赵丽伟
,
刘彩池
,
滕晓云
,
朱军山
,
郝秋艳
,
孙世龙
,
王海云
,
徐岳生
,
胡家辉
,
冯玉春
,
郭宝平
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.019
本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相互作用而终止于GaN体内.观察缺陷腐蚀形貌还发现,接近裂纹处腐蚀坑的密度要高于远离裂纹处腐蚀坑的密度,围绕裂纹有许多由裂纹引起的位错.腐蚀坑的密度可以很好地反映GaN晶体的质量.晶体质量较差的GaN片,腐蚀后其六角腐蚀坑的密度高.
关键词:
GaN
,
湿法腐蚀
,
六角腐蚀坑
,
SEM
滕晓云
,
白琼宇
,
边亚燕
,
杨保柱
,
段平光
,
李婷
,
徐书超
,
王志军
,
李盼来
人工晶体学报
采用固相法合成了Ca10Li(PO4)7∶xSm3+橙红色荧光粉,研究了材料的发光性质.结果表明,以404 nm近紫外光作为激发源时,Ca10Li(PO4)7∶xSm3+表现为多峰特征,主峰位于569 nm、606 nm、651 nm和713 nm,分别对应Sm3+的4G5/2→6H5/2、4G5/2→6H7/2,4 G5/2 →6H9/2 and 4 G5/2 →6H11/2跃迁发射,且606 nm发射峰最强,材料发射橙红光;监测606 nm发射峰,对应的激发光谱包含363 nm、376 nm、404 nm和478nm多个激发峰;改变Sm3+的掺杂量,发现Ca10 Li(PO4)7∶Sm3+的发射强度表现出先增大、后减小的变化趋势,x=0.05时发射强度最大,即存在浓度猝灭现象,造成浓度猝灭的机理为电多极相互作用,Ca10Li(PO4)7∶Sm3+的色坐标基本不变,位于橙红色区域.Ca10Li(PO4)7∶Sm3+具有较好的温度特性,激活能为0.188 eV.
关键词:
发光
,
Ca10Li(PQ4)7∶Sm3+
,
固相法
,
荧光粉
于威
,
张丽
,
张子才
,
杨丽华
,
滕晓云
,
张锦川
,
傅广生
人工晶体学报
采用脉冲激光沉积技术在蓝宝石衬底上制备了不同Mn掺杂浓度的ZnO薄膜(ZnO: Mn),研究了与生长相关的浅缺陷能级对薄膜磁性的作用.结果表明:所制备的ZnO: Mn薄膜均具有高度c轴择优取向,且具有室温铁磁性.随Mn含量增加,薄膜结晶质量逐渐提高,晶粒尺寸明显增大,单位磁性离子磁矩逐渐减小.薄膜所显示出的铁磁性可归结为材料结构缺陷的本质反映.薄膜导电特性变化反映了薄膜生长过程所决定的晶粒内部和晶粒边界缺陷密度变化的竞争,与此对应,激活能的变化反映了晶粒内部费米能级位置先升高而后降低.薄膜的载流子传输在低温下满足变程跳跃电导机制,该机制和材料的铁磁性紧密相关.近邻Mn离子比例的增加将对薄膜铁磁性的减小产生贡献.
关键词:
ZnO:Mn薄膜
,
室温铁磁性
,
结构缺陷
张子才
,
于威
,
张坤
,
滕晓云
,
傅广生
人工晶体学报
采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术,在α-Al2 O3衬底上制备了N-Al共掺ZnO薄膜样品.Hall测量表明室温下ZnAlO∶N薄膜为n型传导,在O2等离子体气氛中550℃退火后变为p型.p型ZnO薄膜的载流子浓度为2.1×1016 cm-3,霍尔迁移率为5 cm2/V·s.用X射线光电子能谱仪(XPS)对退火前后的ZnO薄膜进行了各元素的化学态分析.XPS结果表明,ZnAlO∶N薄膜中存在两种与N元素有关的缺陷,N原子替代O位形成的(N)o和N分子替代O位形成的(N2)o.退火后ZnAlO∶N薄膜中(N2)o缺陷减少,(N)o缺陷浓度占优导致了薄膜传导类型转变.
关键词:
ZnO薄膜
,
XPS
,
(N)o缺陷
于威
,
高卫
,
吴艳华
,
滕晓云
,
傅广生
人工晶体学报
采用X射线衍射、扫描电子显微镜和光致发光等技术研究了空气退火对ZnS薄膜的结构和光学特性的影响.薄膜在500℃以下退火后结晶质量得到改善,仍呈ZnS立方相结构.退火温度达到550℃时,薄膜中出现ZnO六方相结构.薄膜退火后,大气中的氧掺入薄膜中,出现ZnS-ZnO复合层.随退火温度升高,薄膜晶粒尺寸增大,透过率增加,带隙逐渐接近ZnO带隙.薄膜光致发光结果表明,复合层内ZnS和ZnO绿色发光的叠加替代了来自ZnS缺陷能级间的绿色发光.
关键词:
ZnS薄膜
,
退火
,
光致发光
于威
,
许贺菊
,
张丽
,
滕晓云
,
张锦川
,
傅广生
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.z1.007
采用螺旋波等离子体辅助射频溅射技术在Al203衬底的(0001)面上制备了ZnO薄膜.通过对其结构,光学及电学性质的分析,探讨了氧分压对薄膜生长及其特性的影响.结果表明,由于等离子体对反应气体的活化及载能粒子对表面反应的辅助作用,采用该等离子体辅助溅射技术能够在合适的氧分压下制得较高质量的ZnO薄膜.
关键词:
ZnO薄膜
,
螺旋波等离子体
,
氧分压
滕晓云
,
杨红红
,
于威
,
张子才
,
李晓苇
,
傅广生
人工晶体学报
采用射频磁控溅射技术在硅衬底上制备了ZnO∶ Eu3+薄膜,利用X射线衍射仪和荧光光谱仪对样品的微观结构及光学性能进行了表征.结果表明:ZnO∶ Eu3+薄膜具有六角纤锌矿结构；在基质激子的激发下,ZnO∶ Eu3+有很强的Eu红光特征发射且强度随着ZnO缺陷的增加而增加,激发光谱中出现ZnO的带间激发与纯Eu2O3的直接激发光谱,证明了ZnO和Eu3+之间存在能量转移；荧光衰减谱也进一步证明Eu3+依赖ZnO缺陷的能量转移过程,Eu3+的衰减时间随着ZnO缺陷的衰减时间的变化而变化,促进能量传递的一个有效的方法就是在ZnO基质中确定一个合适的缺陷中心.
关键词:
ZnO∶Eu3+薄膜
,
磁控溅射
,
光致发光
滕晓云
,
刘彩池
,
郝秋艳
,
许贺菊
,
于威
,
傅广生
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.z1.003
采用脉冲激光沉积法在Si(111)基片上制备了ZnO薄膜.利用X射线衍射、光致发光、扫描电子显微镜等表征技术研究工作氧压对ZnO薄膜的结晶特性和光学性能的影响.研究结果表明,氧压的增大,有助于更多的氧原子进入晶格,有效减少薄膜中的缺陷和应力,使ZnO薄膜结构趋于完整,但是过高的氧压将严重地影响薄膜的沉积速率,加剧衬底Si的氧化,从而使薄膜的结晶质量恶化.所有的ZnO薄膜均显示出较强的紫外发光蜂,并且结晶性与发光特性有很好的一致性.
关键词:
ZnO薄膜
,
氧压
,
脉冲激光沉积
赵丽伟
,
滕晓云
,
郝秋艳
,
朱军山
,
张帷
,
刘彩池
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.01.009
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在Si(111)衬底上外延生长不同厚度的GaN.外延层薄的GaN表面存在大量的V缺陷,并且V缺陷的两侧有相互平行的带状高坡;外延层厚的GaN表面没有V缺陷,表面平整且晶体质量高.位错处存在晶格畸变,杂质易于在此处聚集,达到一定浓度就会抑制晶体在此处生长而形成V缺陷.受位错附近应力场与气流的影响,V缺陷两侧出现带状高坡.生长时间延长,GaN表面的V缺陷就会被填满,带状高坡横向生长合并成为平整的表面.用m(KOH)∶m(H2O)＝1∶10的KOH溶液腐蚀后,平整的表面出现六角腐蚀坑,密度与原生坑密度相近,认为是原生坑被填满的位置腐蚀后再次出现.
关键词:
GaN
,
V缺陷
,
湿法化学腐蚀
,
六角腐蚀坑
