饶晓俊
,
梁齐
,
梁金
,
安宁宁
,
汪壮兵
材料导报
综述了脉冲激光沉积法制备ZnO纳米棒的研究进展.介绍了不同制备参数条件下ZnO纳米棒的形貌特征、性质及其生长机理,阐述了利用脉冲激光沉积制备高质量ZnO纳米棒及阵列的条件,为ZnO纳米棒的制备及性质的深入研究提供了有益的参考.
关键词:
ZnO
,
纳米棒
,
脉冲激光沉积
刘红霞
,
梁金
,
章珏
,
张小联
腐蚀与防护
采用X射线衍射(XRD)、带能谱(EDS)的扫描电子显微镜(SEM)、腐蚀失重试验以及动电位极化曲线等方法研究了制备方法(真空熔炼和普通熔炼)对AZ91D+1.0％ Sm合金的微观组织和耐腐蚀性能的影响,分析了合金的腐蚀机理.结果表明,普通熔炼制备的合金相组成在真空熔炼的相基础(α-Mg、pMg17Al12以及Al2Sm)上又形成了一种新相Al3Sm;杆状的Al3Sm相会对基体组织有一定的割裂作用;普通熔炼制备的合金腐蚀速率约为真空熔炼的35倍;相比之下,真空熔炼所得合金的自腐蚀电位高,腐蚀电流密度低,阴阳极Tafel斜率大.故采用真空熔炼的方法可以提高合金的耐腐蚀性能.
关键词:
X射线衍射
,
扫描电子显微镜
,
真空熔炼
,
普通熔炼
,
耐腐蚀性
梁金
,
朱庆山
功能材料
以Ce(NO3)3·6H2O和Gd2O3为前驱体,六亚甲基四胺为沉淀剂,通过均相沉淀反应直接合成能长时间稳定悬浮的氧化钆掺杂纳米氧化铈(Ce0.8Gd0.2O1.9,GDC)母液.对合成的前驱粉体进行了XRD、BET、动态光散射等研究,XRD结果表明粉体具有氧化铈的立方萤石结构特征峰,BET结果表明粉体比表面积为68.3m2/g,当量粒径为约12nm,非等温烧结实验结果表明粉体具有良好的烧结活性.用浸渍-提拉法(dip-coating)在多孔NiO-YSZ阳极基底上制备GDC电解质薄膜,并利用场发射扫描电镜对薄膜的烧结行为进行了研究,薄膜在1300℃等温烧结后实现完全致密化.通过薄膜制备过程中制浆与成膜两个步骤的有机结合,探讨一条制备高性能GDC电解质薄膜的新途径.
关键词:
GDC
,
浸渍-提拉法
,
薄膜
,
场发射扫描电镜
章珏
,
郑鑫
,
梁金
,
刘红霞
,
张小联
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2014.09.009
为提高镁合金阳极氧化膜的耐腐蚀性能,以氧化膜厚度作为评价指标,确定了最佳的电解液组成,并通过点滴试验、扫描电镜和动电位极化曲线等研究膜的表面形貌和耐腐蚀性能.结果表明,常温下,70 g/L氢氧化钠,60 g/L硼酸钠,60 g/L硅酸钠,30 g/L碳酸钠,t为20 min,U为60V,脉冲频率200 Hz,经氧化处理膜层δ为16 μm左右,表面平整,致密性好,结合力强,耐腐蚀性优异,氧化膜主要由Mg、O、Si三种元素组成.
关键词:
镁合金
,
阳极氧化
,
电解液
,
表面处理
刘红霞
,
梁金
,
章珏
,
张小联
腐蚀学报（英文）
doi:10.11903/1002.6495.2014.077
利用扫描电镜(SEM)结合能谱分析(EDS)、X射线衍射(XRD)、腐蚀失重实验、电化学极化曲线等方法,研究了0.1％,0.4％,0.7％和1.0％的Sm对AZ91D合金的微观组织和腐蚀性能的影响,并对其腐蚀机理进行分析.结果表明:随着Sm含量的增加,合金中粗大的枝状第二相(β-Mg17Al12)逐渐断裂变小,其体积分数下降,因为Sm会结合Al形成颗粒状的Al2Sm和杆状的Al3Sm,从而减少晶界处第二相的数量,使第二相呈不连续分布;AZ91D的耐腐蚀性随着Sm加入量的增多,先增加后降低;当Sm加入量为1.0％时,合金的耐腐蚀性与不添加Sm的AZ91D接近;Sm的最佳添加量为0.4％.
关键词:
腐蚀失重
,
Sm
,
AZ91D
,
耐腐蚀性
朴寿成
,
孙景贵
,
江裕标
,
贾洪杰
,
翟玉峰
,
张宝庆
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2005.12.004
金厂沟梁金矿床39号脉为总体走向近南北、向西凸出的弧形矿脉,Au在弧形矿脉的两翼更为富集.As、Sb、Hg、F为前缘元素, Mo、Co为尾晕元素.前缘、尾晕元素以及由这些指示元素构成的因子得分和累加指数等是矿脉含矿性预测的有效的地球化学标志.根据地球化学预测标志,预测39号脉在南翼十五中段以下和北翼十三中段以下还有矿体存在.矿脉在深部铜矿化增强,推测金厂沟梁向深部可能转变为金铜矿床.
关键词:
金厂沟梁金矿床
,
39号脉
,
含矿性
,
地球化学预测
梁金
,
胡云楚
,
王赛
功能材料
采用碳酸氢铵共沉淀法合成了Ce0.8Gd0.2O2-δ(GDC)纳米材料,并用交流阻抗谱技术研究其氧离子导电性能.XRD研究结果表明,经过600℃的热处理,共沉淀产物转变为具有单一立方萤石结构的CeO2超细粉体.在300MPa下将其压制成陶瓷坯体,分别在1150～1300℃下等温烧结4h.研究发现,1250℃烧结4h后,相对密度达到96.7%,其电导率在所有烧结样品中最高,600℃下氧离子电导率为1.1×10-2S/cm,在350～600℃温度范围内其氧离子电导活化能为0.63eV.对于碳酸氢铵共沉淀法制备的GDC纳米材料,1250℃致密化烧结是一个比较适宜的温度,烧结温度过高电导率反而下降.
关键词:
钆掺杂氧化铈
,
交流阻抗谱
,
电导率
张锐
,
尚新春
复合材料学报
考虑内部热传导,研究了格栅夹层梁一侧受热后的弯曲变形.认为变形后夹层结构中间腹板无弯曲.利用格栅夹层梁结构上的周期性,通过胞元结构的内力平衡方程和变形协调关系,得到了胞元两端内力和位移的关系.引入传递矩阵,建立了夹层梁内力和变形随温度变化的表达式.应用所建立的模型计算了悬臂格栅夹层梁在其上表面受热后的变形.在格栅夹层梁包含的胞元数量较多、腹板高度较小且厚度与表板厚度相近的情况下,由本文模型计算得到的挠度结果与有限元结果吻合较好.
关键词:
格栅夹层结构
,
热弯曲
,
变形
,
胞元结构分析
,
传递矩阵
