叶林森
,
赵北君
,
朱世富
,
何知宇
,
任锐
,
王瑞林
,
钟雨航
,
温才
,
李佳伟
功能材料
硒化镉晶体是一种很有前途的室温核辐射探测器半导体材料,实验采用改进的双温区气相垂直提拉法成功的生长了Φ15mm×40mm,电阻率为107～108(Ω·cm)量级的硒化镉单晶体.对生长的硒化镉单晶体(110)解理晶片进行XRD、红外透过测试,结果显示:硒化镉单晶体完整性好,红外透过率＞62%,表明用二步提纯,在具有较好温度梯度的双温区炉中生长晶体,能有效地控制杂质、缺陷浓度和晶体的化学配比.
关键词:
硒化镉
,
晶体生长
,
气相垂直提拉
,
电阻率
,
红外表征
唐艳妮
,
杨万民
,
梁伟
,
王妙
,
张晓菊
,
李佳伟
,
王高峰
低温物理学报
本文采用顶部籽晶熔融织构方法（TSMTG）制备出了具有不同纳米Gd2Ba4CuWOx（GdW2411）掺杂量的系列单畴GdBCO超导块材,并研究了GdW2411的掺杂量对其微观形貌以及磁悬浮力大小的影响.研究结果表明,通过添加GdW2411粒子,可以成功的在单畴GdBCO超导块材中引入纳米GdW2411磁通钉扎中心,其粒径约在50～200nm之间;随着GdW2411掺杂比例的增加,纳米粒子的密度逐渐变大,粒度也有所变大;GdBCO超导块材磁悬浮力的大小与GdW2411掺杂量密切相关,只有当GdW2411的掺杂比例达到最佳值时,样品的磁悬浮力才达到最大.这些结果对进一步提高GdBCO超导块材性能具有重要的指导意义.
关键词:
超导块材
,
熔融织构
,
Gd2Ba4CuWOx
,
磁悬浮力
黄巍
,
赵北君
,
朱世富
,
何知宇
,
陈宝军
,
李佳伟
,
虞游
人工晶体学报
报道了一种新型的CdGeAs2晶体择优腐蚀剂,配方为:H2O2(30%): NH4OH(含NH325%-28%): NH4Cl(5mol/L): H2O=1 mL: 1.5 mL: 1.5 mL: 2 mL.将经机械研磨、物理抛光和溴甲醇化学抛光处理后的表面平整无划痕的CdGeAs2晶片,在40 ℃下超声振荡腐蚀数分钟,采用金相显微镜和SEM进行蚀坑观察.结果表明,新型腐蚀剂对CdGeAs2晶体(204)和(112)晶面择优腐蚀效果显著,蚀坑取向一致,具有很强的立体感;(204)晶面蚀坑呈三角锥形,(112)晶面蚀坑呈五边形,从晶体结构上对蚀坑形成机理进行了分析讨论.
关键词:
CdGeAs2晶体
,
化学腐蚀剂
,
蚀坑形貌
,
缺陷分析
杨万民
,
李坤
,
梁伟
,
钞曦旭
,
李佳伟
,
陈森林
,
马俊
低温物理学报
本文采用顶部籽晶熔融织构法(TSMTG)研究了Gd2Ba4CuNbO (GdNb2411)的掺杂量及其初始粉体粒度对单畴GdBCO超导块材磁悬浮力的影响.制备单畴GdBCO超导块材的初始成份为GdBa2Cu3O-δ∶Gd2BaC-uO5∶ GdNb2411=1∶ (0.4-x)∶x,x=0、0.02、0.06、0.1、0.14;GdNb2411粒子的初始粒度(d)范围分别在0≤d≤40m、40＜d≤61m、61＜d≤120m、120＜d≤180m.结果表明:(1) GdBCO超导块材的生长形貌与其掺杂量x密切相关,当x≤0.06时,样品具有单畴形貌,且表面光滑平整;当x＞0.06mol时,样品仍具有单畴形貌,但其表面出现皱褶现象;(2)随着x的增加,样品的磁悬浮力先增大后减小,当x=0.06mol时达到最大25N.(3)掺入样品的GdNb2411粉体粒度越小,最终在样品中生成的GdNb2411粒子的粒径也越小.(4)当固定x=0.06时发现,随着掺杂GdNb2411粉体粒度的减小,单畴GdBCO超导块材的磁悬浮力逐渐增大,当粒度d≤40mm时,样品中的Gd-Nb2411粒度约在100nm～250nm之间,相应样品的磁悬浮力最大,约25N.这些结果对进一步提高GdBCO超导块材的质量具有一定的指导意义.
关键词:
单畴GdBCO超导晶体
,
顶部籽晶熔融织构法
,
Gd2Ba4CuNbOy
,
磁悬浮力
何知宇
,
赵北君
,
朱世富
,
陈宝军
,
李佳伟
,
张熠
,
杜文娟
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01195
对新型中红外非线性光学材料CdGeAs2的多晶合成和单晶生长进行了研究.以高纯(99.9999%)As、Ge、Cd为原料,按照CdGeAs2化学计量比并适当富Cd、As配料,采用机械振荡与熔体温度振荡相结合的方法合成出CdGeAs2多晶材料,使用改进的坩埚下降法生长出φ15mm×45mm、外观完整无开裂的CdGeAs2单晶体.XRD全谱拟合精修、红外傅里叶分光光度计测试分析表明:合成的CdGeAs2晶体具有单相四方黄铜矿结构,晶格常数为a=b=0.5946nm,c=1.1217nm;生长出的CdGeAs2单晶体结构完整,结晶性好,晶体的易解理面为(101)面,红外透明范围589～4250cm-1,拟合计算出CdGeAs2晶体的禁带宽度为0.67eV.
关键词:
砷锗镉
,
多晶合成
,
单晶生长
,
XRD分析
,
红外透过谱
李佳伟
,
朱世富
,
赵北君
,
何知宇
,
陈宝军
稀有金属
采用改进的布里奇曼法生长出尺寸为Φ15 mm×45 mm,外观完整无开裂的CdGeAs2单晶体.为了提高器件的使用性能,需要对晶体进行表面处理,主要对CdGeAs2晶片表面的抛光技术进行了研究.通过对解理面切割分析得到(101)晶面,机械抛光后进行了XPS分析.对该晶面采用溴甲醇溶液进行腐蚀抛光,采用XRD回摆及光学显微镜对不同抛光时间的试样进行观测.结果表明,CGA晶体的(101)晶面在常温下采用溴甲醇溶液腐蚀50 s后,晶片表面光滑无划痕,并且具有半峰宽较小的回摆曲线,同时计算得到CdGeAs2晶体的表面损伤层厚度.
关键词:
非线性材料
,
CdGeAs2
,
XPS
,
XRD回摆曲线
,
表面损伤层
邓江辉
,
赵北君
,
朱世富
,
何知宇
,
郭楠
,
李佳伟
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2010.01.016
采用金相显微镜和扫描电镜观察了垂直布里奇曼法生长的新型红外非线性光学晶体砷锗镉(CdGeAs_2)单晶片(101)面蚀坑形貌.选择机械研磨、物理抛光及质量分数为3%溴甲醇在室温下对晶片化学抛光1min左右的工艺,获得了表面平整无划痕的CdGeAs_2晶片.报道了一种新的CGA晶体择优腐蚀剂,其组成为HCl∶HNO_3∶H_2O=1∶1∶1(体积比),室温下腐蚀晶片30s左右后在金相显微镜和扫描电镜下观察到CdGeAs_2晶体(101)晶面的腐蚀坑,蚀坑形貌呈取向一致的等腰三角形,边界清晰,具有立体感,并从理论上分析讨论了(101)面三角形蚀坑的形成原因.
关键词:
非线性红外光学晶体
,
砷锗镉
,
腐蚀剂
,
蚀坑形貌
李佳伟
,
朱世富
,
赵北君
,
何知宇
,
陈宝军
,
黄巍
稀有金属材料与工程
介绍了一种砷锗镉(CGA)晶体定向加工的新方法,即根据CGA晶体自身解理面,结合晶体标准极图和X射线衍射图谱,确定出晶体的c轴方向;并以c轴为基准快速寻找CGA晶体通光面且进行回摆精修的器件加工新方法.运用该方法,针对改进的垂直Bridgman法自发成核生长的CGA晶体,经定向切割、研磨和抛光,初步加工出CGA晶体SHG倍频器件粗坯,其相位匹配角θm=33.58°、方位角.(ψ)=0°,尺寸达5 mm×5 mm×8mm.
关键词:
CdGeAs2晶体
,
定向加工
,
晶体标准极图
,
X射线衍射
杨晓锋
,
刘川
,
李佳伟
,
叶坤
,
王辉煌
,
王钱浦
机械工程材料
采用本征应变重构技术,以小孔法测试的少量应力数据为基础,利用热弹性有限元法构造出4mm厚铝合金搅拌摩擦焊接接头的纵向残余应力场;研究了表征本征应变的多项式阶数和试验数据量对构造残余应力场结果的影响.结果表明:在少量测试数据的基础上对数据进行插值拟合处理,采用10阶以上切比雪夫多项式表征本征应变,可构造出与试验结果符合较好的纵向残余应力场;试验数据需包含特征区域的应力值才能较准确构造出该区域的应力分布.
关键词:
搅拌摩擦焊接
,
残余应力
,
本征应变重构
,
热弹性有限元法
