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高分子辅助化学溶液沉积制备涂层导体CeO2缓冲层

李果 , 蒲明华 , 孙瑞萍 , 王文涛 , 张欣 , 武伟 , 雷鸣 , 张红 , , 程翠华 , 赵勇

稀有金属材料与工程

分别采用两种高分子辅助化学溶液沉积方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上制备了涂层导体CeO2缓冲层.结果表明,制得的CeO2缓冲层双轴织构良好,表面无裂纹.比较两种不同的高分子辅助方法,利用聚甲基丙烯酸辅助制得的CeO2表面平整,均方根粗糙度在1 μm×1μm的范围内仅为2 nm,粗糙度远小于利用聚乙烯醇辅助沉积而得的CeO2缓冲层.

关键词: CeO2缓冲层 , 高分子辅助 , 化学溶液沉积

无定形碳掺杂对MgB2超导块材微结构及超导电性的影响

王庆阳 , 闫果 , 刘国庆 , 李金山 , 张平祥 , 卢亚峰 , , 蒲明华 , 赵勇

稀有金属材料与工程

以无定形碳粉末作为掺杂物质,通过固相烧结的方法,在750℃,高纯氩气保护下,热处理2 h制备了MgB2-xCx(x=0,0.05,0.10,0.20,0.30)超导块材.用X射线衍射(XRD)仪,扫描电子显微镜(SEM)和物性测试仪(PPMS)对样品的微观结构和超导电性进行了系统分析.结果显示,在750℃热处理条件下,有部分碳进入MgB2的晶格中,其余碳处于MgB2的晶界处.少量碳掺杂可以有效细化MgB2晶粒,并改善MgB2的超导电性.MgB1.9C0.1块材的临界电流密度(Jc)在20 K,3 T条件下达到8×104A/cm2,表明无定形碳掺杂可有效提高MgB2的磁通钉扎.

关键词: MgB2超导块材 , 无定形碳粉 , 掺杂 , 显微结构

C掺杂对MgB2超导体水解行为的影响

刘国庆 , 熊晓梅 , 王庆阳 , 闫果 , 刘春芳 , 卢亚锋 , , 蒲明华 , 赵勇

稀有金属材料与工程

采用固态反应法制备了纯MgB2和C掺杂MgB2超导体.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)和物性测试仪(PPMS)研究了纯MgB2超导块材和C掺杂的MgB2超导块材的水解行为对微观结构和超导电性的影响.结果表明,纯MgB2和C掺杂的MgB2超导体与水之间存在明显的化学反应.C掺杂部分进入MgB2的晶格中,其余部分以第二相粒子形式存在于晶界处,使得首先发生于晶界的水解反应受到抑制,从而提高了MgB2超导体的水解稳定性,减缓了水解反应速度.

关键词: MgB2超导体 , C掺杂 , 水解

永磁导轨上高温超导块材排布方式与悬浮力关系的研究

秦公平 , 赵立峰 , , 羊新盛 , 蒋婧 , 白雪 , 秦黎 , 张勇 , 赵勇

低温物理学报

本文研究了YBCO块材排布方式与其在永磁导轨上悬浮力的关系.实验结果表明:悬浮力与随悬浮间距成指数关系.而YBCO块材在导轨上方排列方式的不同,导致沿轨道横截面方向,每块超导块获得的悬浮力平均值差异较大.当超导块集中分布于轨道上方磁场强度最大的区域时,超导块平均悬浮力最大.这意味着,与其他排布方式相比,在获得同等悬浮力情况下,这种排布方法的超导块用量最少.这一结果对于超导磁悬浮系统的设计具有指导意义.

关键词: 超导磁悬浮 , 悬浮系统 , 悬浮力与排布方式

化学溶液沉积制备涂层导体Eu0.3Ce0.7O1.85-x单一缓冲层

孙瑞萍 , 李果 , 蒲明华 , 王文涛 , 张欣 , 武伟 , , 赵勇

稀有金属材料与工程

采用高分子辅助化学溶液沉积(PACSD)方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上沉积了厚度大于160 nm的Eu0.3Ce0.701.85-x(ECO)单一缓冲层.制得的ECO缓冲层双轴织构良好,表面平整、无裂纹.同时,Eu的掺杂提高了CeO2单一缓冲层薄膜的临界厚度.在沉积了ECO缓冲层的NiW基带上外延生长的YBCO薄膜,超导零电阻转变温度Tc0=86K,临界电流密度达到Jc(O T,77 K)=0.4 MA/cm2.本研究提供了一种操作简单、成本低廉、性能优良的制备涂层导体单一缓冲层的方法.

关键词: Eu掺杂 , CeO2单一缓冲层 , 高分子辅助化学溶液沉积(PACSD)

葡萄糖掺杂MgB2块材超导电性研究

李仪成 , , 王雅真 , 王磊 , 孙辉辉 , 张勇 , 赵勇

低温物理学报

本文采用化学溶液法制备了在不同热处理条件下葡萄糖掺杂的MgB2块材样品.并对样品的晶体结构及超导电性进行了系统分析.X射线衍射结果表明掺杂样品a轴方向上的晶格参数减小,说明MgB2晶格中部分硼原子被葡萄糖分解后的活性碳原子所替代.此外,在两种不同烧结温度下,5 wt%C6H12O6掺杂量对Tc都有较小的抑制,但不可逆场和高场下的载流能力得到了提高.在10K,5T下,掺杂样品的临界电流密度可达104 A/cm2,比纯样Jc值大2~3倍,这表明掺杂样品的磁通钉扎性能得到了有效改善.

关键词: MgB2 , 临界电流密度 , 热处理温度 , 磁通钉扎

共沉淀法制备纳米多晶La2/3Sr1/3MnO3及其低场磁电阻性质

何伟 , 羊新胜 , 阚香 , 张元发 , 立芹 , , 赵勇

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.02.017

利用共沉淀法制备了纳米多晶La2/3Sr1/3MnO3粉体,并研究了相应烧结陶瓷的相结构、显微形貌、电性质以及磁电阻效应.样品中存在高密的晶界,对电子的疏运过程产生明显的散射作用,从而使得样品具有较大的电阻值,并且只有当烧结温度大于800℃时才出现金属绝缘体温度相变.样品的磁电阻是低场磁电阻效应,源于晶界处电子的自旋极化隧穿.烧结温度越低的样品,其磁电阻越大.

关键词: 低场磁电阻 , 共沉淀 , 纳米

5d电子掺杂的SmFe_(1-x)Ir_xAsO铁基超导体的合成及物性

陈永亮 , 崔雅静 , , 王磊 , 李仪成 , 张勇 , 赵勇

低温物理学报

通过在SmFeAsO中Fe位上掺入5d过渡金属Ir,得到了一种新的铁基超导体SmFe_(1-x)Ir_xAsO,当x=0.05时,样品表现出超导电性,超导转变温度为8K,当x=0. 15时,超导转变温度达到最大值17. 3K X射线衍射结果表明所有样品均属四方ZrCuSiAs-type结构,SEM结果表明SmFe_(1-x)Ir_xAsO样品具有片层状形貌特征,随着Ir掺杂量的增大,晶格参数a增大而c减小,结合EDX数据,表明Ir掺人了SmFeAsO晶格当中.

关键词: 铁基超导体 , ZrCuSiAs结构

预处理柠檬酸对MgB2块材掺杂的影响

王雅真 , , 李仪成 , 王磊 , 孙辉辉 , 张勇 , 赵勇

低温物理学报

本文介绍了预处理柠檬酸(C6H8O7)掺杂对MgB2超导体的影响.通过该实验我们将柠檬酸中的一部分氧元素除去,降低了样品中MgO的含量,从而有效减轻了杂质相对超导转变温度(Tc)的抑制.另外,还发现样品的临界电流密度(Jc)在处理温度为200℃时达到最优值.在10K,4T条件下,200℃预处理的样品的Jc达到1.4×104A/cm2,相对纯样的临界电流密度0.8×104A/cm2,提高了75%.

关键词: MgB2 , 预处理温度 , 临界电流密度

铝、碳共掺提高MgB2临界电流密度

, 周杰佛 , 崔雅静 , 张勇 , 赵勇

低温物理学报

本文研究了在MgBq超导体中Al,C及两种元素共同掺杂时对样品的超导转变温度,不可逆场和临界电流的影响.研究发现,少量的铝掺杂可以提高MgB2超导材料在低场下的临界电流密度,但由于对Tc的抑制而降低其在高场下的载流能力,而碳掺杂则可以有效提高MgB2超导材料的上临界场和不可逆场,从而达到改善其在高场下的载流能力的目的.研究发现,在0-7T外磁场范围内,1%铝和1%碳共同掺杂的样品表现出最佳的载流性能.钉扎力曲线的分析也应证了这一结果.

关键词: MgB2 , 二硼化镁 , 磁通钉扎

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