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室温铁磁Sr4-xErxCo4O10.5+δ(0.6≤x≤1.2)多晶电输运和磁性能

康冶 , 虞澜 , 杜小丽 , , 宋世金 , 谭红琳 , 陈亮维 , 杨森

人工晶体学报

采用固相反应法制备Sr4-xErxCo4O10.5+δ(0.4≤x≤1.2)多晶,系统研究了Er掺杂对体系结构、电输运和磁性质的影响.X射线衍射结果表明室温下x=0.4时多晶为立方晶系,空间群为P3m3,0.6≤x≤1.2时,为四方晶系,空间群为I4/mmm,四方相晶格常数随着Er含量增加而减小.扫描电子显微镜结果表明,随着Er掺杂量增加,晶粒细化,晶界增加.采用四探针法测量多晶的电阻率-温度曲线,结果表明多晶样品在80~ 300 K为半导体电输运行为,且随Er化学计量比增加样品电阻率和热激活能增大.采用超导量子干涉仪测量多晶的磁化强度-温度曲线和磁滞回线,结果表明0.6≤x≤1.2时Sr4-xErxCo4O10.5+δ多晶具有室温铁磁性,Tc≈320 ~ 335 K,室温铁磁性可能源于A位Sr和Er离子有序及CoO4.5+δ层中Co离子自旋倾斜净磁矩不为零.

关键词: Sr4-xErxCo4O10.5+δ多晶 , 室温铁磁性 , 电阻率 , 磁化强度 , 磁滞回线

c轴倾斜CuCr1-xMgxO2(x=0,0.02)薄膜的外延生长

, 虞澜 , 秦梦 , 刘丹丹 , 康冶 , 宋世金 , 陈亮维

人工晶体学报

采用脉冲激光沉积技术在0°,5°,10°c轴倾斜α-Al2 O3 (0001)衬底上制备出c轴生长CuCr1-xMgx O2(x=0,0.02)薄膜.用x射线衍射Φ扫描分析薄膜与衬底(000l)晶面的结晶取向关系为<1100> CuCrO2∥<1120>α-Al2O3,并进一步通过θ扫描、2θ扫描表征5°和10°c轴倾斜衬底上CuCrO2薄膜与衬底(0006)晶面之间的倾斜角度差值由0.43°增加到1.76°,得到薄膜c轴外延性随衬底倾斜角变大而变差.AFM观察生长在α-A12 O3 (0001)衬J芪上的CuCr1-xMgxO2薄膜为层状形貌,且倾斜衬底上薄膜晶粒尺寸减小,晶界增加.p-T测量曲线表明:相比平直衬底,10°倾斜衬底上CuCrO2薄膜的电阻率略有升高,这是由于倾斜衬底上薄膜结晶质量较差及晶界对载流子散射增强所致,与XRD和AFM结果相一致.

关键词: CuCr1-xMgxO2薄膜 , 脉冲激光沉积 , c轴倾斜 , 外延性

青海湖氏盐单胞菌QHL5四氢嘧啶合成影响因素分析?

朱德锐 , 龙启福 , 沈国平 , 李丹丹 , 刘德立

环境化学 doi:10.7524/j.issn.0254-6108.2015.01.2014041201

以青海湖野生菌株Halomonas ventosae QHL5为材料,初步探讨了多种因素对胞内相容溶质四氢嘧啶( Ectoine)合成的影响.通过设置OSM培养基( Oesterhelt?Stoeckenius medium)的不同单因素诱导条件( Na+、K+、Mg2+、pH和温度等),培养 QHL5菌株,并采用80%乙醇抽提 QHL5胞内四氢嘧啶,进行高效液相色谱(HPLC)定量检测.结果表明,QHL5胞内四氢嘧啶积聚的最佳单因素培养条件为Na+浓度为1.5 mol·L-1,K+浓度为0.75 mol·L-1,Mg2+浓度为0.2 mol·L-1,pH 8.0和35℃.在优化条件下,QHL5积聚的四氢嘧啶最大浓度为379.6±8.26 mg·L-1,达到167.1±3.64 mg·g-1细胞干重. QHL5胞内的四氢嘧啶合成受到Na+的渗透刺激作用,生物量却受到高浓度Na+的抑制,低浓度Mg2+(0.1—0.6 mol·L-1)和中浓度的K+(0.5—1.2 mol·L-1)对四氢嘧啶的生物合成具有重要的渗透刺激作用.与已报道的四氢嘧啶合成菌株相比,QHL5能合成单一的、高浓度的四氢嘧啶,具备潜在的商业制备和应用开发价值.

关键词: 青海湖 , Halomonas ventosae , 相溶物质 , 四氢嘧啶 , 影响因素

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