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ZnO陶瓷靶制备及其薄膜 RF溅射工艺研究

陈祝 , 张树人 , 杜善义 , 杨成韬 , 郑泽渔 , , 孙明霞

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01011

利用固相反应制备了直径为70mm, 厚度为10~15mm高质量掺杂Li2CO2的ZnO陶瓷靶材, 实验了不同摩尔浓度的Li+掺杂对靶材性能的影响, 确定了最佳Li+掺杂量为2.2mol%, 同时通过在不同温度烧结实验、不同成型压力实验确定了ZnO靶材制备的最佳工艺, 并采用所制备的ZnO-Li2.2%陶瓷靶和RF(射频磁控)技术在Si(100)、玻璃(载玻片)、及Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上制备出高度c轴(002)择优取向的ZnO薄膜, 其绝缘电阻率ρ为4.12×108Ω·cm, 达到了声表面器件(SAW)的使用要求.

关键词: 陶瓷靶 , zinc oxide films , RF magnetron sputtering , preferred orientation

ZnO陶瓷靶制备及其薄膜RF溅射工艺研究

陈祝 , 张树人 , 杜善义 , 杨成韬 , 郑泽渔 , , 孙明霞

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.04.040

利用固相反应制备了直径为70mm,厚度为10~15mm高质量掺杂Li2CO2的ZnO陶瓷靶材,实验了不同摩尔浓度的Li+掺杂对靶材性能的影响,确定了最佳Li+掺杂量为2.2mol%,同时通过在不同温度烧结实验、不同成型压力实验确定了ZnO靶材制备的最佳工艺,并采用所制备的ZnO-Li2.2%陶瓷靶和RF(射频磁控)技术在Si(100)、玻璃(载玻片)、及Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上制备出高度c轴(002)择优取向的ZnO薄膜,其绝缘电阻率ρ为4.12×108Ω·cm,达到了声表面器件(SAW)的使用要求.

关键词: 陶瓷靶 , 氧化锌薄膜 , 射频磁控溅射 , 择优取向

Cr-Al-V合金的电输运和热膨胀

魏义永 , 高惠平 , , 吴柏枚

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.02.016

本文报道了Cr97.02Al2 98和掺钒的(Cr98.26Al1.4)98 72V1.28、(Cr96.04Al3.96)98.69V1.31合金在10~450 K温区的电阻率和热膨胀系数随温度的变化.随着温度降低,Cr97.02Al2.98合金经历了顺磁-公度自旋密度(CSDW)-非公度自旋密度(ISDW)的转变.Neel温度以下电阻率出现上升趋势,与SDW反铁磁能隙的逐渐打开有关.热膨胀-温度曲线在Neel温度附近呈现一个明显的跳跃行为,是磁转变相关的磁体效应.低于CSDW-ISDW转变温度,电阻率的增大是由于磁散射在低温下增强.用公式p=P0+AlnT+BT2+CTδ对三个合金10~80 K温区内电阻率-温度曲线的拟合结果表明,随着钒掺杂的增加,磁散射和s~d电子散射减小.Cr97.02Al2.98合金中掺入少量钒就能压制SDW.

关键词: 热膨胀 , 电阻率 , 自旋密度 , CrAlV合金

β-CaSiO3晶体的电子结构及光学性质

何茗 , 张树人 , 周晓华 , , 张婷

材料导报

基于第一性原理的平面赝势方法(PWP)的局域密度近似(LDA)/广义梯度近似(GGA)计算了β-CaSiO3的几何结构、能带结构、态密度和光学性质.其晶胞参数优化结果与实验相比,LDA/GGA的相对误差为-3.62%/1.91%.对优化后的β-CaSiO3晶体进行能带结构分析表明,β-CaSiO3晶体为间接带隙结构,禁带宽度Eg(LDA)=5.53eV,Eg(GGA)=5.18eV.对态密度图及Mulliken电荷分布的分析表明,Ca的d轨道有电子分布,即Ca的s、P、d轨道均参与了成键.β-CaSiO3晶体中Ca与SiO3基团之间形成的化学键主要是离子键,而Si与O之间的化学键是共价键.

关键词: β-CaSiO3 , 能带结构 , 电荷分布 , 价键

超导磁场穿透深度的拟合简化计算

林德华 , , 吴双应 , 积春 , 胡炳全 , 钟超荣 , 黎松林 , 杨德智 , 邹平 , 张中伟

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.02.007

磁场穿透深度λ与温度T的变化关系一直是超导领域广泛关注的焦点之一,根据BCS理论得到的穿透深度公式虽然与实验符合得相当好,但数学形式比较复杂.本文以BCS理论得出的λ与T的关系曲线为基准,通过计算机拟合的方法,将二流体模型和London极限得出的两条曲线拟合为一条新的曲线,使其数学形式相对简单,同时物理内涵又比较清晰,而且新的曲线与根据BCS理论得到的曲线基本吻合,达到了合理简化λ(T)计算的目的.

关键词: 超导 , 穿透深度 , 伦敦理论 , 二流体模型 , BCS理论

超高效液相色谱-串联质谱法测定兔血浆中的丝裂霉素C

汤瑶 , 张双庆 , , 孙旭 , 闻镍 , 于敏 , 彭莉莉 , 进让 , 佐刚 ,

色谱 doi:10.3724/SP.J.1123.2011.10034

建立了采用超高效液相色谱-串联质谱测定兔血浆中丝裂霉素C的方法.以兔空白血浆为基质,通过添加标准溶液的方法配制含丝裂霉素C和内标物曲安奈德的样品,选用乙酸乙酯为提取溶剂,液-液萃取法处理血浆样品.采用Hypersil Gold C18分析柱(50mm×2.1 mm,1.9μm),流动相为甲醇-0.1%甲酸水溶液(90:10,v/v),等度洗脱,流速0.2 mL/min,柱温35℃,在3 min内实现了快速分离.采用电喷雾正离子(ESI+)模式电离,选择反应监测( SRM)模式检测,以曲安奈德作为内标物进行定量.用于监测的定量离子对分别为丝裂霉素C m/z335.2→242.2和曲安奈德m/z 435.2→397.3/415.2,用基质匹配标准溶液法进行定量.结果表明:兔血浆中丝裂霉素C的质量浓度在1~1 000μg/L范围内线性关系良好(r=0.997 8,权重系数(weighting):1/x2);血浆中丝裂霉索C的检出限(信噪比为3)为0.2 μg/L;其平均回收率为85%~115%;日内及日间的相对标准偏差(RSDs)均小于15%,满足生物样品检测的要求.该方法可用于兔气管外壁给药后的血浆样品中丝裂霉素C的检测.本方法选择性强、灵敏度高、操作简便快速、重现性好,适用于丝裂霉素C药代动力学等方面的研究.

关键词: 超高效液相色谱-串联质谱法 , 电喷雾离子化 , 丝裂霉素C , 新西兰大白兔 , 血浆

Nd3+:Y0.5Gd0.5VO4晶体生长和基本特性

张连翰 , 杭寅 , 孙敦陆 , 钱小 , 世锋 , 殷绍唐 , , 吴柏枚

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.007

Nd3+ :Y0.5Gd0.5VO4晶体作为一种新的激光材料,可以用中频感应加热提拉法生长. X射线 粉末衍射分析表明它的结构与 Nd3+ :YVO4晶体结构相同 , 它的晶格常数介于 YVO4和 NdVO4晶 格常数之间.用 ICP光谱法测定晶体中 Nd3+含量为 0.8at%,分凝系数为 0.8,与 Nd3+ :GdVO4晶 体中 Nd3+的分凝系数 0.78相当;用称重法测定其密度为 5.00g/cm3;用稳态纵向热流法测出其室 温热导率为 12.5W/mK.实验表明 Nd3+ :Y0.5Gd0.5VO4晶体有希望作为高功率 LD泵浦激光晶体 材料.

关键词: Nd3+ :Y0.5Gd0.5VO4晶体 , ICP光谱 , 分凝系数 , 热导率

表面侵蚀对玻璃微球气体渗透性能的影响

张占文 , 唐永建 , , 王朝阳 , 漆小 , 陈素芬 , 刘一杨 , 翟世明

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2006.06.037

研究了液滴发制备的玻璃微球表面受侵蚀后对微球表面形貌、耐外压能力和气体渗透系数的影响.研究表明,玻璃微球表面受侵蚀后,表面出现斑点,最大斑点直径达到25μm.微球的杨氏模量由原来的54GPa下降到39GPa,平均耐外压强度下降约28%.微球在室温条件下对D2的平均气体渗透系数由原来的1.1×10-21mol·m-1·s-1·Pa-1增加到8.0×10-20mol·m-1·s-1·Pa-1,平均增加了约70倍,保气半寿命由147d降低到2d.文中分析了产生原因,主要是玻璃球壳中碱金属离子扩散和表面与水反应的结果.

关键词: 空心玻璃微球 , 表面侵蚀 , 气体渗透系数

探索高Tc超导新材料的可能途径

林德华 , 胡炳全 , , 赵铧 , 张中卫 , 邹平 , 杨德智 , 赵承均

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.038

本文从已有的实验与理论研究成果出发,分析和讨论了主导铜氧化物超导体转变温度Tc及其微观机制的各种外在和内禀的因素,在此基础上提出了进一步探索高Tc超导新材料的几种可能途径.

关键词: 高Tc超导材料 , 微观机制

ZnO掺杂Li+陶瓷靶及溅射膜制备工艺研究

陈祝 , 张树人 , 杜善义 , 杨成韬 , 孙明霞 , 郑泽渔 , , 董加和

功能材料

利用固相反应成功地制备了直径为70mm,厚度为10~15mm的掺杂Li离子ZnO陶瓷靶材.研究了不同摩尔浓度的Li离子掺杂靶材,并对其绝缘电阻与损耗进行了分析比较,最终确定Li离子的最佳掺杂量为2.2l%(摩尔分数).同时通过在不同温度烧结试验、不同成型压力试验确定了ZnO靶材制备的最佳工艺,并通过所制备的ZnO-Li0.022陶瓷靶,采用RF射频磁控溅射技术在Si(100)、玻璃(载玻片)、及Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上制备出高度c轴(002)择优取向、均匀、致密的ZnO薄膜.

关键词: 陶瓷靶 , 氧化锌薄膜 , 射频磁控溅射 , 择优取向

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