艾雨
,
蒋学兵
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153004.0566
通过对大量残影不良样品进行分析,找到了残影不良产生的原因,并基于分析结果设计了改善残影的实验.通过分析发现:残影不良产生的原因是彩膜侧像素与黑矩阵之间的段差过大,在摩擦工程时段差过大区域形成了摩擦弱区,摩擦弱区内的液晶分子配向较弱,导致不良产生.为降低残影不良进行实验,结果显示:在彩膜侧加覆盖层可以有效降低残影不良的发生率,但不适用于量产;通过采用高预倾角的配向膜材料,同时控制配向膜工程到摩擦工程的时间,可使残影不良发生率由28.2％降低至0.2％,为企业的稳定高效生产奠定了基础.
关键词:
残影
,
扭曲向列型
,
预倾角
,
面板
李铭
,
卢彦飞
,
袁刚
,
吴中毅
,
张涛
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153006.1032
针对 CT 系统在实际应用中出现的金属伪影问题，提出一种基于先验插值的金属伪影校正算法。文中通过预滤波、骨骼分割和软组织恢复步骤计算先验图像，并利用先验图像的正向投影对原始投影中的金属投影区进行插值校正。应用该算法对数值仿真图像和临床 CT 图像分别进行了校正重建实验。数值仿真实验表明，用提出算法校正的结果比线性插值金属伪影校正算法、归一化金属伪影校正算法校正的结果更接近理想体模。临床数据实验表明：该算法的重建结果有效抑制了金属伪影，清晰重建出金属边缘细节，极大地提高了重建图像的质量。
关键词:
金属伪影
,
先验图像
,
预滤波
,
软组织恢复
范恒亮
,
汤展峰
,
刘利萍
,
李静
,
黄静
,
刘岩龙
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163103.0270
影像残留是TFT-LCD,特别是TN型产品常见的不良,对产品良率影响很大.本文从产品设计、工艺参数、工艺管控3个方面对残影进行分析.发现产品设计时Data线两侧段差过大,是导致残影发生的主要原因,通过增加配向膜厚度和摩擦强度值可以有效降低残影,实验得出配向膜膜厚高于110 nm,摩擦强度高于5.5N,m时无残影发生.通过控制配向膜工程与摩擦工程间的延迟时间在5h,摩擦工程与对盒工程间的延迟时间在10 h,并且严格管控ITO偏移量可以有效减少Panel内部电场,从而降低残影.通过以上措施,对于15.6HD产品,良率提升了10％,为企业高效生产奠定基础.
关键词:
残影
,
扭曲向列型
,
配向弱区
,
内部电场
尤磊
,
徐利璞
,
苏明
,
黄煜
上海金属
分析了十八辊轧机带材表面条状隐影产生的原因,在建立侧推力计算模型基础上,提出减小侧推力的方法.利用有限元方法对侧支撑辊、工作辊及带材的受力分布情况进行了分析,排除了作用在带材上不均匀分布的力导致的条状隐影.最后给出了该问题治理方案,效果理想.
关键词:
十八辊轧机
,
背衬轴承
,
条状阴影
,
侧推力
,
摩擦热
李永忠
,
纪伟丰
,
周炎宏
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20112606.0733
影像残留显示现象存在于各类LCD中,大多为离子效应所引起.针对这一问题,分析了不同配向膜对自由离子电荷的吸附情况,以及选用合适的配向膜搭配不同液晶材料、盒内自由离子电荷的浓度情况等对残影显示的影响.实验发现,选用合适的配向膜,增加重配向时间,有利于消除残影现象；在一定配向膜基础上,选用低阈值液晶或选用添加抗静电剂液晶,更容易消除残影现象.不过,在实际运用中,重配向时间的增加会影响液晶陡度；低阈值液晶会使液晶陡度变差同时使响应速度变慢,且容易出现显示不均；抗静电剂液晶也会导致显示不均.因此在实际运用中,必须平衡以上各条件,才能在不影响其他性能前提下,更有效地改善残影现象,提高STN-LCD的显示质量.
关键词:
超扭曲向列相液晶显示器
,
残影显示
,
离子效应
刘晓那
,
宋勇志
,
徐长健
,
周波
,
马国靖
,
陈松飞
,
袁剑峰
,
林承武
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142903.0317
利用mini-cell作为评价平台,从配向膜材料自身特性角度,对配向膜材料与面残影之间的关联性进行了综合研究.一方面,配向膜材料自身优异的稳定性有助于维持电压保持率(VHR);另一方面,配向膜材料自身的低电阻率特性有助于存储电荷的释放,利于实现较低的残余电流(RDC).而当配向膜材料的RDC和高低温间VHR变化值同时处于较低水平时,可以获得面残影水平较低的TFT-LCD模块.因此,利用mini-cell对配向膜材料进行评估,通过比较RDC以及△VHR数值,可以间接实现对TFT-LCD的残影结果评估,为实际生产中产品残影的改善提供了基础理论指导,具有重要的指导性作用.
关键词:
配向膜
,
电压保持率
,
残余电流
,
残影
许雅琴
,
苏子芳
,
钟德镇
,
关星
,
刘英明
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153003.0399
随着液晶显示技术的发展,PPI越来越高,像素尺寸越来越小,穿透率的提升是一重要问题。负性液晶相对正性液晶具有高穿透率,较好的画面画质及较低的颜色偏差等优点,使得主流显示模式 IPS、FFS使用负性液晶研究逐渐增多。但由于负性液晶自身特性,其影像残留较正性液晶更为严重,特别是模组粘合附近区域的局部面残。为了改善负性液晶局部影像残留,本文研究了实际样品影像残留严重区域与轻徽区域不同测量数据,如温度、共电压(Vcom )等,发现影像残留严重区域与轻徽区域的公共电压出现漂移现象,分析了影响残影的因素,并提出改善方案,实测结果证明本文改善局部残影的方法是有效的。
关键词:
负性液晶
,
残影
,
公共电极电压
施梅勤
,
章文天
,
李影影
,
褚有群
,
马淳安
催化学报
doi:10.1016/S1872-2067(16)62535-4
直接甲醇燃料电池(DMFCs)作为一种环境友好、高效的新能源,对解决世界目前面临的“能源危机”与“环境危机”这两大问题有着至关重要的意义,具有较广阔的应用前景.目前,甲醇氧化催化剂仍然以 Pt基为主,但是 Pt价格昂贵,且容易受甲醇氧化中间产物的毒化,从而影响了 DMFCs的商业化进程.碳化钨(WC)作为非贵金属催化剂,在催化方面具有类铂的性能.在 WC上负载适量的 Pt,可以通过两者的协同效应加强催化剂的抗 CO中毒能力.但是,由于 WC的导电性能不佳,比表面积较小,因此寻找合适的载体显得尤为必要.在碳载体中,石墨烯(RGO)具有优良的导电性以及独特的片层结构,是电催化剂的理想载体.以 RGO为载体, WC为插层物质制备的 WC-RGO插层复合物具有化学稳定性好、电导率高且电化学活性面积大等优势.但是,由于石墨烯表面光滑且呈惰性,同时使用传统的碳化方法制备的碳化钨颗粒较大,因此,制备较小颗粒且分散均匀的 WC-RGO插层复合物具有较大难度.一般以偏钨酸铵和氧化石墨烯(GO)为前驱体制备 WC-RGO插层复合物,但是由于偏钨酸根和 GO都带负电,因此不能成功地将偏钨酸根引入到石墨烯的片层结构中,造成 WC-RGO插层复合物组装上的困难.本文采用硫脲成功地合成了具有高分散性 WC纳米颗粒插层在少层 RGO里的 WC-RGO插层复合物.硫脲((NH2)2CS)作为阴离子接受器,具有较强的结合阴离子形成稳定复合物的能力,同时它也是合成具有片层结构的过渡金属硫化物的原料之一.因此在 WC-RGO插层复合物组装过程中,硫脲既作为锚定及诱导剂,又是制备片层二硫化钨(WS2)的硫源.材料具体制备方法如下：首先利用浸渍法,将偏钨酸根阴离子([H2W12O40]6?)牵引到(NH2)2CS改性过的 GO上形成[H2W12O40]6?-(NH2)2CS-GO前驱体；然后将前驱体放入管式炉中还原碳化,前驱体先反应生成 WS2；由于 WS2自身的2D片层结构,反应中可以得到 WS2-RGO插层复合物,接着原位碳化生成 WC-RGO插层复合物.碳化钨-石墨烯负载铂电催化剂(Pt/WC-RGO)通过微波辅助法制得,并采用 X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜及激光拉曼光谱等手段对其结构与形貌进行了表征.结果显示,在 WC-RGO插层复合物中, WC的平均粒径为1.5 nm, RGO的层数约为5层.在甲醇电氧化反应中,相比于商用 Pt/C催化剂, Pt/WC-RGO插层复合物催化剂具有更高的电化学活性面积(ECSA)和较高的峰电流密度(246.1 m2/g Pt,1364.7 mA/mg Pt),分别是 Pt/C的3.66和4.77倍.我们分别利用 CO溶出伏安法、计时电流法及加速耐久性试验法验证了 Pt/WC-RGO催化剂优秀的抗 CO中毒能力及稳定性. Pt/WC-RGO催化剂特殊的插层结构,在增加 WC与 Pt接触机会以加强协同作用的同时,促进了催化过程中质量及电荷的转移,因而具有比 Pt/C更高的催化活性.可见,通过制备WC-RGO插层复合物可降低 Pt用量,从而大大地降低燃料电池中电催化剂的成本.同时,我们使用的是一种高效,可大批量生产纳米材料的方法,有助于催化剂的商业化.
关键词:
碳化钨-石墨烯
,
插层复合物
,
硫脲
,
锚定
,
甲醇氧化
材料导报
針對碳黑填充聚乙烯後合材料進行實驗的結果發現,適合的時效熱處理可使材料的電阻有效地降低至底值.經過輻射的材料若加熱至高于聚乙烯熔點的温度,并再進行時效熱處理,會使材料的電阻出現跳升的現象,而且電阻跳升的程度與材料中的碳黑種類有關.若于輻射之前實施材料的時效熱處理,這對電阻跳升的程度并無明顯的影響.
关键词:
導電性高分子
,
碳黑/聚乙烯復合材料
,
導電性
,
熱處理
,
正温度系敷電阻
