王菊琳
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栾莉
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张治国
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马清林
稀有金属材料与工程
研究了2008年南京长干寺出土的北宋七宝阿育王塔鎏金银基体和腐蚀产物成分,并根据银基体成分自行冶炼、加工出模拟的银试样.用电化学、XRD、XRF、SEM-EDS技术研究并比较了银试样在不同浓度NaCl环境中的腐蚀电位与电流,腐蚀产物成分、形貌、尺寸等.结果表明:NaCl浓度由较小的0.1％(质量分数,下同)升高到较大的3.5％时,自腐蚀电位Φc负移47.5 mV,自腐蚀电流密度ic升高0.0015 μA/cm2,腐蚀热力学倾向和动力学速度没有大幅度增加.腐蚀活化区电流密度迅速升高,致钝电流密度ip为ic的7.2×103～7.6×104倍,钝化区的银试样以71.2～308.8mm/a的腐蚀速率维持钝态.在0.1％、3.5％ NaCl溶液中分别恒电位+0.12 VscE极化不同时间后,腐蚀产物为AgCl,且基体发生了孔蚀,随着NaCl溶液浓度由0.1％增大到3.5％,试样表面Cl-腐蚀活性中心增多,AgCl晶体生长速度增大,生成的颗粒尺寸由1～2 μm减小到100 nm;腐蚀产物层的颜色逐渐由灰白色变为黑色；在0.1％ NaCl中可清晰观察到AgCl颗粒主要为棱柱状五面体结构,且随着极化时间延长,颗粒逐渐长大.
关键词:
银
,
腐蚀
,
电化学
,
AgCl
,
宋代
王菊琳
,
栾莉
,
张治国
,
马清林
腐蚀学报（英文）
研究了2008年南京长干寺出土的北宋七宝阿育王塔鎏金银基体及其腐蚀产物成分,并根据银基体成分按传统工艺自行冶炼、加工出模拟的银试样.用电化学、OM、XRD、XRF、SEM-EDS技术研究并比较了银试样在不同浓度Na2S溶液中的腐蚀电位与电流、腐蚀产物成分、形貌、晶粒度等.结果表明,Na2S浓度由20 mg/L升高到5.0× 104 mg/L (5％ Na2S)时,自腐蚀电位Ecorr负移0.70V,自腐蚀电流密度Icorr从0.274 μA/cm2升高至1.056 μA/cm2,腐蚀倾向和速度大幅度增加.在20 mg/L Na2S溶液中-0.31 V～1.8 V范围内极化,银试样始终处于活化溶解状态.在5％ Na2S溶液中,腐蚀活化区电流密度从1.056 μA/cm2迅速升高至1.56× 104μA/cm2,并以较大的腐蚀电流密度(约1.56× 104 μA/cm2)进入钝化区并维持钝态;分别在20 mg/L和5％ Na2S溶液中活化区恒电位+0.3V、-0.8 V极化不同时间后,腐蚀产物主要为Ag2S.随着Na2S溶液浓度的增大,试样表面S2-腐蚀活性中心增多,Ag2S晶体成核速率增大,而腐蚀产物的晶粒度则由20 μm减小到1.86～5.10 nm.
关键词:
银
,
腐蚀
,
电化学
,
Ag2S
肖云
,
魏国升
,
王瑛
腐蚀与防护
采用失重法、电化学阻抗谱法、极化曲线法测试了25℃时栾树籽提取物(KPSE)在5％ H2SO4溶液中对A3碳钢的缓蚀作用.结果表明,栾树籽提取物缓蚀剂质量浓度为15 g/L时,缓蚀率高达93.88％.因其在钢铁表面吸附而起缓蚀作用,吸附模型符合Langmuir吸附等温式.运用相关公式,求出△G的值在-20～0 kJ/mol之间,属于物理吸附；求出腐蚀反应的Ea,△H*和△S*值,并讨论了缓蚀机理.极化曲线表明栾树籽提取物是混合型缓蚀剂.
关键词:
栾树籽提取物
,
缓蚀率
,
硫酸
,
缓蚀机理
江泽慧
,
任海青
,
费本华
,
张东升
,
岳永德
,
陈晓红
新型炭材料
doi:10.3969/j.issn.1007-8827.2006.01.001
以毛竹、印度莉竹为原料,在氮气氛中炭化制得竹炭,然后于1450℃下采用熔融Si渗透技术制得SiC陶瓷材料.借助SEM、XRD、X射线能谱仪、TGA和万能力学试验机等测试手段对竹炭和SiC陶瓷材料的微观构造、物相构成、材料的微区成分、力学特性及竹材的热失重行为进行了分析.结果表明:竹炭及其SiC陶瓷材料都继承了竹材的各向异性和微观构造特征;竹基SiC陶瓷是一种包含单质Si、C和SiC多相成分的复合材料;由两种竹材制备的竹炭及其SiC材料在微观构造、相组成和抗压力学性能上表现出一定的差异性.
关键词:
竹材
,
竹炭
,
SiC陶瓷
,
微观结构
,
抗压强度
焦栋茂
,
王新征
,
李洪涛
,
郭烈萍
,
蒋百灵
人工晶体学报
基于铝诱导非晶硅薄膜固相晶化方法,利用直流磁控溅射离子镀技术制备了Al/ Si…Al/ Si/ glass周期性结构的薄膜.采用真空退火炉对Al/ Si多层薄膜进行了500℃退火实验,通过透射电子显微镜(TEM)分析了不同退火时间下Al/ Si多层薄膜截面形貌的变化规律,并结合扩散过程探讨了退火时间对铝诱导非晶硅薄膜晶化过程的影响机理.研究结果表明:在铝诱导非晶硅薄膜固相晶化过程中,在退火过程的初期,晶态硅薄膜的生长主要来源于因Al的存在而形成的硅初始品核数量增加的贡献.随退火时间的延长,晶态硅薄膜的生长主要是依靠临界浓度线已推进区域中未参与形核的硅原子扩散至初始品核位置并进行外延生长来实现的.经500℃退火1 h后,Al/ Si薄膜的截面形貌巾出现了沿Si(111)晶面生长的栾品组织.
关键词:
退火时间
,
非晶硅薄膜
,
晶化
,
扩散
