刘保亭
,
程春生
,
赵庆勋
,
闫正
,
马良
,
李锋
,
武德起
功能材料
应用溶胶-凝胶法成功地在以SrTiO3(STO)为模板/阻挡层Si(001)基片上制备了La-Sr-Co-O/ Pb(Zr0.5Ti0.5)O3(PZT)/La-Sr-Co-O/STO/Si异质结,PZT的厚度为0.8μm.研究了异质结的结构和性能.实验发现,PZT结晶良好、具有(001)高度择优取向以及较高的极化强度和较小的极化强度对脉冲宽度的依赖性;当外加电压为50V时,电阻率仍＞108Ω·cm.
关键词:
硅衬底
,
锆钛酸铅
,
溶胶-凝胶法
,
厚膜
武德起
,
姚金城
,
赵红生
,
张东炎
,
常爱民
,
李锋
,
周阳
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.01.012
采用激光分子束外延法(LMBE)在P型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)Y(NiO)1-x-y,栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的能力.X射线衍射表明在HfO2中掺入Ni和Al元素明显提高了其结晶温度.原子力显微镜测试显示:在N2中退火后薄膜表面是原子级平滑连续的,没有发现针孔.900℃N2中退火后的薄膜在高分辨透射电镜下没有发现硅酸盐界面层.实验结果表明在氧化物薄膜与硅衬底之间引入Ni-Al-O置入层能够防止硅酸盐低介电界面层的生成,这有利于MOS晶体管的进一步尺度缩小.
关键词:
高介电栅介质材料
,
激光分子束外延
,
二氧化铪
武德起
,
赵红生
,
姚金城
,
张东炎
,
常爱民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00865
传统的栅介质材料SiO2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求, 因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究, 进展迅速. 本文综述了国内外对高介电材料的研究成果, 并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.
关键词:
高介电栅介质
,
recrystallization temperature
,
lowK interface layer
,
metal gate
武德起
,
赵红生
,
姚金城
,
张东炎
,
常爱民
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.001
传统的栅介质材料SiO2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速,本文综述了国内外对高介电材料的研究成果,并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.
关键词:
高介电栅介质
,
晶化温度
,
低介电界面层
,
金属栅电极
巨建涛
,
折媛
,
张朝晖
,
鲁思渊
,
吕振林
钢铁
通过金相观察、扫描电镜和EDS分析,对国内某钢厂生产的L245MB(B)管线钢出现的起皮缺陷进行了研究,发现连铸坯出现表面微裂纹且裂纹附近存在O、Si、Al、Ca和Cu元素的富集,确定铸坯中存在的氧化物夹杂及铜含量的超标引起的铸坯表面微裂纹是导致热轧卷板表面起皮的主要原因,钢的清洁度和连铸工艺是起皮的重要原因.分析了非金属氧化物、铜等低熔点金属及连铸工艺对铸坯表面微裂纹的影响机理,并由此提出了相应的防止措施.
关键词:
起皮
,
表面裂纹
,
氧化物夹杂
,
管线钢
巨建涛
钢铁
通过金相观察、扫描电镜和EDS分析，对国内某钢厂生产的L245MB(B)管线钢出现的起皮缺陷进行研究。发现连铸坯出现表面微裂纹且裂纹附近存在O，Si ，Al，Ca和Cu元素的富集，确定铸坯中存在的氧化物夹杂以及铜含量的超标所引铸坯的表面微裂纹是导致热轧卷板表面起皮的主要原因。分析了非金属氧化物以及铜等低熔点金属对铸坯表面微裂纹的影响机理。并由此提出了相应的防止措施。
关键词:
起皮;表面裂纹;氧化物夹杂;管线钢
李萌
,
柴斯羽
,
肖鹏程
,
朱立光
,
刘增勋
钢铁钒钛
doi:10.7513/j.issn.1004-7638.2017.02.028
针对某厂Q195冷轧镀锌带钢起皮缺陷,应用金相显微镜、大样电解、扫描电镜及能谱分析对冶炼过程中各工序钢水内的大型夹杂物及显微夹杂物进行分析.结果表明,冷轧缺陷主要是由于钢包卷渣和钢包耐火材料剥落所致.通过优化生产工艺及调整钢包浇注料材质等措施,基本消除了冷轧带钢表面起皮和镀锌挂渣缺陷,提高了镀锌板表面光洁度.
关键词:
冷轧带钢
,
起皮
,
夹杂物
,
卷渣
,
镀锌挂渣
