江风益
,
熊传兵
,
彭学新
,
王立
,
李述体
,
姚冬敏
,
莫春兰
,
李鹏
,
周毛兴
,
周力
,
吴蔚登
,
刘和初
材料导报
关键词:
王浩
,
廖常俊
,
范广涵
,
刘颂豪
,
郑树文
,
李述体
,
郭志友
,
孙慧卿
,
陈贵楚
,
陈炼辉
,
吴文光
,
李华兵
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.018
在MOCVD质量控制生长模式下,通过分析Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料在衬底表面的反应过程,建立了一个实用的生长模型.此模型是基于分子动力学、化学反应热力学理论分析之上的.针对Turbo-Disc 反应体系,分析了Turbo-Disc 的传热以及质量传送模式后, 建立了Turbo-Disc的生长模型.在此模型中建立了输入反应室的参数(IPs)和边界层的生长参数的关系.在对组分匹配的GaInP/GaAs 三组分生长体系进行分析时,发现此模型是非常有效的,理论计算的结果与实验得到的结果非常吻合.应用此模型在实际生产中可以迅速地得到匹配的多组分外延层.
关键词:
MOCVD
,
Turbo-Disc
,
生长动力学
,
GaInP
王浩
,
廖常俊
,
范广涵
,
刘颂豪
,
郑树文
,
李述体
,
郭志友
,
孙慧卿
,
陈贵楚
,
陈炼辉
,
吴文光
,
李华兵
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.021
应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析.应用双晶衍射的动力学理论模拟此样品的摇摆曲线,并结合界面的融合、晶格崎变与缺陷的散射来解释测试结果.对衍射谱的展宽提供了合理的解释,比较肯定地确定了此样品的结构与晶体质量.涉及缺陷对衍射FWHM的展宽的解释与关于缺陷的半动力学衍射理论相比,简单明了,实用于实际的生产检测.并根据分析结论对晶体质量的改进提供技术方案,改进了晶体质量.
关键词:
MOCVD
,
双晶衍射
,
GaAlInP
,
拟合
王浩
,
廖常俊
,
范广涵
,
刘颂豪
,
郑树文
,
李述体
,
郭志友
,
孙慧卿
,
陈贵楚
,
陈炼辉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.012
应用原子层外延与分子层外延的理论研究了Turbo-Disk MOCVD外延生长过程,发现生长主要发生在衬底表面的台阶处,当通过控制生长参数达到优质外延时,实际上是一种亚原子外延过程,优化调整反应参数实现了优质外延.
关键词:
原子层外延
,
MOCVD
,
亚原子外延
常伟
,
范广涵
,
谭春华
,
李述体
,
雷勇
,
黄琨
,
郑品棋
,
陈宇彬
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.06.025
制备了人工欧泊SiO2光子晶体模板并运用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术在SiO2光子晶体模板中生长填充了InP晶体.实验研究了不同成核温度(300℃,350℃,400℃)对于生长填充InP的影响.扫描电镜和反射谱分析结果显示,温度对于InP在SiO2光子晶体模板中的生长有重要影响.随着成核温度的升高,InP在SiO2光子晶体模板中的填充率随之降低.
关键词:
光电子学
,
有机金属化学气相沉积
,
光子晶体
,
人工欧泊
,
温度
李述体
,
莫春兰
,
李鹏
,
王立
,
熊传兵
,
彭学新
,
江风益
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.022
对MOCVD生长GaN:Si薄膜进行了研究,研究表明随SiH4/TMGa流量比增大,GaN:Si单晶膜的电子浓度增大,迁移率下降,X射线双晶衍射峰半高宽增加,同时带边发射强度得到了大大的提高,并报导了随SiH4/TMGa流量比增大,GaN:Si的生长速率降低的现象.研究结果还表明,预反应对GaN:Si单晶膜黄带发射影响很大,预反应的减小可以使黄带受到抑制.
关键词:
MOCVD
,
GaN:Si
,
光致发光
谭春华
,
范广涵
,
许静
,
李述体
,
周天明
,
龙永福
,
孙慧卿
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.014
扫描电子显微镜是对人工欧泊光子晶体进行形貌观察、研究的重要手段.本文利用扫描电子显微镜对人工欧泊晶体及其填充InP后的形貌进行了分析.结果发现,二氧化硅微球短程有序而在较大的区域则出现台阶、空位和失配等缺陷;在选定生长条件下,InP在SiO2球空隙间具有较高的填充率和较好的结晶质量.此项研究为制备三维InP光子晶体提供了科学依据.
关键词:
人工欧泊
,
光子晶体
,
有机金属化学气相沉积
,
扫描电子显微镜
丁少锋
,
范广涵
,
李述体
,
郑树文
,
陈琨
材料导报
InN材料是性能优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,在光电子领域有着非常重要的应用价值,由此成为最近国际国内研究的热点.就InN材料的制备方法、p型掺杂、电学特性、光学特性、器件的研究应用以及国内研究的最新进展进行了综述.
关键词:
InN
,
特性
,
应用
,
进展
丁少锋
,
范广涵
,
李述体
,
陈琨
,
肖冰
功能材料
利用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法研究了对16个原子的BenZn8-nO8和Mg1BenZn7-nO8超胞进行了几何结构优化,计算了总能.从理论上给出了BeO的能带结构、态密度;BexZn1-xO合金的晶格常数、能带弯曲系数,差分电荷密度;BexZn1-xO合金的稳定性以及Mg掺杂BexZn1-xO合金的特性.计算结果表明:BexZn1-xO合金非常稳定;晶体结构参数与实验相符,并基本符合Vegard's law(维加德定律);能带弯曲系数非常大(5.6eV左右);掺入适量的Mg原子不仅可以解决晶格失配问题、增大band off-set(能带偏移),还可以提高BexZn1-xO合金的稳定性;Be原子成为间隙杂质的可能性很小.BexZn1-xO合金可以作为ZnO/MgxZn1-xO超晶格和量子阱的最佳材料.
关键词:
BeZnO
,
密度范函
,
Mg掺杂
,
第一性原理
石培培
,
严启荣
,
李述体
,
章勇
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.03.014
在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,分别生长含有p- AlGaN电子阻挡层和反对称n - AlGaN层的双蓝光波长发射的InGaN/GaN混合多量子阱发光二极管(LED).结果发现,与传统的具有p-AlGaN电子阻挡层的双蓝光波长LED相比,这种n- AlGaN层能有效改善电子和空穴在混合多量子阱活性层中的分布均匀性和减少电子溢出,并减弱双蓝光发射光谱对电流的依赖性.此外,基于这种双蓝光波长发射的芯片与YAG:Ce荧光粉封装成白光LED能实现高显色性的白光发射,在20 mA电流驱动下,6500 K色温时显色指数达到91,而基于单蓝光芯片的白光LED显色指数只有75.
关键词:
n-AlGaN
,
p-AlGaN
,
混合量子阱
,
双蓝光波长
,
显色指数
