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AgGaGeS_4晶体介电性能的初步探讨

倪友保 , 吴海信 , 耿磊 , 王振友 , , 程干超 , 黄飞

人工晶体学报

利用本实验室生长的红外非线性晶体材料AgGaGeS_4(AGGS),常温下进行腐蚀实验并观察畴结构,测试了不同频率、电压下晶体的电滞回线以及同一电压下不同频率介质的电容值.腐蚀图像显示出畴结构,畴尺寸5~10 μm左右,证实AGGS为一热释电晶体.然而,室温下的电滞回线变形为一近似椭圆,介质电容与电场频率关系表现出强色散特性.本文对这一现象进行了系统分析,最后提出了进一步探索AGGS铁电性质的具体建议.

关键词: AGGS晶体 , 介电性能 , 畴结构

连续波可调谐CO2激光在AgGaSe2中倍频研究

吴海信 , 张维 , 陶德节 , 程干超 , 杨琳 , 魏合理 ,

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.04.009

在一台小型连续波(CW)CO2激光器上用光栅调谐获得了从9.23~10.65 μm范围内20条谱线输出,用一片8 mm×8 mm×15 mm红外非线性光学晶体AgGaSe2实现了上述谱线的二倍频输出.实验测得10P(20)谱线的倍频光输出为2.1 μW,相位匹配接收外角△θ外·L=2.1°·cm.

关键词: 非线性光学 , 连续波(CW)CO2激光 , AgGaSe2晶体 , 倍频

新型AgGa1-xInxSe2晶体用于CO2激光倍频研究

吴海信 , 石奇 , 张维 , , 程干超 , 杨琳

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.019

本实验室用布里奇曼方法成功生长出有应用前景的新型四元非线性AgGa1-xInxSe2晶体,对晶体光学透过,红外低倍显微成像,反射损耗和吸收系数进行了研究和计算.基于纯AgGaSe2和AgInSe2的Sellmeier方程,用线性内插方法计算了不同In含量的AgGa1-xInxSe2在0.9~19μm的Sellmeier色散系数并建立了Sellmeier方程.计算和描绘了Ⅰ型相位匹配CO2激光二次谐波产生的调谐曲线,并标出我们的倍频实验数据.在近似非临界相位匹配条件下,进行了TEA CO2激光10.6μm在AgGa1-xInxSe2中的倍频实验研究,并与AgGaSe2进行了比较,测量的1#AgGa1-xInxSe2相位匹配角θ及相位匹配接收外角△θext·L分别为88.2°和7.7°·cm,AgGa1-xInxSe2的倍频效率比AgGaSe2高出近3倍.

关键词: 非线性晶体 , 倍频 , TEA CO2激光 , AgGa1-xInSe2 , 非临界相位匹配(NCPM)

AgGaGeS_4晶体生长及性能研究

王振友 , 吴海信 , 倪友保 , , 黄飞 , 陈林

人工晶体学报

采用竖式布里奇曼法成功生长出大尺寸φ30 mm×80 mm的AgGaGeS_4单晶.X射线摇摆曲线测试结果表明该单晶结构完整.单晶元件在1.5~9.6 μm波段平均吸收系数约为0.25 cm~(-1),其中6.7~7.8 μm波段小于0.02 cm~(-1).制备的Ⅰ型相位匹配晶片元件(切角θ=43.5°, φ=0°,尺寸7 mm×7 mm×2.7 mm),在中心波长8.0305 μm基频光泵浦下,倍频输出了4.0153 μm红外激光,实验测得其实际相位匹配角为42.2°.利用波长2.05 μm、脉冲宽度20 ns的激光光源,测得其激光抗损伤阈值为270 MW/cm~2. 结合相图及温场分布对晶体生长过程中的关键问题进行了分析.

关键词: AgGaGeS_4晶体 , 布里奇曼法 , 倍频 , 损伤阈值

红外非线性晶体材料AgGa1-xInxSe2的生长和性能表征

吴海信 , 张维 , 石奇 , , 程干超 , 杨琳

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.006

AgGa1-xInxSe2是近几年来研制的新型红外非线性光学晶体材料,其主要特点是借着Ga和In含量,即x值的变化,改变材料的折射率、双折射,实现三波共线非线性作用的非临界(90°)相位匹配.我们用垂直布里奇曼法生长单晶,获得了φ35mm×50mm的AgGa1-xInxSe2单晶棒.对生长出晶体棒In的浓度分布进行了测试.晶体元件用红外观察镜和分光光度计分别进行了观察和测试,晶体透光率良好.用一台TEA CO2激光泵浦一块5×6×16mm3的AgGa1-xInxSe2(x=0.3234)晶体元件,成功地实现了10.6μm非临界相位匹配倍频,输出5.3μm的中红外激光.

关键词: 硒铟镓银晶体 , 非线性光学晶体 , 布里奇曼法 , 倍频

新型红外晶体硫锗镓银的多晶合成

吴海信 , 王振友 , 倪友保 , 耿磊 , , 黄飞

人工晶体学报

本文直接使用高纯Ag,Ga,Ge,S单质作为原料合成AgGaGeS4多晶.为防止S蒸气高压使多晶合成管炸裂,采用双温区气相输运的合成方法.对合成的多晶作粉末衍射(XRD)分析,衍射图谱与标准JC-PDF卡片上峰值位置一致,表明样品为高纯单相AgGaGeS4多晶.使用该多晶原料成功生长出了优质单晶,并对合成工艺中存在的关键问题进行了讨论.

关键词: AgGaGeS4 , 多晶合成 , 二温区 , 气相输运

水平温梯冷凝法生长ZnGeP2单晶

吴海信 , 陈林 , 王振友 , 黄飞 , 倪友保 ,

功能材料

采用高纯(6mol/L)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.2%配料,通过双温区法合成ZnGeP2多晶粉料,再用水平温梯冷凝法(HGF)生长出尺寸达10mm×20mm×80mm的单晶棒.对单晶进行了X射线衍射、红外透过率、热导率等测试,测试结果表明;单晶完整性好,红外透过率较高;5mm厚晶片(未退火、镀膜)在2~8μm范围内平均透过率可达54%以上;在室温附近(297.34K)热导率为35.89W/(m·K).

关键词: 磷锗锌 , 水平温梯冷凝法 , X射线粉末衍射 , 红外透过率 , 热导率

用于红外变频的大尺寸AgGaS2晶体生长

吴海信 , 程干超 , 杨琳 ,

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.01.003

在红外变频非线性光学应用中需要高光学质量大尺寸AgGaS2晶体元件.我们采用改进的Bridgman方法生长直径28mm、长度60~80mm的晶体棒.成功生长的关键是要采用C向籽晶.[001]籽晶生长的晶体中很少发现裂纹、聚片孪晶等宏观缺陷.在Ag2S共存下的热处理能有效地排除晶体中的异相沉淀,显著改善透明度.我们制备的Ⅰ型相位匹配8mm×10mm×16mm和5mm×5mm×15mm?AgGaS2晶体元件分别成功地应用于差频、和频激光实验.

关键词: AgGaS2晶体 , 差频 , 和频 , 晶体生长

轧辊光纤激光化工艺试验

赵子强 , 张岩 , 裴悦凯 , 王潇 , 张瑞华 , 赵琳

钢铁研究学报 doi:10.13228/j.boyuan.issn1001-0963.20130308

利用光纤激光化系统对轧辊进行了化试验,研究了激光化参数对化点阵和粗糙度的影响,并尝试开发了激光无序化工艺.研究结果表明,激光有序化工艺条件下,化点尺寸、形态一致,呈现火山口形貌.激光功率、脉冲频率和脉冲占空比对化点尺寸有较大的影响,而激光功率、脉冲占空比和侧吹气体流量对化粗糙度具有明显的作用.采用脉冲频率调制的方式实现了光纤激光无序化工艺.无序化后,冷轧线工作辊表面粗糙度约为2.2μm,化峰值密度在75 cm-1以上;镀锌线光整机工作辊粗糙度约为3.2μm,化峰值密度在85cm-1以上,平均峰值密度达到了95cm-1.所开发的激光无序化工艺已应用于实际生产.

关键词: 光纤激光 , 有序 , 无序 , 脉冲调制 , 粗糙度 , 峰值密度

涂装絮状缺陷的分析及解决

王戈 , 李杰

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2004.02.009

油漆或粉末涂装涂层表面的杂质缺陷是常见的涂装质量问题,其中絮状物质的影响往往容易被忽视,因为絮状物质的来源多样解决起来也难于对症,而其自身的特点决定了治理的投入较大.除对絮来源进行了分析外,还给出了相应的解决方案,对钢板工件毛刺挂带的絮提出一种解决的新思路.

关键词: 涂装 , 絮类缺陷 , 涂层

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