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喷漆铸钢件表面锈蚀分析与研究

张瑞 , 王春英 , 樊新宇 , 伊岩

电镀与涂饰

为了解决喷漆后的铸钢件和结构件中的铸钢件部位在存放过程中表面提早发生锈蚀的问题,从底材处理、涂料性能、涂装工艺等方面对锈蚀原因进行了全面的分析和研究.结果发现,铸钢件表面涂膜厚度达不到设计要求是锈蚀的原因.由于铸钢件表面较粗糙,而测厚时未能根据其特点对测厚仪进行正确校准,使测出的漆膜厚度比实际厚度大l0～30 μm.为此,提出了相应的解决措施,如加强质检,正确使用测厚仪及增加喷涂遍数.

关键词: 铸钢件 , 锈蚀 , 漆膜厚度 , 测厚仪校准

原子核的反常宇称能谱研究

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2004.01.002

将具有负宇称的 fp 空间扩大到包含1g9/2 轨道, 采用修正的表面相互作用(MSDI), 对64Ge, 66Ge, 68Ge, 70Se, 72Se, 74Se, 76Kr 和 78Kr等偶偶核作了形变Hartree-Fock计算, 得到了基态和一些激发态的解. 同时, 还用近似角动量投影形变Hartree-Fock(PDHF)方法对偶偶核64Ge, 74Se和奇A核79Kr进行了能谱计算, 得到其正、负宇称带的解, 计算结果与实验谱基本一致.

关键词: 形变Hartree-Fock态 , 角动量投影 , 单粒子能谱 , 反常宇称态

奇A核101Pd和101Ru的负宇称带能谱研究

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2003.03.003

将具有正宇称的gds组态空间扩大到包含具有负宇称的1h11/2轨道, 采用修正的表面δ相互作用(MSDI)对101Pd和101Ru两个奇A 核进行了形变HF计算, 得到了基态和一些激发态的解. 同时, 还用近似角动量投影形变Hartree-Fock(PDHF)方法对101Pd和101Ru进行了能谱计算, 得到其正、负宇称带的解, 计算结果与实验谱基本一致.

关键词: 角动量投影 , 单粒子能谱 , 负宇称带

超重核性质的新观点

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2005.02.001

简单回顾了超重核的理论研究现状, 讨论了形变对长寿命重核α衰变半衰期的影响. 分析了相对论平均场模型的有效范围. 强调了α衰变、结团放射性和自发裂变中应保持宇称守恒. 提出了一些新观点.

关键词: 长寿命重核 , 核形变 , α衰变 , 自发裂变

单胶子交换和单π交换夸克模型中核子负宇称共振态的电磁跃迁振幅

董宇兵 , 何军

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2004.02.023

分别利用单胶子交换和单π交换夸克模型计算了核子负宇称激发态的电磁跃迁振幅, 讨论了两个模型所给出的不同的组态混合角.结果表明,单胶子交换模型所给出的重子波函数比单π交换夸克模型的波函数更为合理.

关键词: 组份夸克模型 , 组态混合 , 跃迁振幅

磁性材料的新应用

材料开发与应用 doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2001.01.011

介绍了磁性材料的性能、新效应和新应用，并指出了今后研究和开发的重点。

关键词: 磁性材料应用性能

新金刚石的研究现状

温斌 , 李廷举 , 董闯 , 金俊泽

新金刚石是具有面心立方(fcc)结构的金属性碳,是一种新的碳同素异形体.为了更好地研究新金刚石的性能和应用,介绍了新金刚石的结构特征、制备工艺及新金刚石性能研究的进展.

关键词: 新金刚石 , 碳素材料 , 金刚石 , 同素异形体

新大线同沟敷设热力分析

凌霄 , 王艺 , 宇波 , 张劲军 , 王凯 , 达鑫

工程热物理学报

针对新大线同沟敷设管道,采用非结构化有限容积法,分析了不同的物性条件下,常温输送原油对加热输送原油的热力影响.

关键词: 同沟敷设 , 新大线 , 热力分析 , 数值模拟 , 有限容积法

新气相法制白炭黑

王钧 , 施善友

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2002.03.015

打破了传统气相法制白炭黑的工艺原理,创造性地提出一种新的原理和制备方法,并在实验室初试阶段取得成功.

关键词: 气相法白炭黑 , 粉煤灰 , 浓硫酸 , 氟化钙

纳米 MOSFET/SOI器件新结构

张正选 , 林成鲁

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.024

重点介绍器件进入纳米尺度后出现的 MOSFET/SOI器件的新结构,如超薄 SOI器件、双栅 MOSFET、 FinFET和应变沟道等 SOI器件,并对它们的性能进行了分析.

关键词: 纳米 MOSFET , SOI , 双栅 MOSFET , FinFET , SiGe/Si

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