杨继红
,
张新平
,
Y.W.Mai
,
李勇
金属学报
利用扫描电镜电子通道衬度(SEM--ECC)技术观察了循环变形饱和阶段Cu单晶样品中近表面区域的位错微结构. 在样品边缘一些条带状或斑点状呈黑色的位错组织区, 利用离散位错动力学方法模拟了该区的位错微观结构, 并计算了与此位错微结构相对应的内应力分布. 模拟和计算结果表明, 黑色区是内应力出现最大值区,即应力集中区, 它与驻留滑移带(PSB)中的不均匀变形有关,是疲劳裂纹萌生最可能的位置.模拟和计算结果很好地解释了这一现象.
关键词:
Cu
,
cyclic deformation
,
crack
nucleation
,
null
单智伟
,
杨继红
金属学报
利用透射电镜（ＴＥＭ）原位拉伸在室温下对（１１０）〖１１０〗取向Ｎｉ３Ａｌ合金单晶中裂纹的萌生与扩展进行了研究.结果表明：裂纹沿之字形路径扩展且裂纹的总体扩展路径与拉伸轴平行.迹线分析表明，首先激活的是（１１１）和（１１１）两个主滑移面上的滑移系；其后在Ｓｃｈｍｉｄ因子为零的两个滑移面上的滑移系激活.为了解释所观察到的现象而建立了一个位错塞积模型.
关键词:
Ni3Al
,
null
,
null
,
null
杨继红
,
李勇
,
李守新
,
马常祥
,
王刚
,
柯伟
金属学报
利用扫描电镜电子通道衬度(SEM ECC)技术,对单滑移取向疲劳Cu单晶从基体脉络位错结构到驻留滑移带(PSBs)位错结构的演化进行了观察且对这个演化过程中典型的位错结构进行了模拟计算,给出了PSBs演化过程中典型位错结构内应力场的分布结果表明:在从基体脉络位错结构到PSBs位错结构的演化过程中,内应力的分布是不均匀的,位错密集区域(基体脉络和PSBs墙中)比位错贫乏区域(通道中)平均内应力分布相对集中,PSBs夹层与基体相比平均内应力的分布相对较弱,PSBs与基体边界处存在很大的应力差.由观察和计算结果对PSBs演化给出了一个新的可能的演化机制
关键词:
疲劳Cu单晶
,
null
,
null
杨继红
金属学报
利用二维离散位错动力学方法,研究了边界条件对计算机模拟疲劳Cu单晶位错花样的影响.结果表明:边界条件在模拟位错花样这类多体问题是非常重要的;在其它模拟机制均完全相同的情况下,不同边界条件会形成不同的模拟结果.自由空间边界条件是最简单、也是最不现实的边界条件，模拟结果与实验结果相差甚远；而一维最近邻周期性边界条件与二维近邻周期性边界条件的模拟结果基本相同，与Cu单晶早期疲劳位错花样的实验比较吻合。
关键词:
离散位错动力学
,
null
,
null
杨继红
,
李勇
,
李守新
,
马常祥
,
李广义
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.10.002
采用离散的位错动力学方法,用计算机模拟循环形变单滑移取向Cu单晶中疲劳早期位错花样的形成和演化过程,并利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术对其进行了观察.计算机模拟结果与实验观察较好地吻合.提出了在循环形变早期位错脉络的形成和演化是从同号的基体位错墙开始的,基体偶极子位错墙是两个异号基体位错墙合并的结果,在偶极子位错墙破碎并演化为基体脉络的过程中螺型位错段起到了重要作用等观点.
关键词:
Cu单晶体
,
疲劳早期
,
位错花样
,
观察与模拟
单智伟
,
杨继红
,
刘路
,
李志成
,
谭若兵
,
徐永波
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.03.010
利用透射电镜(TEM)原位拉伸在室温下对(-110)[110]取向Ni3Al合金单晶中裂纹的萌生与扩展进行了研究结果表明:裂纹沿之字形路径扩展且裂纹的总体扩展路径与拉伸轴平行.迹线分析表明,首先激活的是(111)和(111)两个主滑移面上的滑移系;其后在Schmid因子为零的两个滑移面上的滑移系激活.为了解释所观察到的现象而建立了一个位错塞积模型.位错应力场的计算表明,塞积位错列所产生的应力场导致了第二滑移系的启动,并使得裂纹扩展路径平行于拉伸轴的方向.
关键词:
Ni3Al合金单晶
,
透射电镜原位拉伸
,
裂纹扩展
,
位错塞积模型
杨继红
,
李勇
,
李守新
,
马常祥
,
王刚
,
柯伟
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2001.05.013
利用扫描电镜电子通道衬度(SEM ECC)技术,对单滑移取向疲劳Cu单晶从基体脉络位错结构到驻留滑移带(PSBs)位错结构的演化进行了观察且对这个演化过程中典型的位错结构进行了模拟计算,给出了PSBs演化过程中典型位错结构内应力场的分布结果表明:在从基体脉络位错结构到PSBs位错结构的演化过程中,内应力的分布是不均匀的,位错密集区域(基体脉络和PSBs墙中)比位错贫乏区域(通道中)平均内应力分布相对集中,PSBs夹层与基体相比平均内应力的分布相对较弱,PSBs与基体边界处存在很大的应力差.由观察和计算结果对PSBs演化给出了一个新的可能的演化机制
关键词:
疲劳Cu单晶
,
驻留滑移带的演化
,
内应力场
,
位错结构模拟
杨继红
,
张新平
,
Y.W.Mai
,
李勇
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2005.01.002
利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察了循环变形饱和阶段Cu单晶样品中近表面区域的位错微结构.在样品边缘一些条带状或斑点状呈黑色的位错组织区,利用离散位错动力学方法模拟了该区的位错微观结构,并计算了与此位错微结构相对应的内应力分布.模拟和计算结果表明,黑色区是内应力出现最大值区,即应力集中区,它与驻留滑移带(PSB)中的不均匀变形有关,是疲劳裂纹萌生最可能的位置.模拟和计算结果很好地解释了这一现象.
关键词:
Cu单晶
,
循环变形
,
疲劳裂纹萌生
,
离散位错动力学
,
内应力分布
