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A=130区缺中子核122Cs与134Ce高自旋态研究

朱胜江 , 禹英男 , 甘翠云 , 朱凌燕 , M·萨哈伊 , 肖树冬 , 李明亮 , 车兴来 , 温书贤 , 竺礼华 , 吴晓光 , 李广生

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2004.04.014

通过重离子核反应与在束γ谱的实验技术, 对A=130缺中子核区122Cs与134Ce核的高自旋态进行了研究, 所用核反应分别为107Ag(19F, 1p3n)与 122Sn(16O,4n). 实验结果扩展了122Cs 与134Ce的能级纲图. 在122Cs中发现可能是属于手征二重带的结构, 而在134Ce核的高自旋态结构中呈现出重要的具有不同γ形变的形状共存特性.

关键词: 核结构 , 高自旋态 , 手征二重带 , 形状共存

SiC组分含量对SiC/Cu复合材料力学性能的影响

范冰冰 , 关莉 , 李凯 , 吴曰送 , 李明亮 , 王海龙 , 张锐

硅酸盐通报

采用真空热压法制备了不同配比的SiC/Cu金属陶瓷复合材料.利用阿基米德原理测定了复合材料的密度及气孔率;利用Instron万能材料电子试验机测得其三点弯曲强度;采用Hv-1000显微硬度仪测试其显微硬度,采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对烧成样品的物相组成和断口显微形貌进行表征.结果表明:随着SiC组分含量的增加,SiC/Cu复合材料的致密度、抗弯强度均有所下降,而气孔率和显微硬度显著增加.在750 ℃,30 MPa压力作用下,保温3 min,制备得到的30SiC/70Cu(vol%)的复合材料,具有最优的力学性能,其显微硬度达到2087.2 MPa,抗弯强度为174.0 MPa.SiC/Cu复合材料的断裂行为既表现出一定的微观韧性特征,又表现出一定的脆性特征.

关键词: SiC/Cu , 金属陶瓷复合材料 , 力学性能 , 断裂行为

热压烧结SiC/CCTO陶瓷电容器的工艺和性能

王海龙 , 乔建房 , 陈德良 , 关莉 , 李明亮 , 张锐

稀有金属材料与工程

首先采用固相法合成CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)粉体,与SiC粉体均匀混合后,采用真空热压制备了SiC/CCTO复合陶瓷电容器.采用DSC-TG技术分析了SiC/CCTO复合粉体的热行为,采用XRD、SEM等手段对样品进行表征,研究了SiC/CCTO复合陶瓷电容器的介电性能,并对其介电机理进行了探讨.结果发现,在950 ℃和 30 MPa的热压条件下制备出的 SiC/CCTO复合陶瓷电容器具有最高的介电常数ε_r≈3×10~8(1 kHz),分析认为其介电机理属于阻挡层机制,载流子在SiC与CCTO界面处聚积,形成空间电荷极化.

关键词: 陶瓷电容器 , CCTO , 热压烧结 , 介电性能

C194铜合金连续挤压典型变形区析出相的分析

李明亮 , 刘平 , 刘新宽 , 苏宏林 , 陈小红

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.04.030

采用透射电镜对C194铜合金连续挤压过程中的典型变形区粘着区、直角弯曲前变形区、直角弯曲后变形区、扩展成形区组织进行取样分析研究.结果表明,在粘着区,未发生第二相析出,仅出现了形变所致的晶粒拉伸以及少量位错缠结;在直角弯曲前变形区,晶界处出现少量尺寸在30 nm左右的圆形或椭圆形第二相析出颗粒,析出物为Fe3P化合物,在一些区域位错缠结发展成位错胞;在直角弯曲后变形区,晶粒内部出现了数量较多且分布弥散均匀的第二相颗粒,尺寸在3～5 nm左右,同时,在前变形区出现主要分布在晶界位置的较大尺寸第二相析出颗粒的数量也出现上升,且尺寸有所增长,平均可达45～50 nm左右;在扩展成形区,此区域内析出较小颗粒的数量明显增多,呈弥散状态分布在晶粒中,同时尺寸较前变形区有所增长,达到约10～15 nm左右.

关键词: C194铜合金 , 连续挤压 , 析出相 , 分析

Cd胁迫下丛枝菌根对花生生长、光合生理及Cd吸收的影响

李明亮 , 李欢 , 王凯荣 , 石磊 , 刘君 , 张磊

环境化学 doi:10.7524/j.issn.0254-6108.2016.11.2016032804

为了解丛枝菌根（ AM）真菌对花生抗Cd胁迫的作用及其机理，采用温室盆栽试验，研究了Cd胁迫下接种AM真菌对花生生长、根系形态、Cd吸收及光合生理的影响．结果显示，AM真菌能与花生形成良好的共生关系，施Cd对菌根侵染率无影响；Cd胁迫下接种AM真菌能够显著改善花生生长状况，植株体内P含量与吸收量分别提高1．16—1．52、1．22—1．79倍，叶片叶绿素相对含量平均增幅11．79％，地上部分和根系生物量分别增加7．55％—8．19％、10．86％—14．05％，同时接种处理显著增大了花生根系的根长、根表面积、根体积，降低了植株地上部分Cd含量；对于同一施Cd水平而言，菌根花生叶片的最大光化学效率（ Fv／Fm ）和潜在光化学效率（ Fv／Fo ）均显著高于非菌根植株，接种AM真菌使花生叶片的净光合速率（ Pn ）、蒸腾速率（ Tr ）和气孔导度（ Gs ）均显著增大，而胞间CO2浓度（ Ci ）显著低于不接种处理．研究表明AM真菌可通过改变花生根系的形态结构来吸附固持重金属Cd，从而减少Cd向花生植株地上部分的转移，降低Cd胁迫对花生植株造成的伤害；另一方面，通过提高花生对矿质元素P的吸收来增加植株体内叶绿素含量及改善叶片叶绿素荧光和光合作用，增强花生抗Cd毒害的能力，进而促进花生生长，提高植株生物量．

关键词: 镉胁迫 , AM真菌 , 花生 , 根系形态 , Cd含量 , 磷营养 , 叶绿素荧光 , 光合作用

基于暗原色与逆暗原色融合的含明亮区域图像去雾

龚昌来 , 罗聪 , 申志强

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20163108.0831

针对暗原色先验模型对于图像明亮区域不适应，暗原色估计偏大，导致透射率估计偏小，出现色彩失真现象，本文介绍一种新的暗原色修正方法.提出一种逆暗原色概念，将雾化图像的暗原色与逆暗原色进行融合处理得到一种新的修正暗原色，从而获得比较真实的明亮区域透射率，有效消除了明亮区域的色彩失真.以有效细节强度、色调还原程度、结构信息及综合测评作为图像质量评价指标，与目前流行算法进行对比实验，本文算法的色调还原程度指标平均值提高41．1％，综合测评指标平均值提高48．7％.实验结果表明，本文算法在改善明亮区域色彩失真及提高去雾图像总体质量方面优于目前流行算法.

关键词: 图像去雾 , 暗原色先验 , 逆暗原色 , 明亮区域

一种改进的容差机制图像去雾算法

龚昌来 , 罗聪

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20163111.1098

针对经典容差机制图像去雾算法存在的对部分明亮区域透射率提升力度不够，难以彻底消除色彩失真问题，本文提出一种改进算法。将原算法中对明亮区域透射率根据容差进行双曲线提升修正变为线性提升修正，使透射率平稳提升，并适当增大了透射率提升力度，有效消除色彩失真。以方差和色调还原度作为图像去雾的客观质量评测指标，与暗原色先验算法和经典容差机制算法进行对比实验。实验结果表明，本文算法在改善明亮区域色彩失真及提高图像去雾效果方面优于对比算法。

关键词: 图像去雾 , 暗原色先验 , 透射率 , 容差机制 , 明亮区域

CdSe量子点的合成及其对潜指纹的荧光显现研究

许尊炼 , 伊魁宇 , 马子宁 , 王猛 , 刘显峰

合成材料老化与应用

以水热法在水相中直接合成了巯基乙酸修饰的CdSe量子点,并将合成的CdSe量子点进行表征、纯化.在波长365 nm紫外光的激发下,CdSe量子点发射出明亮的黄绿色荧光,荧光发射峰约位于528nm,将得到的CdSe量子点纳米发光材料应用于非渗透性客体上潜指纹的荧光标记成像研究,发现CdSe量子点溶液显现的手印纹线流畅,显现细节特征明显,呈现明亮的黄绿色荧光指纹,具有很高的实用价值和鉴定价值.

关键词: CdSe量子点 , 潜指纹 , 荧光显现