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菱镁矿品位对MgO膨胀剂组成结构及性能的影响

, 邓敏 , 莫立武 , 储玉婷

材料科学与工程学报

通过对煅烧菱镁矿尾渣与二级菱镁矿所得MgO膨胀剂(MEA)组成、微观结构、活性及膨胀特性的研究,探讨了低品位菱镁矿制备MEA的可行性.结果表明,菱镁矿尾渣中方解石、白云石及铁元素等杂质的存在使MEA中f-CaO含量较高,方镁石含量较低;菱镁矿尾渣MEA中MgO晶粒为条状颗粒,而非二级菱镁矿MEA的球粒状,晶粒尺寸变大,晶粒间排列紧密,MEA颗粒表面有裂纹存在;柠檬酸法检测低品位菱镁矿所制MEA活性时应调整柠檬酸用量;有效膨胀组分含量低的情况下,800℃煅烧掺量为4wt%、6wt%和8wt%及850℃煅烧掺量为8wt%时,掺菱镁矿尾渣MEA水泥浆体的膨胀率比掺二级菱镁矿MEA水泥浆体的膨胀率大.可见,在一定条件下低品位菱镁矿所制MEA膨胀性能较高品位菱镁矿所制MEA好,有利于低品位菱镁矿矿产资源的有效利用.

关键词: 低品位菱镁矿 , MEA , 组成 , 活性 , 微观结构 , 膨胀性能

限制条件下砂浆中MgO膨胀剂的膨胀特性

储玉婷 , 邓敏 , 莫立武 ,

硅酸盐通报

本文研究了掺MgO膨胀剂(MEA)的限制砂浆试件在不同温度水养护条件下的限制膨胀率,对不同活性的MEA的膨胀特性进行了评价.结果表明,随着MEA掺量的增加,砂浆试件的限制膨胀率也随之增大;MEA活性越高,试件膨胀率增长越快;养护温度的升高缩短了膨胀稳定的时间,活性反应时间为68 s的MEA在20℃、30℃、40℃、60℃和80℃水养护条件下膨胀终止时间分别约为180 d、120 d、90d、14 d和7d,可见,养护温度的升高对MEA的水化加速作用明显;同时,养护温度的升高对掺MEA砂浆试件的最终膨胀率有一定影响.高温养护与低温养护条件下MEA的膨胀特性具有一定的关联性.

关键词: MgO膨胀剂 , 限制膨胀率 , 养护温度 , 膨胀特性

铜双金属薄膜的激光诱导换膜和伏性质

刘婧 , 陈福义 , 樊莉红 , 张金生

贵金属 doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2012.02.004

利用激光诱导换膜的方法在氧化钛基体上制备出了铜双金属薄膜,通过控制激光加工的参数和铜成分制备出样品.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)和J-V曲线分别对加工前后样品的结构、形貌及伏性质进行了表征.结果表明:随着溶液中Cu2+浓度的增加,在ITO玻璃上所制备的铜纳米枝晶的尺寸减小;利用激光诱导换膜工艺,可以在氧化钛基体上制备出铜双金属薄膜;相比氧化钛膜,在氧化钛膜上沉积铜双金属薄膜的阳极具有更高的短路电流密度和开路电压;随着激光加工功率的增大,氧化钛膜上的铜颗粒变小,阳极的短路电流密度和开路电压均有增大,但是当激光加工功率很大时,其开路电压变小;在同一激光加工功率下,随着铜双金属薄膜中银含量的增大,其短路电流密度和开路电压均有增大.

关键词: 复合材料 , 铜双金属 , 氧化钛 , 阳极 , 电沉积 , 激光诱导换膜 , 伏性质

伏电池正极浆用球形银粉的制备

琚伟 , 马望京 , 彭丹 , 牟秋红 , 张方志 , 陈义祥

贵金属

采用化学还原法制备伏电池正极浆用球形银粉,通过扫描电镜(SEM)和激光粒度仪表征了银粉的形貌和粒度,研究还原剂的种类、表面活性剂浓度以及反应时间等工艺条件对银粉粒度及形貌的影响。结果表明,采用抗坏血酸作还原剂、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作分散剂时,可以得到分散性好、粒度约为1.5μm的球状银粉。将该银粉制成浆料,印刷、烘干并烧结后,表征了电极形貌,用四探针电阻仪测得烧结层的方阻<5m?/□,可满足太阳能电池的电性能要求。

关键词: 金属材料 , 伏电池 , 球形银粉 , 正极 , 粒径均一

沉积微弧氧化TiO2膜光催化杀菌研究

苏会东 , 刘瑛 , 魏守强 , 邵忠财 , 翟玉春

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2006.01.009

以磷酸钠为电解液,采用微弧氧化技术在钛片上直接制备TiO2膜,利用硝酸银光沉积法对该膜表面进行修饰,以酵母菌为目标物来评价TiO2膜光催化杀菌的能力.利用XRD、SEM、EDX对微弧氧化膜晶型、表面形貌和成分进行观察.研究结果表明:微弧氧化TiO2膜主要由锐钛矿TiO2组成,电解时间增长锐钛矿TiO2增多,TiO2膜光催化杀菌效果明显好于单独紫外的杀菌效果;沉积修饰可以改变微弧氧化TiO2膜的表面成分,改善膜的光催化性能.沉积微弧氧化TiO2膜和微弧氧化TiO2膜以及单独紫外30min的杀菌效率分别为98.5%、75.4%和42.5%.并简介微孤氧化TiO2催化剂可以重复使用.

关键词: 二氧化钛 , 微弧氧化 , 沉积 , 光催化杀菌

铜双原子MACE法制备多晶硅陷结构及其性能的研究?

郑超凡 , 沈鸿烈 , 蒲天 , 蒋晔 , 李玉芳 , 唐群涛 , 吴斯泰 , 陈洁仪 , 金磊

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.01.042

采用一步铜双原子金属辅助化学腐蚀(MACE)法,于室温下在多晶硅表面制备纳米陷结构,研究了腐蚀时间及铜摩尔比对多晶硅表面反射率和形貌的影响.用分光光度计测量了多晶硅表面的反射率,用扫描电镜观察了表面形貌.发现铜双原子MACE法所形成的结构比单原子或铜单原子MACE 法所形成的结构更加平整且具有更低的表面反射率室温下经过铜两种金属原子协同催化腐蚀后,在铜原子摩尔比低于1/10时多晶硅表面形成了纳米多孔状与槽状结构共存的复合结构,在铜原子摩尔比高于1/5时多晶硅表面形成密集的纳米线结构.研究结果表明,孔状与槽状的复合结构具有良好的陷效果,当铜原子摩尔比为1/10,腐蚀时间为180 s时,多晶硅的反射率达到最低,仅为6.23%.

关键词: 黑硅 , 减反射 , 纳米结构 , 金属辅助化学法 , 铜双原子

一维氧化硅/核-壳型纳米复合材料的制备及其消性能

刘琨 , 冯其明 , 欧乐明 , 赵明君 , 肖愉

中国有色金属学报

利用预处理-化学镀法在氧化硅纳米线表面包覆层,制备出具有一维核-壳结构的氧化硅/纳米复合材料.结果表明:当Ag(NH3)2+浓度为0.05~0.25 mol/L时,可在氧化硅纳米线表而彤成银包覆层,随着氨离子浓度的增加,其厚度从数十纳米增加到上百纳米;壳层由大小不一、纯度很高、面心立方结构的纳米粒子紧密堆积而成;一维氧化硅/核-壳纳米复合材料的实测值紫外-可见吸收光谱和采用离散偶极近似理论模拟计算的理论光谱很接近;可见区的吸收峰和近红外区的吸收峰分别来源于核-壳纳米复合材料横向和纵向偶极表面等离子体共振层厚度的增加使近红外区的吸收峰发生明显蓝移.

关键词: 氧化硅/ , 一维核-壳纳米结构 , 化学镀 , 性能 , 离散偶极近似

纳米线柔性透明导电薄膜的可控制备和、电性能

钱小立 , 张欢 , 文韬 , 廖景文 , 彭海炎

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.02.019

柔性电子学的高速发展,亟需开发新型高透光率、低电阻的的柔性透明导电薄膜.首先在聚乙烯吡咯烷酮(PVP)存在下,用乙二醇还原硝酸法合成了纳米线,并采用氯化铁(FeCl3)调节纳米线的直径和长径比,获得了直径为100 nm、长度为47 μm、分散均匀的纳米线.然后将纳米线沉积在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜上形成纳米线导电薄膜,研究了纳米线沉积密度和直径对导电薄膜透光率和方阻的影响规律.研究发现,随着纳米线沉积密度的增加,导电薄膜的透过率和方阻都降低,但其品质系数(F.O.M.)增加,最高可达410.当导电薄膜的透光率为80%时,纳米线直径为35和70 nm的体系具有较低方阻,约132 Ω/□.而且,该导电薄膜还表现出良好的耐弯曲性能.

关键词: 纳米线 , 柔性透明导电膜 , 氯化铁 , 透光率 , 方阻

金修饰TiO2纳米管阵列阳极的制备及其伏性质

樊莉红 , 陈福义 , 刘婧 , 张金生 , 刘建

贵金属 doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2012.01.007

采用阳极氧化法,以金属钛箔为原料制备了TiO2纳米管阵结构染料敏化纳米晶太阳能电池( DSSC)阳极,并用电沉积、沉积和真空蒸发法对其表面分别进行金属Ag和Au修饰.对金属修饰前后的阳极用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射分析仪(XRD)表征发现:阳极氧化法制备的TiO2纳米管阵列结构规整有序;经过化学沉积后,其表面均覆盖有一层致密的金属粒子薄膜.测量光电流密度-电压(J-V)曲线和电化学阻抗谱(EIS)发现:相比纯TiO2纳米管阵列,经过Ag修饰后的TiO2阵列其短路电流密度和开路电压最大可以分别提高到前者的4.9和1.7倍,并且其电化学阻抗出现显著降低.研究表明:金属Ag修饰改善了TiO2纳米管之间的连通性,提高了TiO2阳极中电子的传输效率,并通过等离子共振激发出光电子,同时与TiO2相互作用,使其在可见区域也能够促进电子-空穴对的分离.

关键词: 复合材料 , Ag , Au , 阳极 , TiO2纳米管阵列 , 电沉积 , 沉积

基于组态的包钢耐火配料系统设计

胡万里

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2010.01.023

介绍了利用组态作为监控,可编程控制器作为下位机,实现了耐火厂散料配料系统的自动化生产,该系统具有手动功能和自动功能,手动功能具有现场手动和上位机手动功能,自动功能具有全自动和半自动功能.该系统可实现配方和配料制度的任意更改,投资低,故障少,自动化程度高.

关键词: 组态 , 配料 , 上位机

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