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Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.015

为研究Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对Pow-er MOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的亚阈值曲线漂移情况,通过最大斜率线性外推法和亚阈值分离方法提取了开启电压、增益因子、迁移率、氧化物陷阱电荷和界面态电荷随辐照总剂量的漂移情况.研究结果表明:在1000krad(Si)辐照下器件开启电压漂移小于2V,迁移率退化小于20%,氧化物陷阱电荷和界面态电荷处于比较理想的状态,小于2×1011cm-2.

关键词: VDMOS , 辐照 , 氧化物陷阱电荷 , 界面态电荷

全耗尽SOI MOSFET阈值电压解析模型

李瑞贞 , 李多力 , 杜寰 , 海潮和 , 韩郑生

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.015

提出了一种简化的全耗尽SOI MOSFET阈值电压解析模型.该模型物理意义明确,形式简单,不需要非常复杂的计算.通过在不同条件下将本文的模拟结果和MEDICI模拟结果进行对比,验证了本模型的精确性.因此本模型对于器件物理特性的研究和工艺设计有很好的指导意义.

关键词: 全耗尽SOI MOSFET , 阈值电压 , 模型

RF领域的SOI器件及低噪声放大器电路研究

海潮和 , 靳伟

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.005

从两种不同结构形式的部分耗尽器件性能研究入手,以0.6μmNMOS工艺为基础,设计并研制了在芯片内部具有高Q值的平面电感的SOI低噪声放大器电路.电路在1.5V电压下,中心频率1.8GHz时峰值增益为24dB,浮体SOI器件结构的LNA电路比体接触结构的LNA电路有更高的增益和较低的噪声.

关键词: RF , SOI , 浮体 , 放大器

PDSOI NMOS/CMOS闩锁特性

曾传滨 , 海潮和 , 李晶 , 李多力 , 韩郑生

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.05.003

本文研究了部分耗尽绝缘体上的硅(PDSOI)NMOS、CMOS结构的闩锁(latch)特性.提出了一种体电极触发诱发PDSOI NMOS器件闩锁效应维持电压的测试方法,并用此方法测试出了不同栅长、栅宽和体接触结构NMOS/CMOS的闩锁效应维持电压,以及沟道注入条件和温度对维持电压的影响.

关键词: 绝缘体上的硅 , 闩锁 , 金属氧化物半导体

CMOS/SOI4kb静态随机存储器

刘新宇 , 孙海峰 , 刘洪民 , 韩郑生 , 海潮和

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.015

对一种CMOS/SOI4kb静态随机存储器进行了研究,其电路采用1k×4的并行结构体系.为了提高电路的速度和降低功耗,采用地址转换监控Address-Translate-Detector(ATD)、两级字线Double-Word-Line(DWL)和新型的两级灵敏放大等技术,其地址取数时间为30ns,最小动态工作电流为30mA(工作电压5V,工作频率2MHz),静态维持电流为1mA.CMOS/SOI4kb静态随机存储器采用1.2μm单层多晶、双层金属的SOICMOS抗辐照工艺技术,其六管存储单元尺寸较小:12.8μm×8.4μm,芯片尺寸为:3.6mm×3.84mm.

关键词: ATD电路 , DWL技术 , 抗辐照工艺

采用半背沟注入提高PDSOI nMOSFETs的热载流子可靠性

吴峻峰 , 毕津顺 , 李多力 , 薛丽君 , 海潮和

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.05.006

提出了一个提高PDSOI nMOSFETs可靠性的方法,并且研究了这种器件的热载流子可靠性.这种方法是在制造器件中,进行背沟道注入时只注入背沟道一半的区域.应力试验结果表明这种新的器件和常规器件相比,展示了较低的热载流子退变.2D器件模拟表明在漏端降低的峰值电场有助于这种器件提高的热载流子可靠性.

关键词: 半背沟 , 热载流子 , 可靠性

新型低压超结功率VDMOS器件数值模拟

蔡小五 , 海潮和 , 王立新 , 陆江

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.05.019

由于"Silicon Limit"的限制,VDMOS的导通电阻不能很大程度的降低,为了突破这一极限,超结VDMOS结构被采用,本文采用氮化硅硬掩模和高能硼注入在n型外延层中形成交替的p型区从而形成超结结构.利用ISE-TCAD模拟器进行工艺器件模拟,模拟结果表明击穿电压最大有40%的提高,同时导通电阻也有明显的降低.采用高能注入形成超结VDMOS为减小VDMOS导通电阻提供了一种切实有效的方法.

关键词: VDMOS , 超结 , 击穿电压 , 导通电阻

总剂量辐照加固的PDSOI 8位微控制器

郭天雷 , 赵发展 , 刘刚 , 海潮和 , 韩郑生 , 袁国顺 , 李素杰 , 姜明哲 , 张英武

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.011

对辐照加固的部分耗尽(Partially Depleted)SOI 8位微控制器(MCU)的总剂量辐照特性进行研究.该微控制器功能完全兼容intel MCS-51系列的80C51微控制器,采用1.2μm辐照加固的PDSOI CMOS工艺技术制备,芯片尺寸约为6.4mm×6.8mm.对该微控制器及同工艺条件下的MOSFET进行Co60辐照试验表明,在工作电压5V下,其总剂量加固水平高达1×106rad(Si),完全满足航空航天领域应用的要求.

关键词: 部分耗尽SOI , 微控制器 , 总剂量 , 辐照加固

抗辐照 H型栅 PD SOI NMOSFETs

赵洪辰 , 海潮和 , 韩郑生 , 钱鹤

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.016

在商用 SIMOX衬底上制备了部分耗尽抗辐照 H型栅 NMOSFETs,使用的主要技术手段有: 氮化 H2- O2合成栅介质加固正栅;增加体区掺杂,以提高背栅阈值电压;采用 H型栅结构,消除边缘寄生晶体管.结果表明,在经受 1E6rad(Si)的辐照后,器件特性没有明显恶化.

关键词: SOI , 总剂量辐照 , 氮化H2-O2合成栅介质 , H型栅

利用LEIS和EIS研究铁红环氧酯底漆在海水介质中的失效行为

王健生 , 仇性启

材料保护

为了明确铁红环氧酯底漆在沿海潮湿环境中的劣化过程,采用局部电化学阻抗谱(LEIS)技术和电化学阻抗谱(EIS)技术研究了铁红环氧酯底漆在海水介质中干湿循环条件下的失效过程.结果表明:铁红环氧酯底漆在干湿循环条件下对Q345R钢的防护性能呈阶段性变化.在海水渗入初期,涂层表面随机分布大量的高阻抗点,涂层的防护性能与完好涂层相差很少;但在海水渗透涂层后,整体阻抗值明显降低,同时试样表面随机分布的高阻抗点数量有所减少,导致涂层防护性能发生明显下降,Q345R钢基材开始被腐蚀.

关键词: 局部电化学阻抗 , 电化学阻抗 , 铁红环氧酯底漆 , 海水介质 , 干湿循环 , 失效 , Q345R钢

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