刘荣
,
林理彬
,
陈渊
,
沈寄安
,
郭海萍
,
刘渊
,
励义俊
,
蒋励
,
王玫
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2000.02.010
用有源(主动)方法研究了贫化铀组合系统的中子诱发裂变缓发中子探测技术. 在不同屏蔽和组合等条件下测量和比较了贫化铀系统的缓发裂变中子分布, 进一步研究了实验系统的可核查性. 探讨了区分核与非核系统的方法.
关键词:
贫化铀
,
屏蔽和组合材料
,
缓发裂变中子
刘强
,
何捷
,
蒋波
,
郑丹
,
万渝平
,
孙鹏
,
林理彬
功能材料
以聚乙烯醇缩丁醛(PVB)为基质,以高敏性类丁二炔化合物为主要有机染色材料,添加适当比例光引发剂,成功研制了一种高感度新型辐射变色膜.用CL-1000型紫外线交联仪进行紫外线辐照后,薄膜颜色由粉红渐变为蓝色,且随着辐照剂量的增加颜色深度递增.经分光光度计测试其吸收光谱,发现主吸收峰值出现在650nm附近,且在相同的紫外线能量密度下,吸收峰处的响应吸光度与辐照时间成线性响应关系.在相同的辐照时间内,吸收峰处的响应吸光度与紫外线能量密度亦成线性关系.染色材料中添加适当比例的光引发剂,可以提高薄膜的响应吸光度,进而提高其响应灵敏度.对于变色层厚度为30～60μm的辐射变色膜,敏感层厚度与吸光度响应成正相关性.室温下避光贮存60天内,此新型辐射变色膜具有较好的稳定性与可重复性.
关键词:
辐射变色薄膜
,
紫外辐照
,
能量密度
,
响应吸光度
,
剂量计
何捷
,
林理彬
,
王鹏
,
卢勇
,
邹萍
,
王治国
,
甘荣兵
功能材料
用能量为1.7MeV,束流强度0.7μA*cm-2,总注量6.3×l016 cm-2的电子辐照镁铝尖晶石透明陶瓷,并对辐照后的样品进行等时退火,利用UV-VIS和PAT测试,表明通过电子辐照样品在237nm和370nm处产生吸收带,它们主要是F心及V型色心.通过退火可以使F心及V型色心吸收峰消除,但F心的消除温度要高于V型色心,且其在退火过程中形成F聚心,F聚心随F心聚集增加其峰位将向紫外移动.
关键词:
镁铝尖晶石透明陶瓷
,
电子辐照
,
等时退火
,
F聚心
王治国
,
祖小涛
,
封向东
,
牟云峰
,
林理彬
,
李燕伶
,
黄新泉
中国有色金属学报
Ti-2Al-2.5Zr合金中注入能量为75keV的N+离子, 注入剂量为3×1017/cm2和8×1017/cm2, 注入过程样品的温度低于200℃. N+离子在Ti-2Al-2.5Zr合金中的射程借助TRIM 96程序计算为1222. 注入后的样品用X射线衍射方法(XRD)以及光电子能谱方法(XPS)进行分析. XRD衍射谱表明有新相生成, 经分析为TiN和TiO2, 但这些新相的峰非常微弱, 很难区分. XPS宽程扫描谱表明注入后样品表面主要为Ti, C, N和O. XPS关于Ti2p和N1s窄程扫描谱表明N+离子注入后在合金表面确实形成了TiN和TiO2.
关键词:
Ti-2Al-2.5Zr合金
,
N+离子注入
,
XRD
,
XPS
卢铁城
,
陈丰波
,
张颖
,
刘彦章
,
林理彬
功能材料
采用低成本的无机-有机复合体系的溶胶-凝胶法成功制备出了Y3Al5O12(YAG)纳米粉体.实验中通过将Y(NO3)3和Al(NO3)3按摩尔比3:5溶解于异丙醇中,再加入适量柠檬酸后生成溶胶,经过脱醇、干燥形成纳米胶球前驱体,将其在适当温度下焙烧后生成YAG纳米粉体.在此过程中,采用了独特的循环水真空泵负压脱醇技术,大大缩减了脱醇和干燥时间,由40h降为4h.分别采用XRD,TEM和TG/DTA分析了不同温度下焙烧所得粉体的物相、形貌以及前驱体热分解特性.结果表明,与其它有机和无机体系制备方法相比,得到的YAG粉体颗粒近似球形,细小均匀,平均尺寸为20～40nm,并具有很好的分散性.
关键词:
YAG纳米粉体
,
改进的溶胶-凝胶法
,
无机-有机复合体系
卢勇
,
林理彬
,
卢铁城
,
何捷
,
邹萍
功能材料
利用能量为1.7MeV、注量分别为1013～1015/cm2的电子辐照VO2薄膜,采用XPS、XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析,并采用光透射性能和电学性能测试研究了电子辐照对样品相变过程中光电性能的影响.结果表明电子辐照在VO2薄膜中出现变价效应,产生新的X射线衍射峰,带来薄膜化学成分的变化.电子辐照在样品中产生的这些变化对VO2的热致相变特性有明显影响.
关键词:
VO2薄膜
,
结构
,
相变性能
,
电子辐照
卢勇
,
林理彬
,
邹萍
,
何捷
,
王鹏
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.02.015
本文通过合理控制真空还原时间和真空还原温度，利用真空还原V2O5的方法制备出具有优良热致相变性能的VO2薄膜；通过研究不同真空还原时间及真空退火温度对VO2薄膜结构和热致相变过程中光电性能的影响，得到最佳真空还原参数；制备的薄膜高/低温电阻变化最大达3个数量级，900nm波长光透过率在相变前后改变了40%左右，光学特性相变响应参数较大，热致相变性能优良。利用XPS、XRD对不同条件制备薄膜的化学状态和结晶状态进行了研究，结果表明较低温度退火有利于V5+离子的还原，而升高退火温度可改善结晶状态，退火时间对VO2中结晶状况和V离子价态有显著影响。讨论了离子价态和样品结晶状态对VO2薄膜热相变过程中热滞回线的宽度、相变温度点的影响。
关键词:
VO2薄膜
,
热致相变
,
光电性能
卢勇
,
林理彬
,
何捷
,
卢铁城
功能材料
对VO2薄膜进行不同剂量的γ辐照处理,利用SEM和xPS对辐照前后的薄膜进行分析,发现γ辐照诱导V离子出现不同价态之间的转变现象,并且价态变化的程度和方向与辐照剂量有关;较低剂量γ辐照在薄膜表面造成显著损伤,当辐照剂量增大时,γ射线在VO2薄膜中产生退火效应,使薄膜表面质量得到改善.辐照后的VO2薄膜光透射特性测试结果与上述结论相合,对辐照诱导的价态变化和退火效应的机理进行了讨论.
关键词:
VO2薄膜
,
γ辐照
,
变价
,
退火效应
祖小涛
,
林理彬
,
卢铁城
,
封向东
,
王治国
,
霍永忠
功能材料
用能量为1.7MeV不同注量的电子辐照了TiNi形状记忆合金,通过温度控制使辐照在合金的R相状态进行,发现辐照使合金的奥氏体逆转变开始温度A 和结束温度Af升高,随着辐照注量的增加有增大的趋势,且奥氏体转变滞后也有所增大;R相转变开始点Rs和转变结束点Rf略有增加.XRD结果表明电子辐照造成了R相点阵畸变,随辐照注量的增加有增大的趋势.这一变化被认为是辐照引入的点缺陷导致了R相稳定化,并且部分缺陷钉扎了R相界面造成的.这一结果为记忆合金相变点的调节提供了新方法.
关键词:
电子辐照
,
形状记忆合金
,
R相变
