吕科
,
李军
,
赵宇
,
李波
材料热处理学报
在实验室中采用无抑制剂法制备取向硅钢,利用XRD、TEM等方法研究了冷轧和初次再结晶阶段的微观组织与织构.结果表明,冷轧板织构主要由α织构和γ织构组成;初次再结晶退火后α织构减弱,γ面织构{111} <112>增加,初次再结晶退火70 s后出现Goss织构.EBSD分析显示Goss位向晶粒大多与{111} <112>位向晶粒相邻;随退火时间的增加,Goss和{111}<112>位向晶粒均有所增加.
关键词:
无抑制剂取向硅钢
,
初次再结晶退火
,
织构
,
EBSD
吴学亮
,
刘立华
,
史文
,
李莉娟
,
贾金龙
,
翟启杰
上海金属
doi:10.3969/j.issn.1001-7208.2010.03.007
研究了取向硅钢在初次再结晶过程中的组织和结构变化,包括晶粒长大情况、取向差、重合位置点阵(CSL)及织构的变化.研究表明,820℃盐浴再结晶退火3 s时即完成再结晶,随即发生晶粒长大.在初次再结晶的开始阶段,主要织构是{111}<112>、{100}<110>和弱的高斯织构;随着退火时间增加,{100}<110>织构和高斯织构逐渐减弱,{111}<112>织构先增强后减弱,并向{111}<110>和{111}<231>转化,退火3 min以后出现的{012}<001>织构是一种促进二次再结晶发展并最终有利于提高二次再结晶磁感和降低铁损的织构.退火时间增加到3 min以后,CSL的∑3晶界比例增加.退火时间增加到30 min时,CSL的∑1晶界比例增加,同时,小角度晶界比例提高,大角度晶界减少.
关键词:
取向硅钢
,
初次再结晶
,
织构
,
取向差
,
重合位置点阵
林勇
,
朱业超
,
郭小龙
钢铁
为研究退火工艺对普通取向硅钢初次再结晶组织的影响,对经不同温度、保温时间和升温速率退火后的材料组织进行了分析.结果表明:在等温退火条件下,加热至600℃时开始发生初次再结晶,800℃以上初次再结晶组织发展完善;而在最终冷轧板直接进行最终高温退火的情况下,加热温度在500～700℃时,将升温速率提高到80℃/h,初次再结晶组织更易于发展完善.
关键词:
取向硅钢
,
退火
,
初次再结晶
马涛
,
黄军军
,
李莉娟
材料导报
研究了脉冲磁场对冷轧取向硅钢热处理过程中初次再结晶组织形成规律的影响.通过分析冷轧硅钢在不同热处理条件下初次再结晶晶粒长大的动力学可知,施加脉冲磁场能够抑制晶粒的再结晶及正常晶粒长大,而且沿法向施加脉冲磁场抑制晶粒长大的作用最大.脉冲磁场作用下可用异速生长幂函数建立基体晶粒的生长动力学模型.
关键词:
取向硅钢
,
脉冲磁场退火
,
初次再结晶
,
晶粒长大
,
电子背散射衍射
闫志飞
,
金自力
,
任慧平
,
刘朋成
,
曹晓明
,
张利博
材料热处理学报
以实验室模拟CSP工艺生产的Fe-3％ Si钢为研究对象,采用XRD、EBSD技术研究了取向硅钢初次再结晶晶粒的取向和晶界结构.结果表明,初次再结晶晶粒中,高斯晶粒在数量上并不占优,优势取向为γ取向.高斯晶粒主要出现在{111} <112>取向晶粒周围,且高斯晶粒周围的晶界类型以25°～55°的大角度晶界和∑3晶界为主.
关键词:
薄板坯连铸连轧
,
取向硅钢
,
初次再结晶
,
晶界特征
罗安域
中国腐蚀与防护学报
<正> 在电镀中,衡量镀层均匀性的分散能力是一个重要的概念。在电镀书藉中,对分散能力的论述不多。本文根据已经成熟的电磁场理论,作些解释。 阴极电流初次分布是影响分散能力的决定性因素,弄清楚电流初次分布对分散能力的理解有极大的帮助。 有如图1所示的阴极
关键词:
杨佳欣
,
刘静
,
黎世德
,
李长一
,
王若平
材料热处理学报
对高磁感取向硅钢冷轧板分别进行800、950、1050和1120℃不脱碳的预退火处理,在800℃预退火,成品的磁性能较好.织构分析的结果表明,随着预退火温度升高,初次再结晶后有利织构组分{111} <112>与不利织构组分(118)[110]的比值f(111)/f(118)逐渐降低,初次再结晶织构的变化是成品磁性的影响因素之一.
关键词:
高磁感
,
取向硅钢
,
织构
,
磁性
徐超
,
卢佃清
,
刘学东
材料热处理学报
采用高温固相法制备了Sr0.96Al2O4∶Eu0.02,Dy0.02,B0.08长余辉发光材料.利用XRD衍射仪、荧光分光光度计和亮度计分别研究两步退火工艺中初次退火温度对晶体结构、激发光谱、发射光谱和余辉衰减特性的影响.结果表明,随着样品初次退火温度的升高,Dysr陷阱中的电子浓度出现一峰值,而Vo陷阱中的电子浓度逐渐减小.初次退火为1150℃×2h,第二次退火为1350℃×6 h的样品具有最大的Dysr陷阱中的电子浓度,且具有最大的时间衰减常数,这使该样品具有最好的长余辉特性.初次退火温度太高时,出现了AlEuO3晶相,Dysr陷阱中的电子浓度迅速降低.
关键词:
两步退火工艺
,
铝酸盐
,
长余辉发光材料
,
电子陷阱
