孙启利
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邓书康
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申兰先
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胡志华
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李德聪
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晒旭霞
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孟代义
人工晶体学报
本文采用电子束蒸发法,室温下在Si(400)的基片上生长含锗(Ge)填埋层的非晶硅薄膜,其结构为a-Si/Ge/Sisubstrate,并在真空中进行后续退火.采用Raman散射(Raman Scattering)、X射线衍射(X-ray Diffraction)、高分辨电子扫描显微镜(HRSEM)、光学显微镜和热重差热分析(DSC)等手段,研究退火后样品晶化特性和晶化机理.结果表明,室温下生长的含有250 nm Ge填埋层的生长态样品在400℃退火5h,薄膜基本全部实现晶化,并表现出明显的Si (111)择优取向.样品分别在400℃、500℃、600℃和700℃退火后薄膜的横向光学波的波峰均在519cm-1附近,半高宽大约为6.1 cm-1,且均在Si(111)方向高度择优生长.退火温度为600℃的样品对应的晶粒尺寸约为20 μm.然而,在相同的薄膜结构(a-Si/Ge/Si substrate)的前提下,当把生长温度提高到300℃时,温度高达到700℃退火时间5h后,薄膜依然是非晶硅状态.差热分析表明,室温生长的样品,在后续退火过程中伴随界面应力的释放,从而诱导非晶硅薄膜重结晶成多晶硅薄膜.
关键词:
多晶硅薄膜
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应力诱导
,
非晶硅
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电子束蒸发
申兰先
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李德聪
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邓书康
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孟代仪
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晒旭霞
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刘祖明
人工晶体学报
本文采用Sn自熔剂法,通过调节Ga的起始含量(Ba∶ Ga∶ Al∶ Sn =8∶x∶6∶50;x=10,20,30)实现对载流子进行调制,制备出具有p型和n型传导的Ⅷ型Sn基单晶笼合物,并对其结构和热电特性进行研究.研究结果表明,随着Ga起始含量的增加,Al在化合物中的固溶度减小,材料的晶格常数也随之减小;x=10的样品Seebeck系数全部为负值,x=30的样品Seebeck系数全部为正值,而x=20的样品在450 K后由于本征激发Seebeck系数显著降低,在550 K附近由p型传导转变为n型传导;室温下具有p型传导的化合物具有较高的载流子浓度,但其迁移率显著降低,从而导致其相应的化合物具有较高的电阻率,因此通过对Ga起始含量的改变能够对化合物的载流子实现有效调控;此外,在300 ～600 K内均具有p型传导的样品室温下的载流子有效质量较n型样品的高;通过估算的热导率κ、实测电阻率和Seebeck系数,计算出x=30的p型单晶样品在457 K处获得最大ZT值0.86.
关键词:
Ⅷ型笼合物
,
载流子调制
,
热电传输特性
申兰先
,
李德聪
,
刘虹霞
,
刘祖明
,
邓书康
人工晶体学报
通过Sn自熔剂法制备了Al掺杂Ⅷ型Sn基单晶笼合物Ba8Ga10Al6Snx(x=40,50,60;Sn40,Sn50,Sn60),并研究Ba8Ga10Al6Snx单晶笼合物的结构和电传输特性对自熔剂Sn初始含量的依赖性.结果表明,Al的实际含量随Sn自熔剂含量的增加而基本保持不变,说明Sn的起始含量对Al在该笼合物中固溶度的影响较小;室温下Sn60样品的载流子浓度较高,这可能是因Al在笼合物Ga8 Ga16Sn30中的占位不同而导致费米能级附近能带色散关系发生变化所引起;另一方面,在300～600 K的温度范围内,获得较高功率因子的是Sn初始含量为50的样品,在488 K处获得最大值1.82×10-3 W·m-1·K-2;获得较低功率因子的是Sn初始含量为40的样品,而功率因子较低主要是由于该样品电导率较低.
关键词:
Ⅷ型笼合物
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Sn基笼合物
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电传输特性
李聪
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周邦新
腐蚀学报（英文）
Zr-4合金氧化(<100nm)的电镜研究李聪,周邦新(中国核动力研究设计院核燃料及材料实验室,成都610005)发表于《核动力工程》,1994;15(3).获中国腐蚀与防护学会第三届全国青年腐蚀科技论文讲评会优秀奖李聪,男,I%8年出生.1990年毕业于重庆大学冶金及材料工程系金属材料及热处理专业,现为中国核动力研究设计院核材料专业硕士研究生,主要从事核材料研究.Zr-4合金氧化(<100nm)的电镜研究@李聪,周邦新$中国核动力研究设计院核燃料及材?...
关键词:
李国莱
,
朱勇
,
宋承谦
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吴志英
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徐鑫年
中国腐蚀与防护学报
本文在日本奥田聪提出的电阻法测定高聚物扩散系数公式的基础上,对几种介质在环氧树脂(E-44树脂)薄膜和双酚 A 不饱和聚酯树脂(323树脂)薄膜中的扩散行为进行了一系列的实验测定和计算,阐明了扩散系数随介质温度、浓度和浸泡时间变化的关系,讨论了介质在高聚物中的物理和化学作用对扩散行为的影响。实验表明:用电阻法测定扩散系数不但对研究高聚物在化学介质中的腐蚀机理具有一定的意义,而且该法具有快速、方便的特点,可望用于实际耐蚀设备的监控。
关键词:
