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空洞蠕变的理论模型

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2001.05.004

综述了最近30年文献上报道的适用于陶瓷材料的蠕变空洞成核、生长的理论模型,剖析了这些模型的成功和不足之处,展望了该领域的研究前景.

沉积温度和退火处理对Ba0.5Sr0.5TiO3介电性能的影响

采用射频磁控溅射法在ITO/Corning1737玻璃基片上制备了用于无机EL绝缘层厚约700nm的Ba0.5Sr0.5TiO3介电薄膜,研究了沉积温度和退火处理对薄膜介电性能的影响.实验表明,随着沉积温度的升高,薄膜的介电常数、介电损耗、正反向漏电流密度增加,击穿场强下降.对于在500℃下沉积的薄膜在550～700℃、1.8×10-2Pa氧气氛中进行30min退火处理,结果发现在550℃和600℃下热处理介电损耗有所改善,其它参数都劣化;在650℃和700℃下热处理介电常数显著增加,其它性能都变差.

关键词: Ba0.5Sr0.5TiO3 , 薄膜 , 介电性能 , 沉积温度 , 退火处理

Y-α-β Sialon复相陶瓷的显微结构和蠕变行为

林明通 , 蒋丹宇 , 汪霖 , 阮美玲 , 施剑林

无机材料学报

研究了一种以ＹＡＧ为晶界相和理论初始α／β比率为６５／３５的Ｙ－α－β复相ｓｉａｌｏｎ在温度１２５０～１３５０℃和应力１１０～２９０ＭＰａ的四点弯曲蠕变行为，得出在１２５０、１３００、１３５０℃下的应力指数分别为１．３１、１．４９、１．６２，蠕变激活能为６７７ｋＪ.ｍｏｌ^-1，显微结构观察表明几乎所有的空洞都位于多晶界，从而推断伴随着多晶界空洞形成的扩散－滑移耦联机制是蠕变的速率控制机制．Ｍｏｎｋｍａｎ－Ｇｒａｎｔ关系式得出的蠕变速率指数p值为１.６，蠕变断裂是由多三晶界空洞的成核、生长、聚结和连接引起的．

关键词: 复相sialon , creep , microstructure , oxidation , phase transformation

无机EL显示器件用高性能介电层的研究

肖田 , 林明通 , 徐毅 , 陈晨曦 , 陈国荣 , 杨云霞

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.02.005

用rf和反应磁控溅射法成功制备了一种总厚度为530～730nm的SrTiO3/Ta2O5复合介电层,获得在500Hz下介电常数为48～73,反映介电损耗的参数ΔVy在0.06～0.15V之间,击穿场强为106～139MV/m,在0.05V/nm的电场下正、反向漏电流在10-9～10-7A/cm2之间,品质因子(εrεoEb)大于5μc/cm2.同时比较了SrTiO3/Ta2O5复合介电层和SrTiO3和Ta2O5单层薄膜的介电性能.把复合膜应用于以ZnS:Mn和Zn2Si0.5Ge0.5O4:Mn为发光材料的器件中,获得了适当的阈值电压和较高的亮度.

关键词: 无机EL , SrTiO3薄膜 , Ta2O5薄膜 , SrTiO3/Ta2O5复合膜

一种热压β-sialon的蠕变和蠕变恢复行为

林明通 , 蒋丹宇 , 汪霖 , 阮美玲 , 施剑林

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2002.01.008

研究了一种以Sm-黄长石固溶体(M＇)为晶界相的β-sialon在温度为1300 ℃、应力为110～270MPa条件下的四点弯曲蠕变行为.应力指数为1.2,蠕变后试样的显微结构观察表明在晶界点出现蠕变空洞.由此推测扩散调节的晶界滑移是主导蠕变机制在1300 ℃/200MPa下的蠕变恢复行为归因于残余晶界玻璃相的粘弹性松弛

关键词: β-sialon , 蠕变 , 蠕变恢复

Y-α-β Sialon复相陶瓷的显微结构和蠕变行为

林明通 , 蒋丹宇 , 汪霖 , 阮美玲 , 施剑林

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.06.014

研究了一种以YAG为晶界相和理论初始α/β比率为65/35的Y-c-β复相sialon在温度1250～1350°C和应力110～290MPa的四点弯曲蠕变行为,得出在1250、1300、1350°C下的应力指数分别为1.31、1.49、1.62,蠕变激活能为677kJ.mol-1,显微结构观察表明几乎所有的空洞都位于多晶界,从而推断伴随着多晶界空洞形成的扩散-滑移耦联机制是蠕变的速率控制机制.Monkman-Grant关系式得出的蠕变速率指数p值为1.6,蠕变断裂是由多三晶界空洞的成核、生长、聚结和连接引起的.

关键词: 复相sialon , 蠕变 , 显微结构 , 氧化 , 相变

电子束蒸发Al2O3/TiO2复合膜及在无机EL中的应用

黄浩 , 肖田 , 张羿 , 林明通

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.014

开发高可靠性的绝缘层薄膜几十年来一直是TFEL显示器研制中的重要努力方向之一.采用双靶脉冲电子束蒸发法制备了Al2O3/TiO2单元结构为10 nm/10 nm、20 nm/20 nm、40 nm/40 nm、总厚度约600 nm的多层复合薄膜,同时采用共蒸发法制备了800 nm的AlxTiyOz复合薄膜,研究了它们的介电性能,并与Al2O3、TiO2单层膜的介电性能做了比较,最后将性能较优的AlxTiyOz薄膜应用到ZnS:Mn TFEL器件中.Al2O3/TiO2多层复合膜随着结构单元中Al2O3、TiO2厚度由10 nm增至40 nm,介电常数由20.2减小到16.1,击穿场强由154 MV/m增至174 MV/m,反映介电损耗的参数ΔVy由0.09 V降为0.04 V,在50 MV/m下漏电流密度由1×10-6 A/cm2增至1×10-4 A/cm2,品质因子由2.62 μC/cm2降为2.46 μC/cm2.AlxTiyOz薄膜的品质因子大于3.6 μC/cm2,应用于ZnS:Mn TFEL器件中获得在200 Hz下较高的L50(58 cd·m-2)、很低的阈值电压(60～70 V),而且各个像素的L-V性能有很好的重复性.

关键词: 电子束蒸发 , Al2O3-TiO2复合膜 , 介电性能 , ZnS:Mn器件

卡林型金矿的再定义

周余国 , 刘继顺 , 欧阳玉飞 , 何兆波 , 高启芝

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2008.11.003

介绍了卡林型金矿称谓的演变及不同学者在卡林型金矿认识上的差异,通过分析这些不同称谓演变和认识上的差异,结合笔者多年来在滇黔桂"金三角"地区的找矿实践和思考,认为:对卡林型金矿应"只求同"(要求其最基本的表面的特征相同或相似),"须存异"(容矿岩石、产出地质背景、成因等有所不同),卡林型金矿本身不具有成因意义,不是一种成因类型;判别卡林型金矿有4条标准;依据4条标准,将卡林型金矿定义为区带上_集中分布的(超)微细、浸染、中低温热液矿床.

关键词: 卡林型金矿 , 判别标准 , 再定义