杨良准
,
方敏
,
杜立芬
,
刘洁
,
沈新峰
,
张兰芬
,
余锡宾
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2007.05.017
在溶胶-凝胶法制备CaSiO3:Pb2+,Mn2+荧光粉的过程中,通过加入一定质量分数的助熔剂Li2CO3,研究了Li+对荧光粉晶体结构及荧光性能的影响,并运用荧光光谱、DTA-TG、XRD、SEM等测试技术进行了表征.研究结果表明,在900 ℃焙烧下,当加入Li+质量分数≤0.25%时,荧光发射峰基本不位移,加入Li+质量分数为0.15%时的荧光强度最大,XRD分析结果表明为β-CaSiO3晶形;当质量分数＞0.25%时,荧光发射峰发生缓慢蓝移,其中加入Li+质量分数为0.65%时荧光最强,发光强度为不加Li+时的3.5倍左右,发射主峰由650 nm蓝移至615 nm附近,并有微量Li2Ca3Si6O16新物质生成.研究结果还表明,Li+的加入降低了样品的合成温度.当不加Li+时,最佳焙烧温度为1 200 ℃;加入Li+质量分数为0.15%时,最佳焙烧温度为1 100 ℃;当Li+质量分数增加到0.65%时,最佳焙烧温度降至900 ℃.SEM分析表明,随着Li+的加入,样品逐渐由三维网络块状结构变为不规则形状,且荧光粉颗粒粒径逐渐减小.
关键词:
Li+掺杂
,
偏硅酸盐
,
晶体结构
,
荧光性能
杨良准
,
方敏
,
刘洁
,
沈新峰
,
张兰芬
,
余锡宾
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.02.006
采用溶胶凝胶法制备了CaSiO3:Pb,Mn荧光粉,运用荧光光谱、DTA-TG、XRD、TEM等手段对其进行了表征.结果表明,在溶胶过程中分别加入三种非离子型表面活性剂ON70、TO8和XLS0后,样品荧光强度均增强,以XL80的效果为最佳.当V(XL80):V(溶胶)的体积比为0.5:50时,所得样品荧光强度约为高温固相法样品的3倍,且粒子分散性好,选区电子衍射图出现单晶点阵排列,纳米晶平均粒径约150nm;当V(XL80):V(溶胶)为1:50时,荧光粉粒子形貌呈现长短、宽窄不一的纳米棒状,电子衍射图呈现更规则有序的单晶点阵.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
非离子表面活性剂
,
发光材料
,
CaSiO3,Pb,Mn
张兰芬
,
杨良准
,
沈新峰
,
任黎雯
,
余锡宾
,
金雪琴
材料科学与工程学报
采用超声波辅助.溶液浸渍法将稀土配合物Eu(Phen)2Cl3装入中孔分子筛MCM-48孔道.合成了不同组装量的杂化材料Eu(Phen)2Cl3/MCM-48.运用XRD、ICP、N2吸附-脱附、DTA-TG、TEM、荧光光谱等手段对杂化材料进行了表征,研究表明稀土配合物已进入分子筛孔道,且随着配合物嵌入量的增加.杂化材料的荧光发射也逐渐增强.经ICP分析得出Eu(Phen)2Cl3在MCM-48中的饱和吸附量为8.6%,此时荧光强度最大.与纯稀土配合物Eu(Phen)2Cl3相比,Eu(Phen)2Cl3/MCM-48的热稳定性提高了约200℃.
关键词:
Eu(Ⅲ)配合物
,
MCM-48
,
杂化材料
,
荧光性能
,
热稳定性
程军
,
杨学明
,
杨晓勇
,
王昌燧
,
王巨宽
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001
本文利用ICP-MS对新石器时代良渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明良渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.
关键词:
良渚玉器
,
ICP-MS
,
稀土元素(REE)
,
产地分析
张银斗
黄金
杨坪金矿床赋存于下古生界丹凤群大草坝组变火山—沉积建造中,金矿化严格受层间挤压破碎(片理化)带控制,赋矿岩性为蚀变的二云石英片岩、绢云母石英片岩、绿泥石英片岩等变质岩及黄铁矿化石英脉,金矿化受变质、构造及次生氧化三重作用控制.对杨坪金矿床的地质特征及控矿特征进行了系统的研究,总结了找矿标志,并指出了找矿方向.
关键词:
地质特征
,
控矿特征
,
找矿标志
,
找矿方向
,
杨坪金矿床
刘晓伟
,
郭会斌
,
李梁梁
,
郭总杰
,
郝昭慧
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0548
纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.
关键词:
薄膜晶体管阵列工艺
,
磁控溅射
,
纯铝薄膜
,
小丘
,
量产良率
