杨银堂
,
贾护军
,
李跃进
,
柴常春
,
王平
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.06.007
采用Ti/Ni/Au多层金属在高掺杂n型4H-SiC外延层上制作了欧姆接触测试图形,通过传输线法(Transmission Line Method,TLM)测量得到的最小比接触电阻为1.4×10-5Ω·cm2,经500℃N2老化后接触电阻大约有一个数量级的增加并保持稳定.
关键词:
碳化硅
,
欧姆接触
,
离子注入
,
传输线法
柴常春
,
杨银堂
,
李跃进
,
贾护军
功能材料
用等离子体刻蚀(PE)工艺,以四氟化碳(CF4)和六氟化硫(SF6)以及它们与氧气(O2)的混合气体作为刻蚀气体分别对Si基外延生长的β-SiC单晶薄膜进行了刻蚀工艺研究.结果表明在同样刻蚀工艺条件下,以SF6+O2作为刻蚀气体要比以CF4+O2作为刻蚀气体具有更高的刻蚀速率;在任何气体混合比条件下经SF6+O2刻蚀后的样品表面都不会产生富碳(C)表面的残余SiC层;而经CF4+O2刻蚀后的样品表面是否产生富C表面残余SiC层则与气体混合比条件有关,但刻蚀后的样品表面更为细腻.文中还对不同刻蚀气体下的刻蚀产物进行了讨论比较.
关键词:
SiC薄膜
,
等离子体刻蚀(PE)
,
刻蚀气体
贾护军
,
杨银堂
,
柴常春
,
李跃进
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.018
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系在SiO2/Si复合衬底上进行了SiC薄膜的APCVD生长.实验结果表明,H2表面预处理温度过高或时间过长会导致衬底表面SiO2层熔化再结晶或被腐蚀掉.通过"先硅化再碳化"的工艺方法可以较好地解决SiO2/Si复合衬底上SiC成核困难以及粘附性差的问题,同时还可以有效抑制SiO2中的O原子向SiC生长膜扩散.选择预处理温度和薄膜生长温度为1180℃、H2预处理、SiH4硅化和C3H8碳化时间均为30s的最佳生长条件时,可以得到〈111〉晶向择优生长的多晶3C-SiC外延薄膜,薄膜生长速率约为2.0～2.5nm/min.
关键词:
碳化硅薄膜
,
常压化学气相淀积
,
表面预处理
,
硅化
,
碳化
贾护军
,
杨银堂
,
李跃进
,
柴常春
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.03.029
目前,宽带隙半导体材料SiC在功率MOS器件与电路方面的巨大优势一直没有很好地体现出来,这主要是受到SiC衬底上栅介质绝缘层的质量及界面特性方面的限制.本文在总结比较国际该领域研究现状的基础上,分析了碳元素的存在对介质层质量和界面态密度的影响,指出通过低温沉积氧化层以获得良好的界面质量,并通过高k介质的引入以提高介质层可靠性是今后SiC功率器件与电路研制中比较理想的栅介质制备技术.
关键词:
碳化硅
,
功率器件
,
界面态
,
复合栅介质
贾护军
,
杨银堂
,
柴常春
,
李跃进
功能材料
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在P型Si(100)衬底上进行了β-SiC薄膜异质外延生长.利用俄歇电子能谱、SEM及X射线衍射能谱进行了生长薄膜微结构分析.提出并讨论了外延生长β-SiC薄膜的最佳工艺条件及其生长机理.
关键词:
β-SiC薄膜
,
外延生长
,
化学组分
,
工艺
娄利飞
,
杨银堂
,
李跃进
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.018
对硅基锆钛酸铅(PZT)压电薄膜微开关进行了结构和版图设计,根据MEMS加工工艺和标准硅基IC工艺的特点,获得了硅基PZT压电薄膜微悬臂梁结构系统工艺流程中的关键工艺技术和典型工艺条件,对多孔硅的选择性生长进行了较为详细的实验研究,最后成功的制备出硅基PZT压电薄膜微开关样品,这对集成化芯片系统的进一步发展打下了必要的良好的实验基础.
关键词:
锆钛酸铅(PZT)
,
压电薄膜
,
微开关
,
多孔硅
