张子旸
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张宝林
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周天明
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蒋红
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金亿鑫
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李树玮
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功能材料
报道了用STEM(扫描透射电子显微镜)对GaIn-AsSb/GaSb异质结的截面不同部分进行分析和研究的初步结果.STEM图像表明,在四元合金GaInAsSb与衬底GaSb的晶格常数不相同时,将会由于晶格的不匹配而产生失配位错和层错,这些缺陷是对应力的一种释放形式,包括60°位错、90°位错和堆垛层错,并且发现只有90°位错才会在外延层表面产生脊.
关键词:
GaInAsSb
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位错
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层错
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STEM
李树玮
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小池一步
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.03.005
氧化锌材料是新一代宽禁带光电子半导体材料和场致发射材料,通过等离子体分子束外延设备,在a-plane的蓝宝石衬底上生长了高质量的氧化锌外延材料.在生长过程中用反射高能电子束衍射仪(RHEED),研究了生长时材料薄膜的表面形貌.为了使材料更好地应用于器件,研究了材料的掺杂性质.研究了给体束缚激子(Donor bound exciton (DX))、自由激子(Free exciton(EX))和受体束缚激子 (Acceptor bound exciton (AX))随温度变化的发光过程.用紫外-可见透射光谱研究了ZnO薄膜材料的透射光谱性质.结果表明,用分子束外延生长设备成功地生长了高质量的氧化锌薄膜材料.
关键词:
氧化锌
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分子束外延
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光致发光
,
透射光谱
李树玮
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小池一步
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矢野满明
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.01.051
用MBE设备以Stranski-Krastanov 生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点, 在生长过程中使用对形状尺寸控制法来提高垂直堆垛InAs量子点质量和均匀性. 样品外延的主要结构是 500 nm 的GaAs外延层, 15 nm的Al0.5Ga0.5As势垒外延层, 5个周期堆跺的InAs量子点, 50 nm的Al0.5Ga0.5As nm 势垒外延层等. 在生长过程中用反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监控. 生长后用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征, 再利用光制发光(PL)对InAs量子点进行观测.
关键词:
晶体生长
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垂直堆垛的InAs量子点
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分子束外延(MBE)
,
光致发光
