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利用快速热退火法制备多晶硅薄膜

冯团辉 , 卢景霄 , 张宇翔 , 郜小勇 , , 李瑞 , 靳锐敏 , 王海燕

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.034

为了制备优质的多晶硅薄膜,该论文研究了非晶硅薄膜的快速热退火(RTA)技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火.退火前后的薄膜利用X射线衍射(XRD)仪、Raman光谱仪及扫描电子显微镜(SEM)测试其晶体结构及表面形貌,利用电导率测试设备测试其暗电导率.研究表明退火温度、退火时间以及沉积时的衬底温度对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响.

关键词: 快速热退火 , 非晶硅薄膜 , 多晶硅薄膜 , 晶粒尺寸 , 暗电导率

用快速光热退火制备多晶硅薄膜的研究

张宇翔 , 王海燕 , 陈永生 , , 郜小勇 , 卢景霄 , 冯团辉 , 李瑞 , 郭敏

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.031

用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅(a-Si:H)薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火(RPTA),得到了多晶硅薄膜.然后,进行XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等的测量.结果发现,a-Si:H薄膜在RPTA退火中,退火温度在750℃以上,晶化时间需要2min,退火温度在650℃以下,晶化时间则需要2.5h;晶化后,晶粒的优先取向是(111)晶向;退火温度850℃时,得到的晶粒最大,暗电导率也最大;退火温度越高,晶化程度越好;退火时间越长,晶粒尺寸越大;光子激励在RPTA退火中起着重要作用.

关键词: 多晶硅薄膜 , 快速光热退火 , 固相晶化

Yb~(3+)、Ho~(3+)掺杂浓度及晶粒尺寸对NaYF_4∶Yb~(3+),Ho~(3+)上转换材料发光的影响

郝秀利 , 陈永生 , 陈喜平 , 周建朋 , 王洪洪 , 卢景霄 ,

功能材料

EDTA作为络合剂,在pH值为5的条件下,采用水热法制备了NaYF4∶Yb3+,Ho3+微米棱柱上转换材料,研究了掺杂浓度和晶粒尺寸对上转换发光特性的影响。实验发现材料发光主要以绿光为主,最佳的Yb3+、Ho3+掺杂浓度分别为25%和1%,高于此值均会出现浓度猝灭效应。通过改变溶液中NaF/NH4HF2摩尔比来调控晶粒的尺寸,发现随着晶体颗粒尺寸的增大,材料中Yb3+浓度增加,从而使上转换发光增强。

关键词: 上转换材料 , 氟化钇钠 , 水热法 , 发光强度

等离子体增强CVD法沉积的微晶硅薄膜的微结构研究

陈永生 , , 卢景霄 , 郜小勇 , 张宇翔 , 王海燕 , 李瑞

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.039

本文系统研究了PECVD法沉积μc-Si薄膜中衬低温度、氢气稀释率和射频功率等参数对μc-Si薄膜结构特性的影响.表明:随着衬低温度的增加、氢气稀释率的增大、射频功率的提高,薄膜的晶化率增大.沉积薄膜的晶化率最大可达80%,表面粗糙度大约为30nm.通过对反应过程中的能量变化进行了分析,得到反应为放热反应,且非晶结构对沉积参数比较敏感.

关键词: 微晶硅薄膜 , 晶化率 , 等离子体增强化学气相沉积

掺铝氧化锌薄膜表面织构机制的研究

郜小勇 , 林清耿 , 冯红亮 , 陈永生 , , 谷锦华 , 卢景霄

功能材料

采用氯化铵(NH4Cl)溶液对磁控溅射技术制备的掺铝氧化锌(AZO)薄膜进行表面织构,并对其表面织构机制进行研究.研究结果表明NH4Cl溶液优先与间隙锌、间隙铝等缺陷和晶界处的堆积铝反应,而较大的相对应力和稀疏表面有助于间隙锌、间隙铝等缺陷和堆积铝的形成.它们对NH4Cl对AZO薄膜的表面织构很关键.

关键词: 氯化铵 , 掺铝氧化锌薄膜 , 表面织构

非晶硅薄膜的快速热退火机理研究

陈永生 , 卢景霄 , 张宇翔 , 王生钊 , , 郜小勇 , 李秀瑞

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.047

采用RTA方法对PECVD沉积的a-Si:H薄膜进行固相晶化是近年来发展起来的一种制备多晶硅薄膜的新方法.通过研究不同退火工艺条件对薄膜结构的影响,来揭示快速热退火机理.研究表明短波长光(≤730nm)的量子效应在晶化过程中可能起着至关重要的作用.

关键词: 多晶硅薄膜 , 快速热退火 , 固相晶化

不锈钢衬底的抛光处理对碳纳米管薄膜场发射性能的影响

樊志琴 , 朱庆芳 , , 姚宁 , 鲁占灵 , 张兵临

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.040

在抛光的和未抛光的不锈钢衬底上,利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法从甲烷和氢气的混合气体中沉积碳纳米管薄膜,并对其场发射性能进行了研究.实验发现,不锈钢衬底的机械抛光能降低碳纳米管膜的开启场强,增大它的发射电流密度.在同一场强7.5 V/μm下,衬底未抛光样品的电流密度为2.9 mA/cm2,而衬底抛光样品的电流密度达到5.5 mA/cm2.低开启场强和大发射电流密度意味着β增大,说明机械抛光能使碳纳米管膜的β增大.

关键词: 碳纳米管膜 , 场发射 , MPCVD , 拉曼光谱

用于紫外光电导探测器的TiO2薄膜研究

张利伟 , , 姚宁 , 鲁占灵 , 樊志琴 , 张兵临

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.024

采用直流反应磁控溅射的方法,制备了TiO2薄膜.用X射线衍射,原子力显微镜(AFM)和紫外-可见光分光光度计分别测试了TiO2薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱,采用C/TiO2/ITO三层结构制备了TiO2光电导型紫外探测器,研究了它的光响应.初步实验结果表明:TiO2薄膜在4W的紫光灯辐射下,光电流可达2.1mA,10min的辐射时间内,光电流基本保持稳定,可见TiO2薄膜对紫外光有较高的灵敏度和稳定性,可作为一种良好的紫外光探测材料.

关键词: 直流反应磁控溅射 , TiO2薄膜 , 光导型紫外探测器 , 光响应

数值模拟p/i界面对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响

苗丽燕 , , 李艳阳 , 陈永生 , 谷锦华 , 卢景霄

人工晶体学报

采用美国宾州大学开发的AMPS(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)软件模拟了p/i界面缺陷态密度(Npt/i)和非晶孵化层厚度(d)对pin型氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜太阳电池性能的影响.结果表明:随着Npt/i的增大,电池的开路电压Voc和填充因子FF单调减小,短路电流Jsc基本不变;随着d的增大,Jsc和FF单调减小,Voc反而增大;Npt/i和d值的增大均会导致电池光电转换效率η下降.通过对电池内部的电场及能带的分析,对上述模拟结果进行了解释.

关键词: 微晶硅薄膜电池 , p/i界面 , 光电转换效率

直流反应磁控溅射法制备二氧化钛薄膜的光响应

张利伟 , 张兵临 , 姚宁 , 樊志琴 , , 鲁占灵

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.042

采用直流反应磁控溅射的方法在镀有ITO的导电玻璃衬底上沉积了二氧化钛薄膜,分别用拉曼光谱和吸收光谱研究了薄膜的结构,通过光电流研究了二氧化钛薄膜的紫外光响应.在100s的时间内光电流能达到最大值的96%,当停止紫外光照射时,光电流在200s的时间内能恢复到暗电流,二氧化钛薄膜对紫外光的灵敏性和稳定的光响应表明二氧化钛薄膜有可能成为一种新的紫外光探测器材料.

关键词: 直流反应磁控溅射 , 二氧化钛薄膜 , 光响应 , 光电流

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