹 , 赵颖 , 耿新华 , 李以钢

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.007

本文国内首次报道了采用高压RF-PECVD技术沉积本征微晶硅材料的结果.实验表明,增大等离子体激发功率和减小硅烷浓度都能够使薄膜材料由非晶硅逐渐向微晶硅转变,而结构上的改变使得电学特性也随之改变.通过工艺参数的优化和纯化器的使用,有效地控制了氧的掺杂,在较高的生长速度下得到了器件质量级的本征微晶硅材料.将实验得到的微晶硅作为太阳电池光吸收层,在没有ZnO背电极和没有优化窗口层材料以及p/i界面时,电池的效率达到5.22%,这进一步表明本征微晶硅材料的良好性能.

关键词: 微晶硅 , 太阳电池 , 高压 , 氧施主掺杂

提高铝电解电容器用阳极箔比表面积的研究进展

吴玉程 , 郑红梅 , 刘家琴 , 崔接武 , , 秦永强 , 洪雨 , 刘勉诚

功能材料与器件学报

铝电解电容器因其成本低廉、存储电容量高而广泛应用于各种各样的电子设备中.市场化经济的快速发展对铝电解电容器的小型化、高比容、低成本、高频低阻抗等性能要求日益激烈.根据电容器的结构特点可知提高铝电解电容器高性能的关键技术就是要提高阳极铝箔的比表面积.本文从铝原箔的质量包括化学成分、组织结构、表面质量,以及腐蚀技术包括改进工艺、添加缓蚀剂、采用模板控制等方面,总结目前科学家在提高铝电解电容器用阳极箔比表面积研究工作的进展.

关键词: 高纯铝箔 , 立方结构 , 比表面积 , 电解电容器 , 点蚀

近化学计量比掺镁铌酸锂晶体的抗光折变性能

孔勇发 , 许京军 , 刘宏德 , , 阎文博 , 谢翔 , 黄自恒 , 陈绍林 , 张光寅

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.026

应用气相传输平衡技术,我们获得了3种近化学计量比掺镁铌酸锂晶体,晶体的掺镁量接近我们以前提出的第二阈值.在我们实验室所能达到的最大光强26 MW/cm2照射下,在所有近化学计量比掺镁铌酸锂晶片中没有观察到光斑畸变,该光强比同成分铌酸锂晶体所能承受的光强高6个量级,为目前已报道的铌酸锂晶体之最.应用双光束全息写入法测得掺1.0 mol% Mg近化学计量比铌酸锂晶体的光折变饱和值仅有4.6×10-7,比同成分铌酸锂晶体小两个量级,从已有实验数据推测,该晶体的抗光折变能力应当比同成分铌酸锂晶体高9个量级以上.

关键词: 铌酸锂 , 近化学计量比 , 光折变

定向进化提高枯草芽孢杆菌脂肪酶的活力

赵博 , 陶进 , 马吉胜 , 廉虹 , , 常琳 , 高仁钧 , 曹淑桂

催化学报

通过定向进化的方法, 提高了一个新的源于枯草芽孢杆菌 (Bacillus subtilis) 的脂肪酶 (BSL2) 的活力. 经过两轮易错 PCR 以及高通量筛选, 最终获得了比活力为野生出发酶 4.5 倍的突变体 3-1B2. 基因比对结果表明, 共有两个氨基酸发生了突变. 突变酶的酶学性质研究发现, 与野生酶相比, 它的热稳定性及 pH 稳定性略有增加, 最适温度和最适 pH 值则无太大的变化. 同源模建了 BSL2 与 3-1B2 的结构, 并与底物进行了分子对接. 结果表明, 突变体 3-1B2 的结合能比野生型 BSL2 低 1.29 kcal/mol, 活性中心 Ser77 残基与底物羰基的距离也由 0.319 nm 减小为 0.278 nm, 因而加快了酶反应速度, 提高了酶活力.

关键词: 枯草芽孢杆菌 , 脂肪酶 , 易错聚合酶链反应 , 定向进化 , 分子对接

P型微晶硅材料及在薄膜太阳电池上的应用

朱锋 , 魏长春 , 张晓丹 , 高艳涛 , 孙建 , , 韩晓艳 , 赵颖 , 耿新华

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.04.006

采用VHF-PECVD技术沉积硼掺杂的P型微晶硅薄膜材料,在硅烷浓度(SC)为0.8%,反应气压93Pa时,随等离子体功率的增加,材料的晶化率和电导率先增大,后减小;薄膜的透过率随功率的增大而增加.将获得的P型微晶硅薄膜应用在微晶硅薄膜太阳电池中,电池结构为glass/p-μc-Si:H/I-μc-Si:H/n-μc-Si:H/Al, 厚度约1μm,没有背反射电极的情况下,电池效率达到了7.32%(Voc=0.520V,Jsc=21.33mA/cm2,FF=64.74%).

关键词: VHF-PECVD , 微晶硅 , 太阳电池

Bi3.25La0.75Ti3O12纳米片的水热合成及表征

郑刚 , 刘晓芳 , , 刘晓利 , , 高磊 , 孙华君 , 魏铭

人工晶体学报

以硝酸铋、硫酸钛和硝酸镧为原料,氢氧化钠为矿化剂,采用水热法制备了镧掺杂的钛酸铋片状纳米材料,研究了水热温度和水热时间对其结构的影响.采用XRD和SEM对产品的物相和结构进行了表征.结果表明:以硫酸钛作为无机钛源,在较低的水热温度(200 ℃)、水热时间为6 h时可以制备出花状的Bi3.25La0.75Ti3O12纳米片.

关键词: Bi3.25La0.75Ti3O12 , 水热时间 , 水热温度

系列Ln(Ⅲ)配聚物的合成、结构及近红外发光性能

胡晓双 , 艳梅 , , 李艳莹 , 杨艳红 , 迟玉贤 , 金晶 , 牛淑云

应用化学 doi:10.11944/j.issn.1000-0518.2017.04.160366

通过水热反应合成5种结构新颖的配聚物:{[Ln2(1,3-bdc)3(H2O)4](DMF(H2O}n[Ln=Pr(1),Nd(2),Gd(3)]和{[Ln4(1,3-bdc)6(H2O)4(DMF)](DMF(2H2O}n[Ln=Er(4),Ho(5)](1,3-bdc:间苯二甲酸,DMF:N,N-二甲基酰胺). 通过单晶X射线衍射、红外光谱、紫外-可见-近红外(UV-Vis-NIR)光谱、荧光光谱等技术手段对产物的结构和性能进行了表征. 结果表明,配聚物1~3是同构的,属单斜晶系,P2(1)/n空间群;配聚物4、5是同构的,属三斜晶系,P-1空间群. 在晶体中,间苯二甲酸根采用多样的配位模式,使配聚物呈现多维的结构. 除配聚物4,其余均呈现Ln(Ⅲ)的特征NIR发光,并与其UV-Vis-NIR吸收光谱相关联.

关键词: Ln(Ⅲ)配聚物 , 晶体结构 , 近红外发光

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