欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(846)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

快淬 TiZrVMnNi 贮氢合金的电化学性能研究

, 王新林 , 吴建民 , 赵韦人 , 祁焱 ,

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2002.03.010

对比研究了熔体旋转和常规铸态 Ti0.8Zr0.2Mn0.5V0.5Ni1.0 贮氢合金的电化学特性.发现快淬态与铸态合金的活化性能都很好,经过1~3次充放电循环,就可达到最大放电容量.快淬工艺明显提高了合金的放电容量,并且淬速与放电容量之间在一定情况下出现峰值.快淬工艺同时改善合金的放电电压特性,使合金的放电平台更,平台电压更高.但是快淬钛基贮氢合金的循环稳定性能和铸态合金一样差,放电容量在10次内急剧衰减.

关键词: 贮氢合金 , 金属氢化物电极 , 电化学性能 , 快淬工艺 , 钛合金

低温高压快速生长纳米晶硅薄膜中氢的作用

邱胜桦 , 陈城钊 , 刘翠青 , 吴燕丹 , , 林璇英 , 黄翀 , 余楚迎

功能材料

以SiH4/H2为气源,用PECVD沉积技术,在低温(200℃)、高压下(230Pa)下制备出优质纳米晶硅薄膜.研究氢在高速生长纳米晶硅薄膜材料中的作用.实验表明,氢对纳米晶硅薄膜的高速生长起到非常关键的作用.随着氢稀释率由95%提高至99%,薄膜的晶化率由30%增大到70%,晶粒尺寸由3.0nm增大至6.0nm,而沉积速率却由0.8nm/s降低至0.3nm/s.

关键词: 纳米晶硅薄膜 , 氢稀释 , 晶化率 , RF-PECVD

切分轧制技术的发展及应用

陈贻宏 , 黄杰 , 刘海昌 , 刘抗强 , 陆在学 , , 涂立钧 , 梁中权

钢铁

说明了切分轧制的技术特点、意义以及切分轧制的各种方法及其适用范围,综述了切分轧制技术的发展历史及国内外开发和推广应用切分轧制新技术的情况.

关键词: 切分轧制 , 开发和应用

炭纸上原位生长CNF/CP复合体的氧气电催化反应性能

郑俊生 , 王喜照 , 符蓉 , , 杨代军 , 吕洪 , 马建新

新型炭材料 doi:10.1016/S1872-5805(11)60081-4

利用催化气相化学沉积(Catalytic chemical vapor deposition,CCVD)法在炭纸上原位生长得到CNF/CP复合体,并对这种复合体的物理化学性能和氧气电催化还原反应(Oxygen reduction reaction,ORR)性能进行了研究.结果表明:纳米炭纤维较为均匀地分散在炭纸上,其中纳米炭纤维具有窄的直径分布.所制CNF/CP复合体具有较大的比表面积和独特的中孔结构;相对于炭纸,CNF/CP复合体的端面碳原子和基面碳原子比例较高.另外,CNF/CP还具有较高的ORR反应活性,其ORR为2电子反应过程,原因可以归结于纳米炭纤维独特的微结构.同时,CNF/CP也具有较高的交换电流密度和较正的平衡电压.

关键词: 纳米炭纤维 , CNF/CP复合体 , 催化化学气相沉积 , 电催化性能 , 氧气还原反应

钢坯切轧中旁弯和折叠的形成与控制

陈贻宏 , 黄杰 , 周家林 , 梁中权 , , 陆在学 , 涂立钧

钢铁

介绍了采用连铸板坯经1150初轧机切轧成方坯的切轧工艺、孔型设计及切分的基本原理;对轧件的弯曲与控制,和钢坯表面折叠与控制,从理论上进行了分析研究.

关键词: 切分轧制 , 钢坯生产 , 轧制工艺 , 孔型设计 , 轧件弯曲与控制 , 表面折叠与控制

抗辐射铁电存储器的研究进展

翟亚红 , 李威 , , 胡滨 , 霍伟荣 , 俊宏 , 辜科

材料导报

在分析铁电存储器工作原理以及铁电薄膜材料抗辐射能力的基础上,综述了商业化铁电存储器的发展历程以及辐射实验结果.总结了抗辐射加固的铁电存储器的研究进展以及抗辐射加固的方法,展望了抗辐射铁电存储器的应用前景.

关键词: 铁电存储器 , 辐射效应 , 铁电材料 , 铁电电容

射频PECVD法高压快速制备纳米晶硅薄膜

陈城钊 , 邱胜桦 , 刘翠青 , 吴燕丹 , , 余楚迎 , 林璇英

功能材料

采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压(133~266Pa)下,以0.4nm/s速率制备出优质的氢化纳米晶硅薄膜.薄膜的晶化率约60%,平均晶粒尺寸约6.0nm,暗电导率为10-3~104/Ω·cm.红外吸收谱显示,薄膜中没有Si-O、Si-C、Si-N等杂质键,随晶化率的提高,Si-H键也逐渐消失.

关键词: 纳米晶硅薄膜 , RF-PECVD , 生长速率

GaAs双光子诱导光吸收对调Q激光器脉冲的影响

, 王青圃 , 张其第 , 马宝民 , 李颖 , 黄伯标 , 刘续民

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.02.008

研究了利用GaAs的双光子诱导吸收实现调Q激光脉冲展宽的原理,分析了GaAs 的光吸收特性,建立了激光器速率方程并给出了数值解。在实验上,将GaAs薄片放入一电光调Q Nd:YAG激光器谐振腔中,同理论预测一样,激光输出脉冲的能量、峰值功率都低于常规调Q激光脉冲,同时脉冲宽度得到了展宽。

关键词: GaAs , 双光子诱导吸收 , 调Q激光器 , 展宽

  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 下一页
  • 末页
  • 共85页
  • 跳转 Go

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词