郑泽伟
,
沈波
,
张荣
,
桂永胜
,
蒋春萍
,
马智训
,
郑国珍
,
郭少令
,
施毅
,
韩平
,
郑有炓
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.021
通过低温和高磁场下的磁输运测量,首次在Al0.22Ga0.78N/GaN异质结中观察到了舒勃尼科夫-德哈斯振荡的双周期特性,发现在Al0.22Ga0.78N/GaN异质结的三角势阱中产生了二维电子气(2DEG)的第二子带占据,发生第二子带占据的阈值2DEG浓度估算为7.2×1012 cm-2,在阈值2DEG浓度下第一子带和第二子带能级的距离计算为75 meV.
关键词:
异质结
,
舒勃尼科夫-德哈斯振荡
,
第二子带占据
侯艳芳
,
沈军
,
肖琨
,
沈波
,
吴广明
,
周斌
,
翟继卫
,
倪星元
功能材料
以正硅酸乙酯、钛酸丁酯、异丙醇铝和γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷为先驱体,通过分步水解法制得SiO2-TiO2-Al2O3复合溶胶,利用提拉法在普通玻璃表面镀制无机-有机复合透明保护薄膜,通过各种测试方法,对SiO2-TiO2-Al2O3复合薄膜的结构和性质进行了分析,结果表明该薄膜具有致密、透明、耐磨擦等性能.由于铝、钛纳米氧化物颗粒的存在,使得硬度及耐磨擦性能比纯SiO2薄膜均有较大的提高.
关键词:
溶胶-凝胶
,
无机-有机复合
,
透明保护薄膜
,
耐磨擦
江若琏
,
席冬娟
,
赵作明
,
陈鹏
,
沈波
,
张荣
,
郑有炓
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.030
采用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长GaN薄膜,以此材料制备成光导型Si基GaN紫外探测器.探测器的光谱响应表明,在紫外波段250-360nm有近于平坦的光电流响应,363nm附近有陡峭的截止边,357nm波长处5V偏压下的响应度高达6.9A/W.响应度与偏压的变化关系表明,4V以前为线性增加,5V后达到饱和.
关键词:
Si基GaN
,
探测器
,
响应度
董一鸣
,
沈波
,
康利平
,
张良莹
,
姚熹
材料导报
采用预成瓷的方法,得到单斜类锆钙钛矿相Bi2(Zn1/3Ta2/3)2O7(β-BZT)和钙钛矿相CaTiO3(CT)的粉末,分别作为正负温度系数组元制备复相零温度系数微波陶瓷.预成瓷法可以抑制两相固溶反应,有效降低复相陶瓷烧结温度.采用复相方法可以调节温度系数,特别是在940℃烧结的CT含量为5%的样品,其介电常数εr=73.3(1MHz),温度系数αε=27×10-6/℃.
关键词:
电子材料
,
Bi2O3-ZnO-Ta2O5系陶瓷
,
复相陶瓷
,
介电性能
赵作明
,
江若琏
,
陈鹏
,
席冬娟
,
沈波
,
郑有炓
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.032
研究了Si基GaN上的欧姆接触.对在不同的合金化条件下铝(Al)和钛铝铂金(Ti/Al/Pt/Au)接触在不同的合金化条件下的性质作了详尽的分析.Al/GaN在450℃氮气气氛退火3min取得最好的欧姆接触率7.5×10-3Ω.cm2,而Ti/Al/Pt/Au/GaN接触在650℃氮气气氛退火20s取得最好的欧姆接触8.4×10-5Ω.cm2,而且Ti/Al/Pt/Au/GaN接触有较好的热稳定性.
关键词:
Si基GaN
,
欧姆接触
,
Al
,
Ti/Al/Pt/Au
郑泽伟
,
沈波
,
陈敦军
,
郑有炓
,
郭少令
,
褚君浩
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.011
通过低温强磁场下的磁输运实验,研究了AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构二维电子气(2DEG)的能带分裂性质.1.4 K温度下测量的磁阻曲线当磁场强度大于5.4 T时观察到的明显对应于第一子带的自旋分裂现象.用Dingle作图法得到本样品τq的大小为0.17 ps.结果表明,本实验所用的调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构具有较大的有效g因子g*.用高2DEG浓度导致的交换相互作用加强解释了g*增强效应.在磁阻测量中改变磁场方向,自旋分裂现象表现出各向异性.用异质结构界面处强的极化电场解释了自旋分裂的各向异性.
关键词:
调制掺杂
,
AlxGa1-xN/GaN
,
异质结构
,
二维电子气
,
迁移率
,
有效g因子
刘璞凌
,
丁士华
,
杨同青
,
沈波
,
姚熹
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.016
研究了A位La3+替代对Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)陶瓷结构和介电性能的影响.当La替代量x＜0.5时,陶瓷相结构为单一的立方焦绿石相.随着La替代量的增加,陶瓷样品的晶粒尺寸和密度逐渐减小.低温下的介电弛豫现象随着La替代量的增加也发生有规律的变化,介电常数逐渐减小,弛豫峰峰形逐渐宽化,峰值温度向低温方向移动.与La替代量为0.1、0.15、0.3和0.5相对应的弛豫峰的峰值温度分别为-95 ℃、-99 ℃、-109 ℃和-112 ℃.
关键词:
BZN陶瓷
,
立方焦绿石相
,
介电弛豫
陈小刚
,
姚熹
,
张德生
,
宋志棠
,
沈波
,
张良莹
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.02.001
本文研究了聚偏氟乙烯和三氟乙烯的铁电共聚物P(VDF/TrFE)的铁电弛豫现象,并讨论了铁电弛豫异常想象.比较了VDF不同含量的共聚物在辐照前后铁电性能的改变,电子辐照大大改变了聚合物样品的性能,使VDF含量52%和70%的样品出现了明显的铁电弛豫现象,但发现在VDF含量为80%的样品中存在一种铁电弛豫异常现象:铁电居里峰随着频率的升高而向低温端移动.研究样品的二氟乙烯(VDF)的摩尔含量在52%～80%之间.
关键词:
铁电共聚物
,
电子辐照
,
铁电弛豫
,
铁电异常
邓咏桢
,
孔月婵
,
郑有炓
,
周春红
,
沈波
,
张荣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.012
通过XRD和Raman谱研究了用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在Si(111)面上生长的AlN薄膜层上的应力和压电极化,Raman谱观察到两个声子峰位分别在619.5 cm-1(A1(TO))和668.5 cm-1(E2(high)).通过光学声子E2(high)的频移为13 cm-1计算得到AlN薄膜上的双轴压应力为5.1 GPa,在z轴方向上和在垂直于z轴方向上的应变分别为εzz=6.7×10-3和εxx=-1.1×10-2,产生的压电极化电荷PPE=2.26×10-2 c·m-2,这相当于在Si的表面产生浓度为1.41×1013 c·cm-2的电子积累.同时,实验还发现在MOCVD生长过程中存在Si原子的扩散,在界面处形成了一个过渡层,过渡层主要以Si原子取代Al原子的位置并形成Si-N键为主.
关键词:
拉曼谱
,
应力
,
压电极化
,
Si-N键
