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O2气流量对MOCVD法生长ZnO薄膜性质的影响

马艳 , 杜国同 , 杨树人 , 李正庭 , 李万成 , 杨天鹏 , 张源涛 , 赵佰军 , 杨小天 , 刘大力

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.005

采用低压MOCVD方法,在(0001)Al2O3衬底上沉积了ZnO薄膜.研究了Ⅵ族源O2气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响.增加O2气流量,ZnO薄膜结晶质量有所降低,半高宽从0.20°展宽至0.30°,由单一c轴取向变成无取向薄膜.同时,生成的柱状晶粒平均尺寸减少,晶粒更加均匀,...

关键词: ZnO薄膜 , MOCVD , PL谱

采用MOCVD法在p型Si衬底上生长Zn0薄膜

张源涛 , 崔勇国 , 张宝林 , 朱慧超 , 李万成 , 常遇春 , 杨树人 , 杜国同

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.032

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型Si(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜.在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在Si衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn),氧源为氧气(O2).通过X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和荧光光(PL)谱研究了薄膜的结构和光学...

关键词: ZnO薄膜 , Si衬底 , PL谱 , 异质结

生长温度对ZnO薄膜结构的影响

王金忠 , 王新强 , 闫玮 , 殷宗友 , 马燕 , 姜秀英 , 杨树人 , 高鼎三 , 杜国同

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.005

在不同温度下,利用射频等离子体增强型MOCVD系统,在蓝宝石C面上生长出了C轴单一取向的ZnO薄膜,并通过XRD、SEM手段对生长温度与样品的生长速度、表面结构和氧锌原子化学计量比的关系作了较为详细的研究,优化了薄膜的温度生长参数.当生长温度为520oC时,ZnO薄膜的生长速度最大且表面粗糙度较低....

关键词: XRD , SEM , 化学计量比 , ZnO

MOCVD法氧化锌单晶薄膜生长

刘博阳 , 杜国同 , 杨小天 , 赵佰军 , 张源涛 , 高锦岳 , 刘大力 , 杨树人

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.005

介绍了氧化锌材料的一些突出特性以及生长氧化锌的方法.并通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备了优良的氧化锌薄膜.使用X射线衍射(XRD)谱和室温光致发光(PL)光谱对所生长氧化锌薄膜的晶体质量和光学特性进行了研究. X射线衍射谱图显示仅在2θ=34.72 °处有一个很陡峭的ZnO (002)...

关键词: 氧化锌 , 金属有机化学气相沉积 , 薄膜 , 生长

等离子体辅助MOCVD生长的ZnO薄膜退火改性研究

王金忠 , 王新强 , 王剑刚 , 姜秀英 , 杨树人 , 杜国同 , 高鼎三 ,

功能材料

用等离子体辅助MOCVD法在蓝宝石(α-A12O3)上生长了ZnO薄膜,测试了其退火和未退火薄膜的电阻率、电子浓度、迁移率、激光阈值,并通过X光衍射、光致发光方法表征了ZnO薄膜的质量,其结果是:退火薄膜的电子浓度低达1015/cm3量级、激光阈值降低近30倍、X光衍射峰半高宽是0.29°、在388...

关键词: 等离子体辅助MOCVD , X光衍射 , 光致发光 , 激光阈值

杨树金矿采矿方法综述

张军胜 , 王军民 , 郭树林 , 任玉东

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2009.10.007

总结了金凤公司(原杨树金矿)生产和实践中应用的几种采矿方法.结合中段运输系统改造,设计了适合杨树金矿床开采条件的下盘双运输巷道系统以及"V"形工作面推进全面采矿法,解决了制约矿...

关键词: 顺倾斜"V"形工作面 , 下盘双运输巷道 , 全面采矿法

InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究

殷景志 , 杜国同 , 龙北红 , 杨树人 , 许武 , 宣丽

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.009

为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器(SOA),将有源区设计为由4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构.器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构,避免了常规制作SOA的复杂工艺.对样品3在80～125 mA电流范围内,获得了偏振灵敏度≤0.6 dB,最小可达0.1...

关键词: 应变补偿 , 偏振不灵敏 , 半导体光放大器