冯莹
,
曹国良
,
杨林茹
,
韩蕾
电镀与涂饰
对电镀工业园项目环境影响评价工作重点进行了分析，通过以下内容对园区内项目的环境影响评估方法进行了探讨：项目选址和布局的合理性，园区规模与污水处理能力的评估，污染源(包括废气、废水和固体废弃物)分析及防治，环境风险评价等。对入园企业提出以下建议：项目的生产工艺应符合国家产业政策；企业应对原料使用，资源消耗与综合利用，以及污染物的产生与处置进行论证，优先采用清洁生产工艺；相同或相近的电镀企业应布置在同一地块，以利于污染物的处理。
关键词:
电镀
,
工业园
,
清洁生产
,
环境影响
,
评价
,
污水处理
贾小亮
,
赵冲
金属世界
doi:10.3969/j.issn.1000-6826.2008.01.015
当园盘剪出现故障时,不但会造成切边质鼍达不到要求,还会导致酸洗段的停车,形成停车斑或过酸洗等带钢质量缺陷.结合生产实践分析了园盘剪的常见故障,找出故障原因,提出了解决办法,可提高园盘剪的作业率,降低设备的事故率.
关键词:
园盘剪
,
剪刃
,
间隙
蒋小友
,
吴军
电镀与涂饰
根据对国内电镀工业园的走访调查,从废水处理设施的营运模式(间断运营与连续运营)、工艺选择(包括化学法、化学法+生物法、化学法+膜处理系统+生物法、树脂交换+膜处理系统+生物法)、废水回用比例和园区营运等方面剖析了国内电镀工业园发展的现状及存在的问题.建议政府给予电镀工业园优惠政策、税收减免、资金和配套服务等支持.电镀工业园要高标准定位,实现零排放或90％以上的高回用,对有价值的金属资源要完全回收,无价值的金属资源要进行无害化处理.
关键词:
电镀
,
工业园
,
废水处理
,
环保
刘云华
,
刘怀礼
,
黄绍峰
,
高洪兴
,
张永强
,
李志国
,
郑绪忠
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2011.07.004
西秦岭李子园碎石子金矿床受闪长玢岩脉和断裂破碎带的双重控制,矿体上部主要产于闪长玢岩脉附近的断裂破碎带中,矿体下部产于闪长玢岩脉内部;矿石中金属矿物主要为黄铁矿、黄铜矿、方铅矿;黄铁矿为主要的金、银的载体矿物,矿石以细脉-浸染状、细脉-网脉状构造为主,具有斑岩型矿床的蚀变类型特点.矿区与成矿有关的正长斑岩和闪长玢岩的锆石SHRIMP U-Pb年龄为(213.9±0.7)Ma和(212.2±1.19)Ma,分别代表了正长斑岩与闪长玢岩的成岩年龄,矿化蚀变闪长玢岩中绢云母的K-Ar年龄为(206.82±1.63)Ma,代表了矿床的成矿年龄.研究后认为碎石子金矿床具有斑岩型金矿床的地质特征,为与闪长玢岩有关的斑岩型金矿床,区域及矿区深部具有寻找斑岩型矿床的潜力.
关键词:
斑岩型金矿床
,
地质特征
,
成矿时代
,
碎石子金矿床
,
李子园
,
西秦岭
李常绿
,
李刚
,
蔡升云
电镀与涂饰
通过对深圳市宝安区某电子工业园PCB和综合电镀废水处理工艺的改造,对原处理工艺不迭标的原因进行了分析,提出了改造后新的废水分类处理工艺.经过近一年的运行实践,新的废水处理系统运行良好.对废水进行合理、适度的分流处理是实现废水综合处理最终出水达标的先决条件.
关键词:
电子工业园
,
废水
,
印刷线路板
,
电镀
,
水质
,
分类
于晖
,
介万奇
,
查钢强
,
杜园园
,
王涛
,
徐亚东
人工晶体学报
采用垂直Bridgman方法生长的CdZnTe晶体,定向切割成12 mm×7 mm×2.5 mm单晶片.通过研磨、抛光、腐蚀、电极制备、钝化、退火等一系列工艺,制成了Au/CdZnTe/Al平面探测器.重点研究了快速退火对电极接触特性的影响.测试了Au/CdZnTe/Al平面探测器的能谱响应特性.结果表明:在室温偏压为350 V条件下,探测器的241Am 59.54 keV光谱能量分辨为3.95%(2.35 keV FWHM).
关键词:
CdZnTe
,
平面探测器
,
快速退火
,
能量分辨率
栾丽君
,
介万奇
,
王涛
,
杜园园
稀有金属材料与工程
通过近红外和红外透过谱表征,确定出掺铟后碲锰镉晶体透过率迅速下降,这是晶格吸收和自由载流子吸收共同作用的结果；而光致发光谱的分析结果表明,掺杂后施主-受主对峰增加,受主束缚激子峰减弱,且随着In含量的增加,受主束缚激子峰消失,只剩下施主-受主对峰.这一系列变化是因为替代的In原子作为施主补偿了Cd空位的缘故.拉曼光谱的测量显示,In掺杂导致“类CdTe”的纵向光学声子峰减弱;而磁学的测试结果则说明In的引入几乎不引起碲锰镉晶体磁化强度的变化.
关键词:
铟掺杂
,
吸收边
,
红外透过率
,
光致发光谱
,
拉曼光谱
,
磁化强度
郑昕
,
杜园园
,
王涛
,
介万奇
,
齐阳
,
栾丽君
人工晶体学报
采用Te溶剂-Bridgman法生长了尺寸为φ30 mm× 60 mm的Cd0.9Mn0.1Te:In晶锭,通过淬火得到了生长界面形貌.测试了晶片在近红外波段的透过率和电阻；采用化学腐蚀的方法观察了晶片中位错,Te夹杂和孪晶界；采用光学显微镜和红外成像显微镜观察了生长界面处附近的形貌.测试结果表明,晶锭中部结晶质量较好的晶片红外透过率达到60％,电阻率达到2.828×1011Ω · cm.位错密度在106 cm-2数量级,Te夹杂密度为1.9×104 cm-2,同时孪晶密度明显低于Bridgman法生长的晶锭.生长界面宏观形貌平整,呈现微凹界面.但由于淬火过程的快速生长,界面微观形貌发生变化,呈现不规则界面,并在界面附近形成富Te相的包裹.
关键词:
Cd0.9Mn0.1Te晶体
,
Te溶剂-Bridgman法
,
红外透过率
,
电阻率
,
位错
