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超大规模集成电路硅片的内吸杂

汤艳 , 杨德仁 , 马向阳 , 李东升 , , 阙端麟

材料导报

介绍了吸杂的分类与效果以及内吸杂工艺,并综述了金属在硅中的性质,主要阐明了氧在内吸杂中的作用,简述了氮对吸杂的影响,并讨论了内吸杂的物理机理.最后探讨了今后吸杂的发展方向.

关键词: , 内吸杂 , 金属 ,

静电喷雾法制备壳聚糖/康普丁载药微球

马骊娜 , 方大为 , 王克敏 , 聂俊 , 马贵平

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2015.06.023

本研究采用静电喷雾法,以壳聚糖为基质材料,康普丁为模型药物制备微球.实验中采用AcOH/H2O和AcOH/H2O/EtOH两种溶剂,分析了微球形貌和粒径分布的影响因素,并且对CS-CA4微球的缓释性能进行了测定.结果表明,壳聚糖浓度、溶剂配比及乙醇和康普丁的加入会使壳聚糖微球呈球状、中间塌陷的类球状、棒状等不同形貌,微球粒径存在较大差异;通过AcOH/H2O/EtOH复合溶剂将疏水性药物康普丁载入壳聚糖微球,制备出的壳聚糖/康普丁载药微球分散性好,粒径分布均匀,平均粒径仅为0.27μm;使用戊二醛蒸汽交联48h的微球缓释效果明显.

关键词: 静电喷雾 , 壳聚糖 , 康普 , 微球

荧光光谱法研究双醋因与人血清白蛋白的相互作用

吕茜茜 , 高苏亚 , 夏冬辉 , 李华

应用化学 doi:10.3724/SP.J.1095.2011.00497

在模拟人体生理条件下(pH=7.40),采用荧光光谱法研究双醋因与人血清白蛋白的相互作用.采用2种方法计算不同温度下其结合常数K<,A>、结合位点数n,同时对2种计算方法进行了比较;并根据热力学参数确定了双醋因与人血清白蛋白之间的作用力类型.根据Forster非辐射能量转移原理,确定了双醋因与人血清白蛋白相互结合时供能体-受能体间的作用距离和能量转移效率,并用同步荧光光谱研究了双醋因对人血清白蛋白构象的影响.结果表明,双醋因与人血清白蛋白之间主要是以静态猝灭为主;结合距离r=2.88 nm,能量转移效率E=0.273 8,二者主要凭借氢键和范德华力进行结合.

关键词: 双醋 , 人血清白蛋白 , 荧光光谱法 , 相互作用

霉素键合手性毛细管整体柱的制备与对映体分离

雷雯 , 张凌怡 , 万莉 , 朱亚仙 , 覃飒飒 , 张维冰

色谱 doi:10.3724/SP.J.1123.2010.00977

以具有22个不同种类手性中心的新型大环抗生素伊霉素为手性选择器,基于环氧基团高反应活性的特征,将伊霉素用一步法键合到甲基丙烯酸酯整体柱表面制备伊霉素键合手性毛细管整体柱.通过对制备条件进行优化,证实该制备方法可在较宽的pH范围(6.0~9.0)内进行,方法简单易行,反应条件温和.应用制备的手性毛细管整体柱在毛细管电色谱模式下,对5种手性氨基酸对映体和手性药物罗格列酮对映体进行拆分,均得到了基线分离,说明伊霉素手性固定相具有较强的手性拆分能力.在优化的色谱条件下,6种对映体的分析时间均小于4 min,分析速度快.通过对有机调节剂、缓冲液pH值和缓冲盐浓度等分离条件进行系统考察,初步探讨了该手性毛细管整体柱对不同溶质的手性识别机理.

关键词: 霉素 , 大环抗生素 , 手性整体固定相 , 毛细管电色谱 , 对映体

磁性材料的应用

薛福连

材料开发与应用 doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2001.01.011

介绍了磁性材料的性能、效应和应用,并指出了今后研究和开发的重点。

关键词: 磁性材料应用性能

金刚石的研究现状

温斌 , 李廷举 , 董闯 , 金俊泽

材料导报

金刚石是具有面心立方(fcc)结构的金属性碳,是一种的碳同素异形体.为了更好地研究金刚石的性能和应用,介绍了金刚石的结构特征、制备工艺及金刚石性能研究的进展.

关键词: 金刚石 , 碳素材料 , 金刚石 , 同素异形体

大线同沟敷设热力分析

凌霄 , 王艺 , 宇波 , 张劲军 , 王凯 , 达鑫

工程热物理学报

针对大线同沟敷设管道,采用非结构化有限容积法,分析了不同的物性条件下,常温输送原油对加热输送原油的热力影响.

关键词: 同沟敷设 , 大线 , 热力分析 , 数值模拟 , 有限容积法

气相法制白炭黑

王钧 , 施善友

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2002.03.015

打破了传统气相法制白炭黑的工艺原理,创造性地提出一种的原理和制备方法,并在实验室初试阶段取得成功.

关键词: 气相法白炭黑 , 粉煤灰 , 浓硫酸 , 氟化钙

纳米 MOSFET/SOI器件结构

张正选 , 林成鲁

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.024

重点介绍器件进入纳米尺度后出现的 MOSFET/SOI器件的结构,如超薄 SOI器件、双栅 MOSFET、 FinFET和应变沟道等 SOI器件,并对它们的性能进行了分析.

关键词: 纳米 MOSFET , SOI , 双栅 MOSFET , FinFET , SiGe/Si

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