张有为
,
万里
,
程新红
,
王中健
,
夏超
,
曹铎
,
贾婷婷
,
俞跃辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11663
采用水基原子层沉积(H2O-based ALD)方法在石墨烯上直接生长Al2O3介质薄膜, 研究了Al2O3成核机理. 原子力显微镜(AFM)对Al2O3薄膜微观形态分析表明, 沉积温度决定着Al2O3在石墨烯表面的成核生长情况, 物理吸附在石墨烯表面的水分子是Al2O3成核的关键, 物理吸附水分子的均匀性直接影响Al2O3薄膜的均匀性. 在适当的温度窗口(100~130℃), Al2O3可以均匀沉积在石墨烯上, AFM测得Al2O3薄膜表面均方根粗糙度(RMS)为0.26 nm, X射线光电子能谱(XPS)表面分析与元素深度剖析表明, 120℃下在石墨烯表面沉积的Al2O3薄膜中O和Al元素的含量比约为1.5. 拉曼光谱分析表明, 采用H2O-based ALD工艺沉积栅介质薄膜不会降低石墨烯晶体质量.
关键词:
石墨烯; 原子层沉积; Al2O3薄膜
张有为
,
万里
,
程新红
,
王中健
,
夏超
,
曹铎
,
贾婷婷
,
俞跃辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11663
采用水基原子层沉积(H2O-based ALD)方法在石墨烯上直接生长Al2O3介质薄膜,研究了Al2O3成核机理.原子力显微镜(AFM)对Al2O3薄膜微观形态分析表明,沉积温度决定着Al2O3在石墨烯表面的成核生长情况,物理吸附在石墨烯表面的水分子是Al2O3成核的关键,物理吸附水分子的均匀性直接影响Al2O3薄膜的均匀性.在适当的温度窗口(100～130℃),Al2O3可以均匀沉积在石墨烯上,AFM测得Al2O3薄膜表面均方根粗糙度(RMS)为0.26 nm,X射线光电子能谱(XPS)表面分析与元素深度剖析表明,120℃下在石墨烯表面沉积的Al2O3薄膜中O和Al元素的含量比约为1.5.拉曼光谱分析表明,采用H2O-based ALD工艺沉积栅介质薄膜不会降低石墨烯晶体质量.
关键词:
石墨烯
,
原子层沉积
,
Al2O3薄膜
王龙彦
,
王中健
,
马仙梅
,
付国柱
,
荆海
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.02.010
分析了4种典型的电流型AM OLED像素驱动电路的工作原理,从中总结出了补偿阈值电压漂移的方法--自动调节存储电容的电压以保证电流不变.着重提出了电流缩放比的定义,对传统结构、电流镜结构、分压结构和电容耦合结构这4种电流型AM OLED像素驱动电路的电流缩放比进行了比较和分析.在这4种电路中,电流缩放比依次增大,显示出电流型像素电路在解决电容充电时间问题上的进步与完善.
关键词:
有源矩阵OLED
,
电流型像素电路
,
薄膜晶体管
,
阈值电压漂移
,
电流缩放比
夏超
,
王中健
,
何大伟
,
徐大伟
,
张有为
,
程新红
,
俞跃辉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.01.004
本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV.研究发现,注入剂量(9*13 -8*14cm-2)增加会引起触发电压减小,维持电压升高；Trench长度(0.8 -1.1μm)增加,器件触发电压几乎不变,维持电压降低；场氧化层长度(2 -4.5μm)增加,触发电压和维持电压均增加.
关键词:
SOI ESD
,
SCR
,
Sentaurus
,
保护器件
何大伟
,
程新红
,
王中健
,
徐大朋
,
宋朝瑞
,
俞跃辉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.02.004
本文采用反转胶lift-off工艺,对比分析了金属淀积方式、光刻胶的选择及光刻胶烘干时间对金属剥离效果的影响,制备出最小线宽4μm,最小间距4μm,厚度为1μm,线宽误差小于0.5μm的金属线条,并最终实现具有三层金属的堆栈电感,经光学显微镜和台阶仪观测表明,器件外观良好成品率高.
关键词:
堆栈电感
,
lift-off
,
金属剥离
,
反转胶
,
SOI
王立东
,
王中健
,
程新红
,
万里
功能材料与器件学报
本文对具有不同的栅源双场板结构的p-GaN栅HEMT器件的性能进行了比较,利用半导体器件仿真工具Synopsys TCAD对器件电学特性进行了分析.仿真结果显示:栅源复合场板结构能改善栅场板边缘的电场峰值,在源极场板边缘产生一个新的峰值,可使器件的击穿电压提高到1365V;间断栅场板与源场板复合结构,能在场板间隙位置产生新的电场峰值,更充分的利用漂移区耐压,使其击穿电压值达到1478V;栅源复合间断场板结构能缓解源场板对栅间断处电场峰值的抑制作用,器件击穿电压提高到最大值1546V.
关键词:
AlGaN/GaN异质结
,
高迁移率晶体管(HEMT)
,
复合场板
,
电场峰值
,
击穿电压
王中健
,
王龙彦
,
马仙梅
,
付国柱
,
荆海
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.02.011
透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速.文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型.
关键词:
透明非晶态氧化物半导体
,
薄膜晶体管
,
有源矩阵有机发光二极管
,
有源矩阵电泳显示器
,
集约化模型
马仙梅
,
荆海
,
马凯
,
王龙彦
,
王中健
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.03.013
采用MOCVD法在SiNx绝缘薄膜上生长了ZnO薄膜,通过X射线衍射与光致发光光谱表征了ZnO薄膜的质量.其结果是:XRD特征峰半高全宽0.176°,光致发光仅有381.1nm的发光峰,展现了ZnO薄膜光电特性的优势.制备了底栅型ZnO薄膜晶体管,测试表明器件具有明显的场效应特性及饱和特性.
关键词:
氧化锌薄膜晶体管
,
氧化锌薄膜
,
X射线衍射
,
光致发光
马仙梅
,
荆海
,
王永刚
,
王龙彦
,
王中健
,
马凯
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.06.013
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了高质量的Ga掺杂ZnO透明导电薄膜(GZO).通过X射线衍射、原子力显微镜、四探针电导率测试仪等表征方法研究了溅射气压对薄膜结晶特性及导电性能的影响.所制备的GZO薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.随着溅射气压的增大,薄膜方块电阻与薄膜电阻率均随之增大.最小方块电阻可达17.6 Ω/□,最小薄膜电阻率为7.3×10~(-4) Ω·cm.另外,GZO薄膜在可见光范围内的透过率达到了90%以上.
关键词:
GZO
,
磁控溅射
,
氩气压强
张斌
,
朱文清
,
王中健
功能材料与器件学报
本文针对现代LED驱动芯片对高压元器件的需要,结合SOI衬底技术在功率集成电路上的优势,分析了SOI高压器件的耐压原理,提出500V级SOI高压器件设计方案.在SOI衬底上设计了具有40μm线性渐变掺杂漂移区的LDMOS结构,对器件性能进行了仿真,并开发了与CMOS工艺兼容的制备流程.成功进行实验,测试结果显示,器件击穿电压可达550V,比导通电阻为5.8Ω· mm2 .
关键词:
SOI
,
LED
,
LDMOS
,
高压器件
