肖志松
,
徐飞
,
张通和
,
程国安
,
杨锡震
,
顾岚岚
,
王迅
材料导报
阐述了掺Er硅发光的研究意义和现状,总结了掺Er硅的材料性能、发光机理、提高发光效率的途径、制备方法,以及掺Er硅LEDs器件的行为和来来展望.
关键词:
掺Er硅
,
发光
,
发光效率
康秀英
,
杨锡震
,
王亚非
,
王幼林
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2001.01.009
讨论了掺氮磷化镓（GaP∶N）荧光光谱的峰值强度（孤立氮等电子中心束缚激子发光峰A、最邻近N-N对束缚激子发光峰NN1和次邻近N-N对束缚激子发光峰NN3）随激发强度的变化规律，并在发光跃迁动力学方程中计入了由于高激发密度引起的样品温度升高，而导致孤立氮A的能级NA和最邻近N-N对NN1的能级的热激发的增强，得到了R（即最近邻N-N对(NN1)束缚激子发光峰与孤立N等电子中心束缚激子发光峰的强度比INN1/IA）与掺N浓度和激发光强的变化关系。利用实验数据进行拟合，得到了更好的拟合结果，并讨论了用此法计算GaP∶N样品中氮浓度时应注意的一些问题。
关键词:
掺氮磷化镓(GaP∶N)
,
荧光光谱
,
拟合
赵普琴
,
杨锡震
,
薛洪涛
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.02.006
在已报道的p-n2-n1结的势垒分布计算的基础上,对该结构的浓度分布进行了计算.对于正偏情形,计入了n2区产生的压降.考虑到GaP∶N LED发光区主要在p区,注入效率γ=jn/(jn+jp),jn和jp分别为电子电流和空穴电流.p区内的少子扩散可视为向无限远处的一维扩散;n2区内外加正向偏压时电场不能忽略,空穴又被n2-n1 结势垒阻挡(设被完全阻挡),则问题归结为求解有限厚度层中空穴的扩散和复合方程, 由边界条件求出空穴扩散电流.将求出的电子扩散电流和空穴扩散电流代入注入效率的表达式即可求得γ.对在合理的参数值范围内的计算结果进行了讨论.分析表明:当n2值在1015～1016cm-3范围内时,注入效率较高,与实验结果基本相符.
关键词:
GaP∶N LED
,
结构参数优化
,
载流子
,
浓度
张银斗
黄金
杨坪金矿床赋存于下古生界丹凤群大草坝组变火山—沉积建造中,金矿化严格受层间挤压破碎(片理化)带控制,赋矿岩性为蚀变的二云石英片岩、绢云母石英片岩、绿泥石英片岩等变质岩及黄铁矿化石英脉,金矿化受变质、构造及次生氧化三重作用控制.对杨坪金矿床的地质特征及控矿特征进行了系统的研究,总结了找矿标志,并指出了找矿方向.
关键词:
地质特征
,
控矿特征
,
找矿标志
,
找矿方向
,
杨坪金矿床
李晨辉
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2011.12.006
在野外调研基础上,通过对杨金沟金矿床地质特征的研究和包裹体显微测温的分析,讨论了成矿条件和矿床成因.结果表明,该矿床赋存于古生代变质岩系与华力西晚期花岗岩接触带附近,明显受断裂构造控制；金矿石主要有蚀变岩型和石英脉型两种,金矿物以细粒—微细粒的包体金、裂隙金和晶隙金形式赋存于石英、黄铁矿等矿物的内部、晶隙或裂隙中；石英中主要发育气液二相包裹体、C02包裹体和含C02三相包裹体,成矿流体为中温(230 ～ 270℃)、中低盐度(3.37％～15.65％)、低密度(0.78～0.91 g/cm3)的NaCl-H20-C02体系.结合区内铜金矿床对比分析认为,杨金沟金矿床形成于板块俯冲后的伸展环境,金矿化与燕山晚期中酸性侵入体具有密切的时空和成因联系.
关键词:
地质特征
,
流体包裹体
,
杨金沟金矿床
,
延边东部地区
