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常温下脉冲激光沉积氮化硼薄膜研究

王金斌 , 张灿云 , 钟向丽 ,

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.05.003

由于氮化硼特别是立方氮化硼(c-BN)的独特性质和广泛的应用前景,一直受到材料研究工作者的广泛关注.本研究利用脉冲激光在室温下沉积出立方氮化硼薄膜,傅立叶变换红外光谱和X射线衍射分析表明在所制备的氮化硼薄膜中,立方相的含量很高;同时,该研究还观察到了氮化硼的另一种高压相-爆炸结构氮化硼(Explosive-BN,E-BN).本研究同时还讨论了氮化硼薄膜生长的原理.

关键词: 脉冲激光沉积 , 室温 , 立方氮化硼 , 爆炸结构氮化硼

液-固界面反应法制备c-BN纳米晶

钟向丽 , 王金斌 , 张灿云 , 任志昂 ,

功能材料

通过高能脉冲激光诱导丙酮-六方氮化硼界面反应制备出了立方氮化硼纳米晶体,透射电子显微镜分析表明制备的立方氮化硼(c-BN)纳米晶体为直径约30~80nm的类球状晶体.傅立叶变换红外光谱和X射线衍射都分别用来表征c-BN的结构.

关键词: 界面反应 , 立方氮化硼 , 纳米晶体

化学气相沉积金刚石薄膜成核机理研究

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.020

本文综述了在化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)金刚石薄膜过程中非金刚石衬底表面金刚石成核机理研究进展.主要讨论了衬底表面缺陷诱导金刚石成核模型,指出最大原子团的存在决定了金刚石成核是否能够在衬底表面发生;分析了金刚石在非金刚石衬底成核时的过渡层问题,提出了过渡层存在机理;对于在等离子体CVD中的偏压增强金刚石成核效应,提出的负偏压离子流增强成核模型和正偏压电子流增强成核模型,较好地解释了相关的实验现象:在表面反应机理基础上发展的金刚石成核动力学模型发现,在金刚石成核早期,较大的碳浓度可以极大地提高金刚石成核密度这一重要的金刚石成核现象.

关键词: 金刚石薄膜 , 化学气相沉积 , 成核机理

铁基底上扩散感应的CVD金刚石成核

唐璧玉 , , 任志昂 , 蔡孟秋

材料开发与应用 doi:10.3969/j.issn.1003-1545.1999.06.004

在硅和铁基底上同时进行CVD金刚石的沉积,利用硅基底上的金刚石成核感应金刚石在铁基底上直接成核.研究表明,硅和铁基底上不同的沉积过程导致了铁基底上碳原子表面扩散的加强,从而促成了CVD金刚石在铁基底上的直接成核.表面扩散对CVD金刚石成核有重要影响.

关键词: CVD金刚石 , 铁基底 , 感应成核 , 表面扩散

金刚石及相关薄膜制备研究进展

材料导报

金刚石及相关薄膜材料指的是金刚石薄膜和立方氮化硼薄膜,它们的制备技术被称为"新金刚石技术".评述了这类材料制备技术研究进展,指出成核及生长机理的研究将是它们走向实用化的关键.

关键词: 金刚石薄膜 , 立方氮化硼薄膜 , 制备

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