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Co_2O_3掺杂对铌酸钾钠无铅压电陶瓷性能的影响

陈燕 , , 郑雪娟 , 涂娜 , 冯子义 , 陈超 , 李月明

稀有金属材料与工程

采用固相反应法制备了K_0.5Na_0.5NbO_3+xCo_2O_3(0≤x≤1%)无铅压电陶瓷,使用XRD、SEM、 Agilent 4294A精密阻抗分析仪等对该体系的相组成、显微结构、压电及介电等性能进行表征.结果表明:Co_2O_3的掺入并没有改变K_0.5Na_0.5NbO_3的晶体结构,该陶瓷材料仍然为正交相钙钛矿结构;Co_2O_3的掺入使材料的晶粒尺寸明显增大,但当x=1%时,晶粒尺寸减小,说明过多的Co_2O_3有抑制晶粒长大的作用;Co_2O_3的掺入使200 ℃附近的正交→四方铁电相变温度TO-T低温方向移动,居里温度TC高温方向移动,同时材料的压电常数d_(33)、机电耦合系数k_p均随之先增大后减小,机械品质因数Qm整体增大,1 kHz频率下的介电常数ε_r和介电损耗tanδ降低,密度显著增大.当x=0.5%时,陶瓷性能最佳:d_(33)=103 pC/N,k_p=0.362, tanδ=1.8%,ε_r=234,Qm=182,ρ=4.29 g/cm~3.

关键词: Co_2O_3掺杂 , K_0.5Na_0.5NbO_3 , 压电性能 , 介电性能

四方相区NBT-KBT无铅铁电介电弛豫与铁电相变研究

李月明 , 陈文 , 徐庆 , , 张玉

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.039

本文研究了具有四方结构的(Na1-xKx)0.5Bi0.5TiO3体系中x=0.22,0.26和0.30陶瓷材料不同温度下的电滞回线,结合变温XRD和介电温谱分析,发现该体系四方结构的组成为反铁电体,但紧靠准同型相界的四方结构由于场诱导下引起的反铁电-铁电相变,表现出铁电体特性,材料在升温过程中由于反铁电宏畴微畴的转变导致了介电峰的产生,且在介电温谱上表现出强烈的介电常数-频率依赖性,为弛豫铁电体特征.

关键词: 钛酸铋钠 , 钛酸铋钾 , 反铁电相变 , 介电弛豫

(1-4x)NBT-3xKBT-xBT系压电陶瓷电性能研究

廖润华 , 李月明 , 杜洁 , , 陈少华

人工晶体学报

采用传统固相法制备了(1-4x)NBT-3xKBT-xBT(x=0.020~0.035)体系压电陶瓷.采用XRD分析发现该体系陶瓷都能形成单一的钙钛矿型固溶体,并在0.025≤x≤0.032范围内具有三方和四方共存结构,为该体系的准同型相界.当x=0.028时,d33=162 pC/N,Qm=203.29,kp=0.234.电滞回线分析表明,(1-4x)NBT-3xKBT-xBT体系陶瓷随着KBT和BT含量的增加具有从铁电体反铁电体转变的趋势.

关键词: 钙钛矿 , 准同型相界 , 无铅压电陶瓷

Co2+掺杂Zn2SiO4结晶釉生长机理的研究

徐新民 , , 傅小龙 , 杨帆 , 邵虹 , 熊珊

人工晶体学报

以高岭土、石英、钠长石、石灰石、氧化锌等矿物为原料,ZnO为晶核剂,并掺杂Co2+控温烧结Zn2 SiO4结晶釉.利用X射线衍射仪(XRD)分析样品物相,白度色差计测量釉料色度(L*、a*、b*),EDS能谱仪分析样品组成含量.采用Johnson-Mehl-Avrami (JMA)方程对釉的结晶动力学进行分析,探讨釉中晶体的生长机理.结果表明:高温时Co2+置换了Zn2SiO4结晶釉中的Zn2+.随着保温时间的延长,掺杂了Co2+的Zn2SiO4晶体颗粒不断长大,在1140℃下保温170 min晶花达到最大,其晶花面积均值为410.91 mm2.模拟动力学分析,釉中晶体的Avrami指数n1100℃ =0.82,n1140℃=1.23,n1180℃=1.12,表明晶体的形成由扩散机制成核机制转变.拟合Arrhenius方程,晶体的活化能Ea=148.2 kJ/mol.

关键词: Zn2SiO4 , 结晶釉 , 动力学 , JMA方程

K_4CuNb_8O_(23)掺杂对K_(0.44)Na_(0.52)Li_(0.04)Nb_(0.86)Ta_(0.10)Sb_(0.04)O_3压电陶瓷性能的影响

陈燕 , , 涂娜 , 冯子义 , 陈超 , 李月明

人工晶体学报

采用固相反应法制备了K_(0.44)Na_(0.52)Li_(0.04)Nb_(0.86)Ta_(0.10)Sb_(0.04)O_3+x mol %K_4CuNb_8O_(23)(0≤x≤2)(简称LF4-KCN)无铅压电陶瓷,使用XRD、SEM、 Agilent 4294A精密阻抗分析仪等对该体系的相组成、显微结构、压电及介电等性能进行表征.XRD分析表明,随着KCN含量的增加,室温时样品由四方相向正交相转变,且当x≥1时,出现K_6Li_4Nb_(10)O_(30)杂相.SEM分析表明,掺入KCN后,样品晶粒尺寸减小,晶粒轮廓清晰.随着KCN含量的增加,在100 ℃附近的介电常数温度曲线上出现第二介电常数极大值,即正交→四方铁电相变温度T_(O-T),同时居里温度TC低温方向移动.KCN掺杂量对LF4的电性能有很大影响,表现为"硬性"掺杂,其压电常数d_(33),平面机电耦合系数k_p,1kHz频率下的介电损耗tanδ和介电常数ε_r均随着 KCN含量的增加而降低,而机械品质因素Q_m整体提高,样品的密度也显著增大.

关键词: K_(0.44)Na_(0.52)Li_(0.04)Nb_(0.86)Ta_(0.10)Sb_(0.04)O_3 , 压电陶瓷 , 掺杂

(Na0.9K0.1)0.5Bi0.5TiO3-(Ba0.7Ca0.3)TiO3无铅压电陶瓷的结构与性能

郑凯 , , 陈超 , 李小红 , 李璐

人工晶体学报

采用固相法制备了(1-x)(Na0.9 K0.1)05Bi0.TiO3-xBa0.7Ca0.3 TiO3[(1-x)NKBT-xBCT]无铅压电陶瓷.研究了不同BCT含量(x=0,0.02,0.04,0.05,0.06,0.07)对NKBT陶瓷结构与电性能的影响.结果表明:所有样品均形成纯的钙钛矿结构,体系陶瓷的准同行相界(MPB)位于0.04≤x≤0.06.随着BCT掺量的增加,样品的退极化温度Td逐渐低温方向移动,压电常数d33和平面机电耦合系数kp均先升高后降低.系列陶瓷电性能较佳:x=0.05时,kp最大,为0.29.当x=0.06时,样品的综合性能较好,其中d33=168 pC/N,kp=0.26,相对介电常数εr=1280,介质损耗tanδ =3.7%,剩余极化强度Pr=37 μC/cm2,矫顽场Ec =18.8 kV/cm.变温电滞回线和介电温谱表明体系陶瓷在Td以上可能存在极性相与非极性相共存.

关键词: NKBT , BCT , 准同行相界 , 退极化温度 , 电性能

中温烧结PZN-PZT系陶瓷的压电性能研究

, 廖军 , 魏晓勇 , 张望重 , 李国荣 , 陈大任 , 殷庆瑞

无机材料学报

在多层压电器件的研制过程中,为实现压电陶瓷和Ag/Pd内电极的共烧结,本文对中温1100~1140℃范围烧成的PZN-PZ-PT系压电陶瓷的电性能进行了研究,结果表明,保温时间对该组成的压电介电性能有重要的影响,随保温时间的延长,33从420×10-12C/N增加到 560×10-12C/N, ε33从 2180增加到 2900。

关键词: 中温烧结 , PZN-PZT , piezoelectric property , dielectric property

中温烧结 PZN-PZT系陶瓷的压电性能研究

, 廖军 , 魏晓勇 , 张望重 , 李国荣 , 陈大任 , 殷庆瑞

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.02.014

在多层压电器件的研制过程中,为实现压电陶瓷和Ag/Pd内电极的共烧结,本文对中温1100~1140°C范围烧成的PZN-PZ-PT系压电陶瓷的电性能进行了研究,结果表明,保温时间对该组成的压电介电性能有重要的影响,随保温时间的延长,d33从420×10-12C/N增加到560×10-12C/N,εT33从2180增加到2900.

关键词: 中温烧结 , PZN-PZT , 压电性能 , 介电性能

TiO_2纳米管阵列的制备及其光催化性能研究

王竹梅 , 李月明 , 夏光华 , , 左建林

人工晶体学报

采用阳极氧化法在钛箔上制备了TiO_2纳米管阵列,利用场发射扫描电子显微镜(FSEM)、X射线衍射仪(XRD)和紫外-可见分光光度计对TiO_2纳米管的形貌、结构和光学性能进行表征,详细考察了阳极氧化工艺参数对纳米管阵列形貌的影响,探讨了氧化钛纳米管阵列的形成机理,并对其光催化活性进行了测试,研究结果表明:在0.5 wt% HF和1 mol/L H3PO_4电解液中,控制氧化电压为20 V,反应60 min后,在钛箔表面可获得垂直导向的TiO_2纳米管阵列,管内径为60~80 nm,管壁厚约10 nm;600 ℃热处理后的TiO_2纳米管阵列薄膜对349.7 nm近紫外光和443.9 nm可见光有较强的吸收能力;煅烧温度对纳米管的晶型结构和光催化活性有显著影响.

关键词: 阳极氧化 , TiO_2纳米管 , 阵列 , 光催化活性

(Ba0.85Ca0.15)(Ti0.90Zr0.06Sn0.04)O3-Fe2O3无铅压电陶瓷的性能研究

于坤 , , 邵虹 , 陈超 , 李小红

硅酸盐通报

采用固相法制备了(Ba0.85Ca0.15) (Ti0.90Zr0.06Sn0.04)O3-xmol%Fe2O3(简写为BCTZS-xFe)无铅压电陶瓷.研究了不同掺杂量对该陶瓷的显微结构、介电、铁电及压电性能的影响.结果表明,所有样品均具有单一的钙钛矿结构,少量掺杂能使晶粒长大,提高电性能.在x=0.025时,具有最佳的综合电性能,压电常数d33 =515 pC/N,机电耦合系数kp=48.2%,机械品质因数Qm =182,2Pr=18.2 μC/cm2,2Ec =4.3 kV/cm,介电常数εr=5175.

关键词: Fe2O3 , (Ba0.85Ca0.15)(Ti0.90Zr0.06Sn0.04)O3 , 压电性能 , 无铅压电陶瓷

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