卢娟
,
梁列峰
,
翁杰
,
姜法兴
材料导报
在制备羟基磷灰石(HA)陶瓷的初期引入少量LiCl,其乙酸浸蚀失重实验表明,掺杂后HA陶瓷的耐酸蚀能力增强,HA颗粒仍然能保持较强的连接,掺杂后HA陶瓷的显微硬度稳定并有所提高,X射线衍射分析说明引入少量LiCl没有导致HA的分解.
关键词:
LiCl
,
羟基磷灰石陶瓷
,
耐酸性
,
烧结性能
梁列峰
,
翁杰
高分子材料科学与工程
采用两种羟基磷灰石(HA)的成浆方法,使用不同的成管芯体吸附HA料浆,并设计相应的凝固浴实现HA管的初定型以及烧结程序,扫描电镜观察表明,采用DMAc/LiCl/CT/HA系和PVA/HA系两种陶瓷配浆体系,形成的HA管形貌有显著的不同;详细探讨了HA管制作的工艺过程和样品成型的各种影响因素;样品的X射线衍射图谱分析制作工艺未使烧结后的HA陶瓷管引入异质成分.
关键词:
羟基磷灰石
,
陶瓷管
,
配浆
,
成型
梁列峰
,
翁杰
,
刘涛
高分子材料科学与工程
制得桑蚕丝胶(SS)/壳聚糖(CTS)/聚乙烯醇(PVA)共混膜,用扫描电子显微镜(SEM)表征了共混膜结构,结果表明,CTS与PVA在共混膜中具有良好的互容性;SS的引入使SS/PVA膜出现鳞状分散团聚,模拟体液降解实验发现,不同组分的共混膜的降解速度有显著差异,通过组分配比可控制膜降解速度,为生物医学材料、组织工程支架材料提供了新素材.
关键词:
壳聚糖
,
丝胶
,
聚乙烯醇
,
共混膜
,
组织工程支架
梁列峰
,
侯鹏
,
翁杰
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2008.01.032
为使制备的多孔生物陶瓷满足生物学和结构要求,将经固化处理的纤维纱线与羟基磷灰石料浆同步织入模具,在陶瓷初坯烧结的低温区设置多次恒温. 结果表明,纤维表面条纹结合涂层对陶瓷的蚀刻作用清晰印刻于隧道内表面,烧结体内隧道连通,无块状颗粒堵塞,成型完整,内壁呈细条纹.该方法制备的多孔生物陶瓷为组织细胞生长、迁移、黏附提供了有利的空间,X射线衍射分析验证样品未因制作工艺引入异质成分.
关键词:
纤维
,
固化
,
生物陶瓷
,
隧道
,
条纹
梁列峰
,
翁成
,
刘涛
材料导报
采用DMAc/LiCl/chitin/HA配浆体系,芯体表面吸附羟基磷灰石(HA)料浆,料浆凝固定型后抽离芯体,根据材料组分设计并进行烧结工艺,获得截面圆整的薄壁HA陶瓷管.通过扫描电镜观察样品截面、形态及烧结状况,分析制备工艺对HA管形貌的影响,为制备HA多孔陶瓷和增强贯通性提供了一条新的技术路径.
关键词:
羟基磷灰石
,
陶瓷管
,
形貌
,
控制
刘涛
,
卢娟
,
梁列峰
材料导报
采用凝胶注模成型工艺制备了多孔羟基磷灰石陶瓷,并通过X射线分析了多孔陶瓷的相成分,采用扫描电镜观测了孔隙结构和形貌.结果表明,所制备的多孔羟基磷灰石陶瓷的孔隙率均大于80%;孔隙尺寸主要分布在350～600μm,孔壁上存在孔径为60～190μm的贯通孔;X射线衍射证明烧结过程未引入异质成分.所制备的多孔羟基磷灰石陶瓷具有适宜的孔隙直径和孔隙率,且孔隙间具有良好的贯通性.
关键词:
多孔羟基磷灰石
,
凝胶注模
,
孔隙率
马淮凌
,
曹广秀
,
韦秀华
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2008.01.020
对格列齐特在缓冲溶液中的电化学行为进行了研究,提出了一种灵敏、快速测定格列齐特的新方法为平行催化氢波法. 在NH3H2O-NH4Cl (pH=8.89±0.1)支持电解质中,格列齐特产生1催化氢波,峰电位Ep=-1.49 V(vs.SCE). 加入氧化剂K2S2O8后,该催化氢波被催化,峰电流增加约30倍,峰电位基本不变,产生1较灵敏的平行催化氢波. 其二阶导数峰峰电流i'p与格列齐特浓度在1.0×10 -8 ～6.0×10 -6 mol/L范围内呈线性关系(r=0.997 0,n=10),检出限为5.0×10 -9 mol/L. 测定了片剂中格列齐特的含量,并对加标尿样进行了回收实验,结果准确、可靠,可用于药物制剂中格列齐特含量的测定.
关键词:
格列齐特
,
过硫酸钾
,
平行催化氢波
吴亚平
,
郭春香
,
张学富
,
朱元林
,
赖远明
复合材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2004.03.024
给出了考虑剪力滞后及剪切变形效应条件下,复合材料薄壁层合箱梁静力行为控制微分方程组的初参数解.以此为基础,推导出了层合箱梁单元的刚度矩阵和等效结点荷载列阵,从而使薄壁层合箱梁的剪力滞、剪切变形效应分析方便地纳入了工程中广泛应用的矩阵位移法程序系统,为复合材料连续层合箱梁等复杂结构的强度及刚度分析提供了有效的计算手段.
关键词:
复合材料
,
层合箱梁
,
剪力滞后
,
剪切变形
,
矩阵位移法
华国环
,
刘清惓
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142906.0989
为了分析 PDP 列驱动芯片的能量恢复效率，提出了2种分析模型.DPLD(double-channel p-type lateral extended drain MOS)管是列驱动芯片中能量恢复电路的核心元器件.CRC(电容-电阻-电容)等效电路模型适用于漏电流能力较弱的 DPLD 管；VCCS(压控电流源)模型适用于漏电流能力较强的 DPLD 管；测试结果显示 CRC 和 VCCS 模型都具备较高的精度，模型误差分别是2.26％和4.04％.CRC 模型揭示了影响列驱动芯片能量恢复效率的因素有3个，分别是：充电时间、沟道电阻、负载电容.2种模型分析的对比结果表明，沟道电阻对列驱动芯片的能量恢复效率影响很大，使用较小沟道电阻的 DPLD 管可以显著提高 PDP 列驱动芯片的能量恢复效率.CRC 和 VCCS 模型可用于精确预测列驱动芯片的能量恢复效率.
关键词:
分析模型
,
PDP列驱动芯片
,
DPLD管
,
寻址功耗
,
能量恢复效率
