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烧成制度对铝质高强瓷显微组织结构的影响

钱端芬 , 徐协文 , 李德 , 谢建国

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2001.02.007

本文利用X-ray衍射与SEM等分析测试手段,探讨了烧成制度对微观结构与相组成的影响,从而为获得高性能的瓷坯探索出合理的烧成工艺制度,并提出了必要的依据。

关键词: 微观结构 , 相组成 , 烧成制度 , 莫来石 , 刚玉

铜片氧化法制备Cu2O层厚度的调控方法

蒋盼 , 彭坤 , 周灵平 , 朱家俊 , 李德

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.20.024

采用氧化法在铜片上生成氧化亚铜,研究氧化工艺对氧化亚铜厚度的影响规律,利用X射线衍射仪和扫描电镜分别对氧化产物和氧化层厚度进行表征.无氧铜片在900~1050℃,氧气体积分数为2%~10%条件下氧化可在表面生成一层纯的Cu2O层;当氧化温度和氧气体积分数分别是1000℃和4%时,生成致密的Cu2O层,且厚度易于控制,氧化层厚度(ζ)与时间(t)的关系满足抛物线关系ζ2=194t-955.

关键词: 直接覆铜法 , 氧化 , 氧化亚铜 , 厚度

磁控溅射Cu-W薄膜的组织与结构

王瑞 , 周灵平 , 汪明朴 , 朱家俊 , 李德 , 李绍禄

材料科学与工程学报

采用双靶磁控溅射共沉积方法制备Cu-W薄膜,其微观结构及形貌通过XRD、TEM和SEM方法测试,结果表明,Cu-W薄膜是由Cu固溶于W或W固溶于Cu的亚稳态固溶体组成,且随着W含量的增加,Cu-W薄膜依次形成面心立方fee结构的Cu基亚稳固溶体、fee和bee结构固溶体的双相区以及体心立方bee结构的W基亚稳固溶体,晶粒尺寸随溶质原子含量的增加而减小.这些亚稳固溶体的形成是由于溅射出的原子动能足以克服Cu、W固溶所需的混合热.以及溅射过程中粒子的纳米化和成膜过程中引入的大量缺陷造成的.

关键词: 低维金属材料 , 铜钨薄膜 , 磁控溅射 , 亚稳固溶体

硬质合金表面去钴和脱碳对金刚石薄膜粘结性能的影响

孙心瑗 , 周灵平 , 林良武 , 李德 , 李绍禄

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.020

金刚石涂层的粘结性能是影响CVD金刚石薄膜涂层刀具使用寿命的关键因素.本文分别对硬质合金(YG6)表面进行酸蚀去钴和原位脱碳两种不同的预处理后,在热丝CVD系统中沉积金刚石薄膜,运用压痕试验评价金刚石薄膜与硬质合金基体的粘结性能.结果表明,经过原位脱碳预处理的硬质合金表面上金刚石涂层的粘结性能比酸蚀去钴法提高了近一倍;同时分析了硬质合金表面酸蚀去钴对金刚石薄膜粘结性能的影响及其剥离机制,并讨论了硬质合金表面原位脱碳的化学机制.

关键词: CVD金刚石薄膜 , 硬质合金 , 粘结强度 , 压痕试验

银膜厚度对低辐射玻璃光学性能的影响

徐兴红 , 周灵平 , 彭坤 , 朱家俊 , 李德 , 李绍禄

机械工程材料

利用TFCalc软件模拟了银膜和TiO2膜厚度对TiO2/Ag/Ti/TiO2膜系光学性能的影响,根据模拟结果利用电子束蒸发方法在玻璃衬底上制备了不同银膜厚度的TiO2/Ag/Ti/TiO2低辐射薄膜,并对银膜的连续性及其低辐射玻璃的透射率进行了研究.结果表明:银膜形成连续薄膜的临界厚度约为15 nm,在该临界厚度下制备低辐射玻璃的可见光透射率可达81%,且W70接近330 nm,当银膜厚度为20 nm时不能获得高的可见光透射率.

关键词: 低辐射玻璃 , 连续性 , 银膜 , 光学性能

Zn-Cr整体催化剂中Ce-Zr溶胶涂层的制备、表征及对甲醇自热重整反应的影响

刘娜 , 袁中山 , 张纯希 , 王淑娟 , 李德 , 王树东

催化学报

以溶胶-凝胶法制备出粒子尺度均一的Ce-Zr溶胶. TEM和XRD结果表明, 1073 K焙烧后, Ce-Zr复合氧化物的粒径仍保持在20~50 nm. 将Ce-Zr溶胶作为甲醇自热重整制氢Zn-Cr整体催化剂的涂层,考察了溶胶在涂层多次重复过程中的稳定性和干燥方式对Ce-Zr涂层龟裂程度的影响. 结果表明,对多次使用后的溶胶进行胶溶处理可以有效控制涂层制备过程中胶体粒子的大小; 微波干燥更加有利于蜂窝陶瓷载体各通道中Ce-Zr涂层的均匀干燥; Ce-Zr涂层的引入显著提高了甲醇自热重整Zn-Cr整体催化剂的稳定性,这归因于Ce-Zr涂层提高了催化剂的氧化还原活性,使其能量匹配更好,避免了热点的产生,从而抑制了催化剂的烧结与失活.

关键词: 氧化铈 , 氧化锆 , 春涎趸 , 溶胶-凝胶法 , 氧化锌 , 氧化铬 , 整体催化剂 , 甲醇自热重整

双靶反应磁控溅射共沉积AlN薄膜粘结性能研究

朱家俊 , 周灵平 , 刘新胜 , 彭坤 , 李德 , 李绍禄

人工晶体学报

采用单、双靶反应磁控溅射法分别在45钢、GCr15钢、硅(100)和钼衬底上制备了AlN薄膜.X射线衍射和电子显微分析表明,双靶反应磁控溅射沉积的AlN薄膜具有高致密度和低残余应力,同时采用划痕法和压痕法等对AlN薄膜的粘结强度进行测试, 结果表明:双靶反应磁控溅射共沉积AlN薄膜的粘结强度明显比单靶沉积的薄膜高,划痕临界载荷提高0.5~2倍.不同衬底上沉积的AlN薄膜粘结强度存在很大的差别,以钼衬底上沉积的薄膜粘结强度最高,划痕法测得的临界载荷高达64 N;GCr15衬底上AlN薄膜摩擦试验表明,AlN薄膜能明显起到减磨作用.

关键词: AlN薄膜 , 反应磁控溅射 , 粘结强度 , 共沉积

双靶磁控溅射聚焦共沉积AlN薄膜生长速率研究

门海泉 , 周灵平 , 刘新胜 , 李德 , 李绍禄 , 肖汉宁

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.048

采用直流双靶磁控溅射聚焦共沉积技术在Fe衬底上高速率生长AlN薄膜,结果表明,双靶共沉积技术有效地提高了AlN薄膜生长速率,相同工作气压或低N2浓度时双靶磁控溅射沉积速率约为单靶沉积速率的2倍;随着溅射系统内工作气压或N2浓度的升高,薄膜生长速率不断减小;薄膜择优取向与薄膜生长速率相互影响,随着工作气压的升高,(100)晶面的择优生长减缓了薄膜生长速率的降低,随着N2浓度的升高,(002)晶面的择优生长加剧了薄膜生长速率的降低,而相对较低的溅射沉积速率有利于(002)晶面择优取向生长.

关键词: AlN薄膜 , 共沉积 , 生长速率 , 磁控溅射 , 择优取向

三元FeCl3-AlCl3-GIC的制备及其插层反应过程的研究

刘洪波 , 张宝庆 , 张红波 , 李德

新型炭材料 doi:10.3969/j.issn.1007-8827.2002.01.006

采用混合熔融盐法制备以天然鳞片石墨作宿主、以FeCl3和AlCl3为插层剂的GIC.通过考察反应温度、碳与金属氯化物的摩尔比以及保温时间对产物阶结构的影响,探讨了FeCl3和AlCl3在石墨层间的插层反应过程.实验结果表明:调节和控制插层反应条件,可以得到一阶FeCl3-GIC和一阶AlCl3-GIC相对含量不同的三元FeCl3-AlCl3-GIC.插层过程中存在通过生成中间产物AlFeCl6,以FeCl3逐渐替换AlCl3的插层反应机制.替换量随插层反应温度的升高、保温时间的延长和碳与金属氯化物的摩尔比的降低而增大.

关键词: 石墨层间化合物 , 氯化铁 , 氯化铝 , 阶结构

添加WO3提高铈锆固溶体的氨选择性催化还原NOx反应活性

李烨 , 程昊 , 李德 , 秦永生 , 王树东

催化学报

采用程序升温氨脱附、程序升温还原和X射线光电子能谱分析手段表征了加入WO3前后CeO2-ZrO2颗粒催化剂的表面性能变化. 结果表明,WO3一方面增加了催化剂的酸性,另一方面略微提高了催化剂的氧化还原性能. 在氨选择性催化还原氮氧化物反应中,当NH3/NO=1, 空速为 90 000 h-1 的条件下, CeO2-ZrO2催化剂上氮氧化物转化率低于65%, 而10%WO3/CeO2-ZrO2催化剂催化活性大于80%, 所对应的温度区间为220~420 ℃. 通入10%CO2和10%H2O后,由于竞争吸附, CeO2-ZrO2催化剂上的氮氧化物转化率低于46%, 而10%WO3/CeO2-ZrO2催化剂上的氮氧化物转化率大于80%的温度区间移至230~500 ℃.

关键词: 氧化钨 , 氧化铈 , 氧化锆 , 氮氧化物 , , 选择性催化还原

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