程伟明
,
李佐宜
,
杨晓非
,
黄致新
,
鄢俊兵
,
李震
,
程晓敏
,
林更琪
稀有金属材料与工程
采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了TbFeCo/Pt非晶垂直磁化膜,研究了Pt底层对TbFeCo薄膜磁性能与磁光性能的影响.结果表明:具有微小颗粒凹凸结构的Pt底层可以显著增大TbFeCo薄膜的垂直磁各向异性场与矫顽力,改善薄膜的磁光温度特性.
关键词:
射频磁控溅射
,
Pt底层
,
TbFeCo/Pt非晶垂直磁化薄膜
,
矫顽力
,
克尔旋转角
邱进军
,
李佐宜
,
郑远开
,
李震
,
林更琪
,
熊锐
,
胡作启
,
卢志红
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.06.016
用射频磁控溅射方法在不同基片温度下玻璃基片上分别制备NiO单层膜、NiFe单层膜和NiO/NiFe双层膜,研究了不同基片温度对膜的磁性能的影响. 用振动样品磁强计(VSM)分析了膜的磁特性,结果表明:基片温度260℃时淀积的NiFe膜矫顽力HC为184A·m-1,小于室温淀积NiFe膜的HC(584A·m-1),且磁滞回线的矩形度更好. 室温下淀积NiO(50 nm) /NiFe (15 nm) 双层膜的HC为4000A·m-1,交换耦合场(HEX)仅为1600A·m-1,磁滞回线的矩形度很差;而260℃时淀积的双层膜的HC下降到3120A·m-1,HEX却增大为4640A·m-1,同时磁滞回线的矩形度也得到改善,其截止温度TB高达230℃. X射线衍射(XRD)分析了膜的织构,结果表明:室温下淀积NiO膜呈现(220)织构,而260℃时淀积NiO膜呈现(111)织构;室温和260℃淀积的NiFe膜都呈(111)织构,但后者晶粒比前者大.
关键词:
基片温度
,
交换耦合
,
矫顽力
李佐宜
,
游龙
,
宋敏
,
杨晓非
,
李震
,
程晓敏
,
林更琪
稀有金属材料与工程
为了改善记录介质的磁性能,研究了溅射Cr和CrTi底层对Co68Cr17Pt15性能的影响.发现在玻璃盘基和CoCrPt磁性层之间引入100 nm厚的Cr底层,可使介质矫顽力从56 kA·m-1增加到127 kA·m-1,同时剩磁比和矫顽力矩形比分别增加66%和74%.同时还发现Cr底层厚度对介质磁性能有较大影响.考虑到减小Cr底层和磁性层的晶格匹配,在Cr底层里添加Ti元素,当Ti原子分数达到1.5%时,即使在室温下溅射,薄膜也有好的面内磁滞回线,此时矫顽力可达到160 kA·m-1.X射线衍射表明在介质中引入Cr和CrTi底层,由于薄膜能更好的沿着垂直于易磁化轴方向生长而使介质性能提高.
关键词:
底层
,
磁性能
,
CoCrPt薄膜
黄致新
,
章平
,
张玉龙
,
王辉
,
吴斌
,
张锋
,
李佐宜
稀有金属材料与工程
采用射频磁控溅射法制备了TbCo非晶垂直磁化膜,并就制备工艺及参数对其磁各向异性能的影响进行了研究.结果表明:磁性层组分、溅射气压、基片偏压以及后退火温度对TbCo非晶垂直磁化膜的磁各向异性能都有不同程度的影响.当Tb含量为30%左右,或溅射气压为0.53 Pa时,TbCo薄膜的磁各向异性能Ku会呈现极大值.基片偏压超过-60V以后,TbCo薄膜Ku值开始显著上升,但超过-120 V以后,Ku值开始趋向饱和.200 ℃以上真空退火会使TbCo薄膜磁各向异性能Ku值明显下降.产生这些现象的原因与薄膜微观结构的改变有关.
关键词:
TbCo薄膜
,
磁各向异性
,
磁控溅射
,
工艺参数
王世敏
,
王龙海
,
张刚升
,
赵建洪
,
张端明
,
李佐宜
,
章天金
无机材料学报
以乙酸钾、乙醇钽、乙醇铌为前驱体，在SrTiO3（111）衬底上取向生长了KTa0.65Nb0.35O3薄膜.通过DTA-TG分析，确定了预烧工艺，发现钙钛矿结构KTN在高温（＞950℃）下可分解，产生缺钾中间相K2Ta4O11．单层凝胶膜预热处理（＞450℃），多层覆盖，慢速升降温（1～2℃／min），750℃保温2h，可得到晶粒大小分布均匀，平均直径约0．2μm、致密的薄膜．升高温度、延长时间，晶粒长大，甚至团聚，产生气孔、裂纹，烧结温度应控制在950℃以下．
关键词:
钽铌酸钾薄膜
,
null
,
null
程伟明
,
李佐宜
,
胡珊
,
杨晓非
,
董凯锋
,
林更琪
功能材料
采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了TbFeCo/Pt非晶垂直磁化膜,系统研究了溅射工艺参数对TbFeCo薄膜磁性能的影响.振动样品磁强计测量结果表明:Tb含量在补偿成分点附近,采用较低的溅射氩气压与Pt底层,有利于提高TbFeCo薄膜的磁性能;当Tb含量为0.24,溅射功率为300W,溅射气压为0.53Pa,薄膜厚度为140nm时,TbFeCo/Pt薄膜矫顽力达到476kA/m,饱和磁化强度为151kA/m,剩磁矩形比超过0.8,该薄膜有望用作高密度光磁混合记录介质.
关键词:
射频磁控溅射
,
非晶垂直磁化膜
,
矫顽力
,
饱和磁化强度
,
光磁混合记录
许小红
,
段静芳
,
王芳
,
武海顺
,
李震
,
李佐宜
稀有金属材料与工程
在SmCo/Cr薄膜中,Cr底层的取向结构对薄膜的磁学性能有很大的影响.设计了4因素3水平的正交实验L9(34),并通过数理统计的方法分析了Cr底层的溅射参数对SmCo/Cr薄膜矫顽力的影响.用较少的实验得到Cr底层的最佳实验条件:靶基距为4 cm,功率为50 W,溅射气压为0.5 Pa,溅射时间为9 min.并发现了靶基距、功率和溅射气压对薄膜矫顽力的影响较大,其中靶基距是薄膜矫顽力最主要的控制因素.而溅射时间在所取的水平上对薄膜矫顽力的影响最小.本实验设计可达到95%的置信度.
关键词:
SmCo/Cr薄膜
,
矫顽力
,
Cr底层
,
溅射参数
鄢俊兵
,
李佐宜
,
晋芳
,
董凯锋
,
林更琪
功能材料
利用两步阳极氧化方法在玻璃基板上成功制造孔洞排列有序的多孔氧化铝基底,实验结果表明,孔洞大小范围在10～50nm,孔洞大小可通过氧化电压和氧化温度进行调节,随氧化电压和温度降低而减小.多孔氧化铝底层对其上溅射生长的TbFeCo磁性能有重要影响,多孔氧化铝基底对TbFeCo的畴壁运动有较强的钉扎作用,增大其矫顽力,矫顽力随孔洞的直径增大而减小,从15nm时的4.5×105A/m下降到40nm时的2.8×105A/m,并逐步趋近无AAO膜板时TbFeCo的矫顽力.同时多孔氧化铝基底的引入,使TbFeCo薄膜的矫顽力机制从以磁晶各向异性为主改变为以形状各向异性为主.
关键词:
多孔阳极氧化铝
,
TbFeCo
,
SEM
,
磁性能
程伟明
,
李佐宜
,
杨晓非
,
林更琪
,
晋芳
,
孙翔
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.04.002
采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了NdTbCo/Cr非晶垂直磁化膜.探讨了溅射功率与溅射时间对薄膜磁性能的影响,发现当溅射功率为250 W,溅射时间为4 min时,垂直膜面方向矫顽力为272.8 kA·m-1,剩磁矩形比达到0.801,可以较好地满足高密度垂直磁记录的要求.研究了 Nd掺杂对薄膜磁性能与磁光性能的影响,发现随着Nd掺杂量的增多,薄膜的矫顽力从413.8下降为210.9 kA·m-1,饱和磁化强度与克尔旋转角则分别从144 kA·m-1和0.2720°上升为252 kA·m-1和0.3258°.温度对NdTbCo/Cr薄膜克尔旋转角的影响也与Nd的掺杂量密切相关.
关键词:
射频磁控溅射
,
非晶垂直磁化膜
,
矫顽力
,
剩磁矩形比
,
饱和磁化强度
,
克尔旋转角
